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2025-01-21 09:33:16型機(jī)動平臺負(fù)壓系統(tǒng): 型機(jī)動平臺負(fù)壓系統(tǒng)是一種專業(yè)設(shè)備，主要用于創(chuàng)造并保持特定區(qū)域內(nèi)的負(fù)壓環(huán)境。它通過高效的風(fēng)機(jī)系統(tǒng)，將室內(nèi)空氣抽出并排放至外部環(huán)境，形成負(fù)壓差，有效阻止外部污染空氣進(jìn)入。該系統(tǒng)具備移動性強(qiáng)、操作簡便、凈化效率高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、生物實(shí)驗(yàn)、食品加工等領(lǐng)域，以確保操作環(huán)境的潔凈與安全。

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型機(jī)動平臺負(fù)壓系統(tǒng)資訊

國家生態(tài)環(huán)境質(zhì)檢中心為戰(zhàn)“疫”防護(hù)儀器設(shè)備提供計(jì)量檢測

國家生態(tài)環(huán)境質(zhì)檢中心積極響應(yīng)黨中央和政府的號召，第一時(shí)間組織多學(xué)科技術(shù)骨干成立了檢測突擊隊(duì)，為疾控部門、醫(yī)院、企業(yè)提供醫(yī)用防護(hù)儀器設(shè)備的快速計(jì)量檢測服務(wù)。

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2020-03-15
防護(hù)儀器設(shè)備計(jì)量檢測服務(wù) 型機(jī)動平臺負(fù)壓系統(tǒng) 負(fù)壓救護(hù)車負(fù)壓病房

型機(jī)動平臺負(fù)壓系統(tǒng)產(chǎn)品

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型機(jī)動平臺負(fù)壓系統(tǒng)問答

2025-06-03 11:15:22二氧化碳培養(yǎng)箱是負(fù)壓嗎: 二氧化碳培養(yǎng)箱是負(fù)壓嗎？二氧化碳培養(yǎng)箱廣泛應(yīng)用于生命科學(xué)、醫(yī)學(xué)研究以及細(xì)胞培養(yǎng)等領(lǐng)域，主要功能是為微生物和細(xì)胞提供一個穩(wěn)定的溫度、濕度以及二氧化碳濃度的培養(yǎng)環(huán)境。對于使用者來說，了解二氧化碳培養(yǎng)箱的工作原理及其具體設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的。本文將詳細(xì)探討二氧化碳培養(yǎng)箱是否屬于負(fù)壓設(shè)備，分析其工作機(jī)制以及負(fù)壓與正壓在培養(yǎng)環(huán)境中的應(yīng)用差異，以幫助讀者更加準(zhǔn)確地理解這類設(shè)備的特性。二氧化碳培養(yǎng)箱的工作原理二氧化碳培養(yǎng)箱通過精確控制二氧化碳濃度、溫度和濕度，為細(xì)胞和微生物提供一個適宜的生長環(huán)境。在大多數(shù)情況下，二氧化碳培養(yǎng)箱內(nèi)部的氣體濃度與外部環(huán)境是相對獨(dú)立的。為了維持恒定的二氧化碳濃度，培養(yǎng)箱內(nèi)的氣體循環(huán)系統(tǒng)會定期補(bǔ)充二氧化碳?xì)怏w，從而確保培養(yǎng)環(huán)境的穩(wěn)定。二氧化碳培養(yǎng)箱的壓力類型：負(fù)壓與正壓的區(qū)分二氧化碳培養(yǎng)箱是否屬于負(fù)壓設(shè)備，取決于其內(nèi)部氣體的管理方式。負(fù)壓設(shè)備通常是指箱體內(nèi)部氣壓低于外部環(huán)境壓力，而正壓設(shè)備則是指箱體內(nèi)部氣壓高于外部環(huán)境壓力。二氧化碳培養(yǎng)箱一般采用的是正壓設(shè)計(jì)。為什么二氧化碳培養(yǎng)箱通常為正壓？