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2025-01-10 17:05:18無損檢測標準: 無損檢測標準是指在不對被檢測對象造成損害的前提下，通過特定的技術和方法對其內部或表面缺陷進行檢測的一系列規(guī)范和準則。這些標準涵蓋了各種無損檢測技術的操作程序、設備要求、人員資質、結果評定等方面，確保了檢測結果的準確性和可靠性。無損檢測標準在航空航天、機械制造、石油化工等領域有著廣泛的應用，對于保障產(chǎn)品質量和安全具有重要意義。常見的無損檢測方法包括超聲檢測、射線檢測、磁粉檢測、滲透檢測等，每種方法都有其特定的標準和規(guī)范。

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廣東省農(nóng)業(yè)標準化協(xié)會發(fā)布果柚類近紅外無損檢測法對相關儀器有什么新挑戰(zhàn)

廣東省農(nóng)業(yè)科學院設施農(nóng)業(yè)研究所等單位提出的團體標準《柚子內部品質無損檢測可見/近紅外光譜方法》已完成征求意見稿。為保證團體標準的科學性、實用性、可操作性，現(xiàn)向社會公開征求意見。

687
2024-01-24
廣東省農(nóng)業(yè)協(xié)會無損檢測標準儀器行業(yè)發(fā)展
快速可靠的新一代全二維面探殘余應力分析儀再獲業(yè)界認可！日本無損檢測協(xié)會正式頒布全球cosα殘余應力無損檢測標準

 Quantum Design中國子公司 159
2022-05-05

無損檢測標準文章

渦流探傷儀無損檢測標準

本文將詳細介紹渦流探傷儀在無損檢測中的標準要求，解析其工作原理、應用范圍及相關的檢測技術標準。通過了解渦流探傷儀的標準規(guī)范，相關行業(yè)人員能夠更加高效、準確地進行設備檢測與質量控制，從而確保產(chǎn)品的安全性與可靠性。

郭林 202
2024-12-31

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無損檢測標準問答

2023-10-13 15:12:24檢測標準查新、確認、驗證程序: 1.1 按照《實驗室資質認定評審準則》第5.3.2款的要求，為及時、有效地獲得最新標準，以確保實驗室在最短的時間內維持使用標準的最新有效版本，需定期進行標準查新。 1.2 對查新的標準進行確認和驗證是為了證明實驗室是否能夠達到方法需要的操作水平，也就是說，要辨別新、舊標準內容是否存在差異，從人員資質能力、儀器設備配置、操作方法、試劑材料、環(huán)境設施條件等方面進行分析，并建立確認記錄，以提供能夠使用該方法的客觀依據(jù)。如果新標準與舊標準不僅僅是文字上的修改而涉及到技術指標、儀器設備、操作方法等的變更，實驗室應該在確認時進行試驗驗證并記錄。

2021-07-20 17:14:48EDX9000A 無損測定無損測定 Ni-Mn-Co 催化: EDXRF 能量色散熒光光譜儀 EDX9000A 無損測定 Ni-Mn-Co 催化劑合金成分使用一系列已知Ni、Mn、Co含量的催化劑合金片標準樣品，在能量色散X射線熒光光譜儀EDX9000A上直接測量Ni-Mn-Co的特征X射線強度，并比較含量Ni、Mn 和 Co 及其特征 X 射線強度擬合并建立工作曲線。測量未知樣品時，利用測得的 Ni、Mn 和 Co 的特征 X 射線強度，通過工作曲線獲得 Ni、Mn 和 Co 的含量。采用EDXRF法測定Ni-Mn-Co催化劑合金中Ni、Mn、Co的含量范圍分別為65%~88%、10%~35%、1%~10%，測定Ni、Mn、Co（n=6）精度分別為0.3%、1%、4%