二氧化碳培養(yǎng)箱通常設(shè)計(jì)為正壓系統(tǒng)，主要是為了避免外部污染物（如空氣中的細(xì)菌、塵埃等）進(jìn)入培養(yǎng)箱，影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果或細(xì)胞生長。通過保持箱體內(nèi)部氣壓略高于外部，確保外部空氣不會進(jìn)入培養(yǎng)箱內(nèi)部，從而保護(hù)培養(yǎng)環(huán)境的潔凈性和穩(wěn)定性。二氧化碳培養(yǎng)箱的負(fù)壓應(yīng)用場景盡管二氧化碳培養(yǎng)箱通常為正壓設(shè)計(jì)，但在某些特殊的應(yīng)用場景下，也會使用負(fù)壓環(huán)境。例如，在一些特定的生物安全要求較高的實(shí)驗(yàn)室中，可能會結(jié)合負(fù)壓設(shè)備，以防止實(shí)驗(yàn)過程中有害物質(zhì)泄漏到外部環(huán)境。因此，負(fù)壓設(shè)備在一些特定條件下也可能出現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)室的使用中，但這并不是二氧化碳培養(yǎng)箱的常見特性。總結(jié) 二氧化碳培養(yǎng)箱通常設(shè)計(jì)為正壓設(shè)備，而非負(fù)壓。這是為了保護(hù)實(shí)驗(yàn)環(huán)境的穩(wěn)定性與潔凈性，避免外界污染物進(jìn)入，確保細(xì)胞或微生物培養(yǎng)的純凈度和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性。在一些特殊應(yīng)用中，負(fù)壓設(shè)備也可用于提高生物安全性，但這與二氧化碳培養(yǎng)箱的常規(guī)功能有所區(qū)別。了解這些基本原理，有助于正確選擇并使用二氧化碳培養(yǎng)箱，以實(shí)現(xiàn)更高效的科研工作。

2025-06-17 12:30:21V錐流量計(jì)可以用負(fù)壓管道嗎: V錐流量計(jì)作為一種常見的流量測量儀器，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)領(lǐng)域，尤其在流體流量的控制方面具有重要作用。對于使用V錐流量計(jì)的應(yīng)用場景，常常會有一個問題被提及：V錐流量計(jì)是否適用于負(fù)壓管道？本文將圍繞這個問題展開討論，分析V錐流量計(jì)在負(fù)壓管道中的使用可行性、優(yōu)勢與限制，幫助工程技術(shù)人員在實(shí)際應(yīng)用中做出合理的選擇和優(yōu)化。我們需要了解V錐流量計(jì)的工作原理。V錐流量計(jì)通過在管道中安裝V型的流量導(dǎo)向錐體，通過流體流經(jīng)錐體時(shí)產(chǎn)生的壓差來計(jì)算流量。這種流量計(jì)具備高精度和寬范圍的流量測量能力，特別適用于復(fù)雜的流體環(huán)境。V錐流量計(jì)的安裝環(huán)境和工作條件對其性能有一定影響，其中包括管道的壓力條件。負(fù)壓管道是指管道內(nèi)部的壓力低于外界大氣壓力的管道系統(tǒng)。在這種管道中，流體的流動會受到負(fù)壓的影響，流體的流量和壓力情況相較于正壓管道有顯著的不同。對于V錐流量計(jì)而言，負(fù)壓環(huán)境可能會對其流量測量結(jié)果產(chǎn)生一定影響，特別是在低流量和高粘度流體的情況下。由于V錐流量計(jì)的工作原理依賴于壓差的形成，負(fù)壓管道的特殊性可能導(dǎo)致壓差變化不如正壓管道那樣穩(wěn)定，進(jìn)而影響流量的準(zhǔn)確性。 V錐流量計(jì)并非完全不能用于負(fù)壓管道。在負(fù)壓管道中，V錐流量計(jì)可以準(zhǔn)確測量流量，前提是確保管道內(nèi)的氣體或液體流動穩(wěn)定，不受外界干擾。合理的設(shè)備選擇和優(yōu)化配置（如安裝位置的選擇、流體特性調(diào)整等）能夠有效降低負(fù)壓環(huán)境對流量計(jì)性能的影響。V錐流量計(jì)在負(fù)壓管道中使用時(shí)，通常需要配備額外的壓力和溫度補(bǔ)償裝置，以確保測量的精度和穩(wěn)定性。總結(jié)來說，V錐流量計(jì)在負(fù)壓管道中是可以使用的，但其準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性會受到管道內(nèi)流體狀態(tài)、流量范圍以及設(shè)備配置等多方面因素的影響。因此，使用V錐流量計(jì)時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用條件，結(jié)合流體的特性和負(fù)壓管道的環(huán)境，進(jìn)行科學(xué)合理的選型和配置，以確保流量測量的精確性和系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。在設(shè)計(jì)和實(shí)施過程中，技術(shù)人員需要深入了解流體力學(xué)和流量計(jì)的工作原理，做到針對性優(yōu)化。

2023-07-10 16:15:53負(fù)壓法密封性測試儀: 負(fù)壓法密封性測試儀是一種用于檢測包裝密封性的儀器。它通過向包裝內(nèi)部抽真空，觀察包裝是否漏氣，以判斷其密封性能。這種測試方法可以快速、準(zhǔn)確地評估包裝的密封性，從而確保產(chǎn)品在運(yùn)輸和儲存過程中不會受到外界污染或損壞。濟(jì)南賽成電子科技有限公司依據(jù)《GB/T15171包裝密封性能測試》生產(chǎn)的負(fù)壓法密封性測試儀用來檢測包裝的密封性。其工作原理是，通過真空泵將包裝內(nèi)部的氣體抽出，使包裝內(nèi)部產(chǎn)生負(fù)壓。此時(shí)，如果包裝存在漏氣現(xiàn)象，空氣將會通過漏孔進(jìn)入包裝內(nèi)部，從而平衡包裝內(nèi)部的壓力。測試儀通過檢測包裝內(nèi)部壓力的變化，可以判斷包裝是否存在漏氣現(xiàn)象。試驗(yàn)步驟:( 1 )在密封性試驗(yàn)儀真空室內(nèi)放入適量的蒸餾水,將試樣固定在試樣夾具上,再將其浸入水中。此時(shí),試樣的頂端與水面的距離不得低于25mm。注:只要保證在試驗(yàn)期間能觀察到試樣的各個部位的泄漏,一次可以試驗(yàn)2個或更多的試樣。(2)蓋上真空室的密封蓋,關(guān)閉排管閥門,再打開真空管閥對真空室抽真空。將其真空度在30~60s調(diào)至下列數(shù)值之一: 20、30、50、90kPa等。到達(dá)一定真空度時(shí)停止抽真空,并保持該真空度30s。所調(diào)節(jié)的真空度值根據(jù)試樣的特性(如所用包裝材料、密封情況等)或有關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定確定。但不得因試樣的內(nèi)外壓差過大使試樣發(fā)生破裂或封口處開裂。(3)觀測抽真空時(shí)和真空保持期間試樣的泄漏情況,視其有無連續(xù)的氣泡產(chǎn)生。單個孤立氣泡不視為試樣泄漏。( 4)打開密封儀進(jìn)氣管閥門,使真空室與大氣相通,打開密封蓋,取出試樣,將其表面的水擦凈, 開封檢查試樣內(nèi)部是否有試驗(yàn)用水滲入。使用負(fù)壓法密封性測試儀進(jìn)行測試時(shí)，需要注意以下幾點(diǎn)：1. 測試前需要確保包裝完整、無破損現(xiàn)象；2. 測試過程中需要保持包裝的平穩(wěn)，避免因震動等原因?qū)е掳b破裂；3. 根據(jù)不同的包裝材料和厚度，需要選擇合適的測試壓力和時(shí)間；4. 測試結(jié)束后，需要檢查包裝是否有漏氣現(xiàn)象，并進(jìn)行相應(yīng)的處理?？傊?，負(fù)壓法密封性測試儀是一種簡單、快速、準(zhǔn)確的測試包裝密封性的方法，可以有效地確保產(chǎn)品在運(yùn)輸和儲存過程中的安全性和可靠性。賽成儀器立足濟(jì)南，服務(wù)寰球。公司始終秉承持續(xù)創(chuàng)新的經(jīng)營理念，用匠心鑄就精品，以品質(zhì)贏得信賴。賽出品質(zhì)，成就共贏！期待與行業(yè)內(nèi)的企事業(yè)單位增進(jìn)交流和合作。