2023-06-26 14:52:50無損無接觸定量評價！GaN晶體質量評估新思路——ODPL法！: 隨著疫情三年的結束，大家又開始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng)，生活的壓力讓人喘不過氣。更別提出行的時候，還需要背一個很沉的電腦，以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器！有沒有一種東西，能夠讓大家的出行變得更加輕松（物理上）？那必須是現(xiàn)在越來越流行的氮化鎵（GaN）充電器了！一個氮化鎵充電器幾乎可以滿足所有出行充電的需求，并且占地空間小，簡直是出行神器！圖1 氮化鎵（GaN）充電器氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，一種直接能隙（direct bandgap）的半導體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場強度和高電子飽和速度等特點，其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗，大大提升電力器件集成度，簡化了電路設計和散熱支持，具有重要的價值和廣泛的應用，是現(xiàn)在最火熱的第三代半導體材料，沒有之一。GaN的應用不止在流行的充電器上，早在2014年日本科學家天野浩就憑借基于GaN材料的藍光LED獲得了諾貝爾獎。不過GaN就沒有缺點了嗎？或者說GaN沒有改善的地方了嗎？并不是， GaN技術的難點在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無法從自然界中直接獲取，所以GaN的主要制備方法是在藍寶石、碳化硅、硅等異質襯底上進行外延。而現(xiàn)在由異質外延生長的GaN普遍存在大量缺陷的問題。缺陷的存在勢必會影響到晶體的質量，從而影響到材料和器件的電學性能，最終影響到未來半導體科技的快速發(fā)展。因此，降低GaN晶體里面的缺陷量，提高晶體質量，是當前第三代半導體領域研究很重要的一個課題。GaN晶體質量/缺陷評估的方法GaN晶體里面的雜質、缺陷是非常錯綜復雜的，無法單純通過某一項缺陷濃度或者雜質含量來定量描述GaN晶體是否是高質量，因此現(xiàn)在評價GaN晶體質量的手段比較有限。根據(jù)現(xiàn)有的報道，大致有以下幾種：多光子激發(fā)光致發(fā)光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，簡稱MPPL）、蝕坑觀察法（Etch pit method）以及二次離子質譜（Secondary-ion mass spectrometry，簡稱SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長波長激發(fā)，遠大于帶邊熒光波長。激發(fā)過程需要同時吸收二個或者多個光子。通過吸收多個脈沖光子，在導帶和價帶形成電子空穴對，隨后非輻射馳豫到導帶底和價帶頂,最后產(chǎn)生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強，改變入射光斑的位置，從而得到樣品的熒光信號三維分布，即三維成像。多光子熒光三維成像技術可以識別和區(qū)分不同類型的位錯，但是無法定量評估GaN的晶體質量，而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過適當?shù)那治g可以看到位錯的表面露頭，產(chǎn)生比較深的腐蝕坑，借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯多少及其分布。該方法只適合于位錯密度低的晶體，如果位錯密度高，蝕坑互相重疊，就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對晶體有損傷的，做不到無損無接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術SIMS是利用質譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進行包括氫在內的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結構的信息。二次離子質譜儀具有ppm量級的靈敏度，最高甚至達到ppb的量級，還具有進行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對晶體有損傷，無法做到無損。圖4 SIMS技術以上三種技術均是評估GaN晶體缺陷的方法，但是每一種都有其缺憾的地方，它們無法做到定量的去評價GaN晶體的質量，而且具有破壞性。為了更好地定量評估GaN晶體質量，濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)（Omnidirectional Photoluminescence，以下簡稱ODPL），該系統(tǒng)是第一個無損無接觸定量去評價GaN晶體質量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首個無接觸無損評價半導體材料晶體質量的方法，通過積分球法測量半導體材料、鈣鈦礦材料的內量子效率。該產(chǎn)品可以直接測量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測量指的是晶體的PLQY，即光致發(fā)光量子效率，其定義為：PLQY = 樣品發(fā)射的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最常見的參數(shù)之一，對于絕大多數(shù)的發(fā)光材料，PLQY都是黃金標準。但是對于GaN晶體，PLQY的表征顯得不足。上圖可見，GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀，這是由于GaN晶體中的缺陷等，會將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射（光子回收Photon Recycling現(xiàn)象）。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因為存在Photon Recycling的現(xiàn)象，GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉化效率，而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉化效率的定義是其真正的內量子效率：IQE = 樣品產(chǎn)生的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖8 GaN樣品的標準發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現(xiàn)象以后的參數(shù)，更能直觀、定量反映GaN晶體的質量。圖9 高IQE和低IQE晶體的對比高IQE的GaN晶體通常表現(xiàn)為：高載流子濃度、低穿透位錯密度、低雜質濃度、低點缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯密度晶體的IQE結果對比免費樣機預約ODPL現(xiàn)在ODPL樣機開放免費預約試用活動，有意向的客戶請在評論區(qū)留言“樣機試用”小編看到之后會第一時間與您聯(lián)系，樣機數(shù)量有限，先到先得喲~圖11 ODPL樣機展示以上有關新品的信息已經(jīng)全部介紹完畢了，如有任何疑問，歡迎在評論區(qū)留言喲。