2025-09-02 11:45:22信號發(fā)生器怎么發(fā)負(fù)脈沖: 在電子測試與測量領(lǐng)域，信號發(fā)生器是不可或缺的工具，而負(fù)脈沖的生成則是其應(yīng)用中的一個關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)。負(fù)脈沖在各種電子電路調(diào)試、通信系統(tǒng)測試以及自動化控制中具有重要的作用，能夠模擬電路中的負(fù)載變化、觸發(fā)特定的響應(yīng)或?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜的信號調(diào)制。從信號發(fā)生器的設(shè)計(jì)與操作角度來看，發(fā)出負(fù)脈沖雖然相較于正脈沖更具一定的復(fù)雜性，但通過合理的電路結(jié)構(gòu)和精確的參數(shù)調(diào)節(jié)，完全可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、可控的負(fù)脈沖輸出。本文將系統(tǒng)探討信號發(fā)生器如何發(fā)負(fù)脈沖，從原理、實(shí)現(xiàn)方案到調(diào)試技巧，幫助工程師更好地理解與應(yīng)用此項(xiàng)技術(shù)。一、理解負(fù)脈沖的基本原理負(fù)脈沖指的是在某一時(shí)間段內(nèi)，輸出電壓低于基準(zhǔn)電平或零電平，形成的“向下跳躍”的信號。與正脈沖相反，負(fù)脈沖的形成需要電路中提供一種反向的電壓變化。其原理主要依賴于雙極性信號源或單極性信號源配合特定的電路轉(zhuǎn)換技術(shù)。負(fù)脈沖的特點(diǎn)在于其短暫性和瞬時(shí)性，要求信號具有高速上升與下降時(shí)間，以確保測量精度。二、實(shí)現(xiàn)負(fù)脈沖的方法及電路設(shè)計(jì)思路使用雙極性信號源直接的方法是借助雙極性信號發(fā)生器，它內(nèi)部集成了正負(fù)兩個電壓通道，可以通過編程控制其中一個通道產(chǎn)生負(fù)脈沖。此類設(shè)備普遍支持多種脈沖寬度和幅度調(diào)整，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的負(fù)脈沖輸出。利用單極性信號源和偏置電路在單極性信號源條件下，可以引入偏置電路來實(shí)現(xiàn)負(fù)脈沖的生成。一種常用方式是通過運(yùn)算放大器和反相器電路，將信號延伸到負(fù)電壓范圍。具體操作中，設(shè)定一個合適的偏置電壓，當(dāng)需要發(fā)出負(fù)脈沖時(shí)，改變偏置狀態(tài)，使輸出電壓在負(fù)區(qū)間瞬間跳變。電子開關(guān)與脈沖產(chǎn)生芯片集成的脈沖發(fā)生芯片或電子開關(guān)也能實(shí)現(xiàn)負(fù)脈沖。通過控制開關(guān)的導(dǎo)通與截止，可以在電路中形成快速切換的負(fù)脈沖輸出。例如，使用市售的高速M(fèi)OSFET開關(guān)與外部定時(shí)電路結(jié)合，產(chǎn)生穩(wěn)定的負(fù)脈沖信號。三、調(diào)試與優(yōu)化負(fù)脈沖的關(guān)鍵技巧調(diào)整脈沖寬度與幅值：使用示波器實(shí)時(shí)觀察輸出波形，確保脈沖高度與寬度符合測試要求。必要時(shí)調(diào)整信號源參數(shù)或調(diào)節(jié)偏置電壓。控制上升/下降時(shí)間：采用高速器件和合理的電路布局，降低寄生電容與電感對信號的影響，以獲得清晰、鋒利的負(fù)脈沖。避免反向偏差與尖峰干擾：在設(shè)計(jì)中加入濾波器或緩沖電路，減少由電源噪聲或寄生電容引起的干擾，保證信號的穩(wěn)定性。機(jī)械與電氣安全：在高電壓或高頻應(yīng)用中，確保合理的絕緣與接地措施，防止電氣事故發(fā)生。四、應(yīng)用與擴(kuò)展發(fā)出負(fù)脈沖的信號發(fā)生器廣泛應(yīng)用于自動控制系統(tǒng)調(diào)試、通信信號調(diào)制、抗干擾測試以及各種電子設(shè)備的仿真模擬中。工程師還可以結(jié)合數(shù)字控制技術(shù)，通過微控制器或FPGA實(shí)現(xiàn)定制化的負(fù)脈沖生成策略，從而滿足更復(fù)雜的測試環(huán)境需求。信號發(fā)生器發(fā)負(fù)脈沖涉及電路設(shè)計(jì)、參數(shù)調(diào)節(jié)及性能優(yōu)化等多個方面，只有理解其基本原理并掌握實(shí)用技巧，才能在實(shí)際工作中得心應(yīng)手。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，未來的信號發(fā)生器將朝著更高速度、更寬頻帶、更控制方向演進(jìn)，積極探索負(fù)脈沖的多樣化生成方式亦將成為電子工程領(lǐng)域的重要課題。

2022-09-06 11:12:31NRE-4000型RIE-HCP系統(tǒng): NANO-MASTER NRE-4000 型RIE-HCP系統(tǒng)，用于高速刻蝕硅、SiO2和Si3N4基片，通過配套HCP高密度中空陰極等離子源，系統(tǒng)可以支持RIE和RIE-HCP 應(yīng)用，提供廣泛的應(yīng)用。眾多的優(yōu)勢配置，使得NRE-4000 型系統(tǒng)具有許多優(yōu)勢：? 超高的薄膜均勻性? 良好的粘附力? 超凈的沉積（高真空支持）? 出色的工藝控制? 高度的可重復(fù)性（計(jì)算機(jī)全自動工藝控制）? 易使用（可直接調(diào)用編好的工藝程序）? 運(yùn)行可靠（所有核心組件均帶有保護(hù)）? 低維護(hù)（完整的安全互鎖）? 高、低溫基片樣品臺? 小的占地面積26”x44”? 全自動工藝控制01. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 HCP源NANO-MASTER HCP 源為雙腔室淋浴頭平面離子源，均勻氣流分布、高離子密度（可達(dá)1011量級）、低等離子溫度、低等離子勢能、低腔體占空比，使該系統(tǒng)具有等離子分布均勻、生長速率高、薄膜損傷低、Cycle時(shí)間快、薄膜純度高的優(yōu)勢。無石英視窗腐蝕問題。反應(yīng)氣體如O2、N2、H2和氟基氣體從等離子源上方引入。下游 HCP 等離子源為中空陰極類型，可獨(dú)立控制實(shí)現(xiàn)高離子密度，同時(shí)通過獨(dú)立的等離子源電源實(shí)現(xiàn)樣品臺的低能量控制，實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕。02.產(chǎn)品優(yōu)勢之刻蝕工藝通過我們的工藝和設(shè)備設(shè)計(jì)，通過不同的等離子源的控制方案，可以組合支持三種刻蝕模式，即RIE完全各向異性刻蝕、HCP各向同性刻蝕，以及HCP和RIE的高密度各向同性刻蝕。因此系統(tǒng)可以用于圖形刻蝕、去膠、清洗、表面活化、表面改性、深孔清洗等多種應(yīng)用。通過氟基氣體的使用，系統(tǒng)在RIE模式下進(jìn)行刻蝕，SiO2的刻蝕速率大約在30nm/min。增加HCP后以RIE-HCP模式進(jìn)行刻蝕，刻蝕速率可以高達(dá)100nm/min左右。03. 產(chǎn)品優(yōu)勢之腔體設(shè)計(jì)NANO-MASTER采用緊湊型優(yōu)化設(shè)計(jì)的22”陽極氧化鋁，帶氣動升降頂蓋的腔體設(shè)計(jì)，通過計(jì)算機(jī)一鍵實(shí)現(xiàn)頂蓋的開啟和閉合，便于樣片的放入取出以及腔體的維護(hù)，并且避免機(jī)械摩擦造成的腔門磨損問題。氣體通過無繞曲設(shè)計(jì)的不銹鋼管路通過HCP 源進(jìn)入腔體。超凈的陽極氧化鋁腔體可以兼容百級超凈間使用。觀察視窗位于下腔體，可實(shí)時(shí)觀察腔體內(nèi)的等離子情況。04. 產(chǎn)品優(yōu)勢之樣品臺NRE-4000帶RF 的偏壓樣品臺，用于產(chǎn)生高電壓的自偏壓。樣品臺可支持大尺寸基片的刻蝕（我們可以提供1.5m直徑的大尺寸基片刻蝕）。對于430mm直徑的樣片，我們配套17”的陽極氧化鋁樣品臺，對氟基氣體以及其它常規(guī)氣體惰性，可以直接放置基片到樣品臺，而無需片托。樣品臺為電隔離的水冷設(shè)計(jì)，工藝期間不會出現(xiàn)RF隨冷卻劑泄露而導(dǎo)致功率衰減的問題，確?？涛g工藝的穩(wěn)定性。在去邊5mm的情況下達(dá)到優(yōu)于+/-5%的刻蝕均勻性。如果選配Auto L/UL，樣品臺可升級為帶頂針升降機(jī)制的樣品臺，可從預(yù)真空臂自動傳輸樣片。05. 產(chǎn)品優(yōu)勢之真空系統(tǒng)（分子泵已選配）NANO-MASTER 普法HiPace700 型抗腐蝕渦輪分子泵，超低維護(hù)率，160 ISO-K 接口，抽速可達(dá)680L/Sec。串接普法2021C1型機(jī)械泵，帶Fombline泵油，可支持氟基氣體和氧氣等活性氣體使用。采用真空直連設(shè)計(jì)，分子泵和腔體之間具有優(yōu)異的真空傳導(dǎo)率。系統(tǒng)可以在 8小時(shí)內(nèi)達(dá)到極限真空（5x10-7Torr），20 分鐘可達(dá)到10-6Torr 量級的高工藝真空。系統(tǒng)通過計(jì)算機(jī)直接控制渦輪分子泵的渦輪速度，可以實(shí)現(xiàn)工藝腔體下游壓力的全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。雙真空計(jì)配置，Baratron真空計(jì)用于工藝壓力的實(shí)時(shí)監(jiān)測，另外Inficon冷離子真空計(jì)用于本底真空測量，真空讀數(shù)實(shí)時(shí)顯示在監(jiān)控屏幕上，通過圖表和數(shù)字兩種方式可以查看實(shí)時(shí)真空和真空趨勢曲線。06. 產(chǎn)品優(yōu)勢之氣流分布淋浴頭氣流分布，三個獨(dú)立的氣體管路跟淋浴頭相連無繞曲的氣體管路設(shè)計(jì)。五路氣體包含SF6，CF4，CHF3，O2和Ar，每路氣體包含柜體內(nèi)的不銹鋼氣體管路、氣動截止閥和MFC質(zhì)量流量控制器，通過計(jì)算機(jī)可以實(shí)現(xiàn)全自動精確的流量控制。氣體管路通過VCR和VCO連接，氣體管路采用N2氣體吹掃。其中CF4和O2可以用于腔體的等離子自動清洗。07. 產(chǎn)品優(yōu)勢之等離子源電源系統(tǒng)配套兩套NANO-MASTER等離子源電源，跟NANO-MASTER系統(tǒng)具有優(yōu)異的結(jié)合性能。兩套電源均為1KW的功率，13.56MHz頻率，均配套自動調(diào)諧器。其中一套電源配套自動調(diào)諧器用于樣品臺偏壓，可實(shí)現(xiàn)RIE刻蝕。第二套電源帶自動調(diào)諧器用于HCP等離子源，用于產(chǎn)生高密度等離子。兩套電源可獨(dú)立控制，實(shí)現(xiàn)等離子密度和等離子能量的分開控制。支持多種模式的刻蝕。08. 產(chǎn)品優(yōu)勢之控制系統(tǒng)系統(tǒng)通過Labview軟件和20”觸屏監(jiān)控屏幕提供友好的操作界面，通過計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)全自動的工藝控制，使得該RIE-HCP系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。完全的安全互鎖，四級密碼授權(quán)訪問保護(hù)，包含:操作者（運(yùn)行菜單）、工程師（獨(dú)立控制子系統(tǒng)及菜單開發(fā)）、工藝工程師(編寫程序)、維護(hù)，菜單驅(qū)動。真空、氣流、分子泵速度、偏壓、閥門狀態(tài)等各工藝參數(shù)實(shí)時(shí)顯示。Engineering Mode界面系統(tǒng)支持不限數(shù)量的工藝程序，每一個工藝可以支持1-100個工藝步驟。在工藝工程師模式下，用戶可以根據(jù)自己的需要編輯多步驟的程序，每個步驟均可設(shè)定各個氣體的使用/停用，以及流量大小，可以分別設(shè)置兩個等離子源電源的各自功率以及啟用/關(guān)閉狀態(tài)，可分別使用單獨(dú)使用，也可以同時(shí)使用。此外，可以設(shè)定工藝的目標(biāo)壓力以及是否啟用調(diào)節(jié)。Service Mode界面用戶可以在維護(hù)模式下，對系統(tǒng)進(jìn)行手動模式的調(diào)試，可以用于開發(fā)工藝程序。其中任意一個參數(shù)均可獨(dú)立調(diào)節(jié)。系統(tǒng)提供兩種模式調(diào)節(jié)腔體的工藝真空：設(shè)定目標(biāo)壓力，或者設(shè)定分子泵的目標(biāo)轉(zhuǎn)速。整個系統(tǒng)只需要按照字段輸入想要調(diào)試的內(nèi)容值即可，具備簡便的操作。09. 產(chǎn)品優(yōu)勢之系統(tǒng)設(shè)計(jì)系統(tǒng)提供緊湊型的設(shè)計(jì)，占地面積緊湊，性能出色，控制先進(jìn)，全面的安全保障。先進(jìn)的設(shè)計(jì)，確保了系統(tǒng)緊湊的同時(shí)維持了高品質(zhì)的性能。對于NRE-4000 型系統(tǒng)，左側(cè)為氣路和真空相關(guān)的配置，右側(cè)為控制和儀表的配置。10. 產(chǎn)品優(yōu)勢之案例以下為我們的RIE系統(tǒng)（不帶HCP）的對硅和銦鎵砷的刻蝕案例。Si的RIE刻蝕InGaAs的RIE刻蝕11. 產(chǎn)品優(yōu)勢之客戶列表Air Force, OHPeking University,Beijing, ChinaBeijing Institute of Technology, Beijing, ChinaNanjing University, Nanjing, ChinaJilin Jianzhu University, Jilin, ChinaNREL, Golden, COAnhui Normal University, Wuhu, Anhui ChinaHKPC, Hong KongDalian University of Technology，Dalian，ChinaMotorola, Austin, TXIBM, Yorktown, Hts., NYShenzhen advanced technology research institute，Shenzhen，ChinaTanner Research, Pasadena, CAXi’an Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS，Xi’an，ChinaAdvance Material Research Center SIRIM Bhd, MalaysiaJiangsu University, Zhenjiang, ChinaGE Global Research, Niskayuna, NYShanghai institute of silicate technology，Shanghai，ChinaSITAR, Bangalore, IndiaBaoji University, Shaanxi, ChinaWuhan Academy of Agricultural Sciences, Hubei, China3M, St Paul, MNIMRE, SingaporeSichuan University, Chengdu, ChinaXi’an 771 Institute, Xi’an, ChinaARACA, Tucson, AZST Microelectronics, Carrolton, TXCRS, Hong Kong, ChinaNASA, Hampton, VAnanoCoolers, Austin, TXShanghai Jiaotong University, Shanghai, ChinaSouth China University of Technology，Guangzhou，ChinaTOTAL, Palaiseau Cedex, FranceUniversidad Pais Vasco, Leioa, Spain……