2022-07-26 16:37:08食品包裝袋拉力試驗機檢測標準及測試過程: 什么是塑料薄膜拉伸試驗？主要是指沿塑料薄膜試樣縱向主軸恒速拉伸，直到斷裂或應力（負荷）或應變（伸長）達到某一預定值，測量在這一過程中試樣承受的負荷及伸長。塑料拉力試驗機也被稱為塑料拉力測試儀，塑料薄膜拉力測試機、塑料拉力機、較好材料試驗機。參考標準:GB1040-70 塑料抗拉屈服強度標準GB1040-79 塑料拉伸試驗方法試驗設備：賽成自主研發(fā)的XLW-H 智能電子拉力試驗機試驗試樣1）形狀試樣定為，寬度10mm~25mm，長度不小于150mm長條試樣中間部位有間隔50mm的兩條平行標線。2）注意有些薄膜材料斷裂時有很高的伸長量，可能超過拉力試驗機的行程限度，那么這個時候，可以把夾具間的初始距離減少到50mm。下圖試樣用于斷裂應變很高的塑料薄膜下圖試樣用于硬質片材其他類型的軟質熱塑性片材在每個塑料薄膜試樣中部距離標距每端5 mm以內測量寬度b和厚度h。寬度b較好至0. 1mm，厚度h較好至 0. 02 mm。記錄每個試樣寬度和厚度的較大值和較小值,并確保其在相應材料標準的允差范圍內。計算每個試樣寬度和厚度的算術平均值,以便用于其他計算。試驗步驟設置拉伸試驗速度，根據(jù)塑料拉伸試驗標準中規(guī)定的試驗速度。一般薄膜速度為5mm/min，50mm/min,100mm/min,200mm/min,300mm/min或500mm/min。進行塑料薄膜試驗時候，試樣不能承受支承或承受引伸計重量。安裝好塑料薄膜的拉伸夾具將試樣放到夾具中，務必使試樣的長軸線與試驗機的軸線成一條直線。當使用夾具對中銷時，為得到準確對中，應在緊固夾具前稍微繃緊試樣,然后平穩(wěn)而牢固地夾緊夾具，以防止試樣滑移。電腦軟件設置好拉伸的速度、停機大力值范圍等參數(shù)。點擊開始試驗、等塑料薄膜被拉斷試驗機停止工作。保存好試驗數(shù)據(jù)或打印數(shù)據(jù)供生產(chǎn)參考使用。以上關于拉力試驗機物理機械性能檢驗的內容，塑料制品的質量要好就需要做機械性能測試。如果產(chǎn)品拉伸能力差，則在使用的時候會很容易出現(xiàn)破裂、損壞現(xiàn)象。濟南賽成儀器一直致力于為大部分國家客戶提供高性價比的整體解決方案，公司的核心宗旨就是持續(xù)創(chuàng)新，打造高精尖檢測儀器，滿足行業(yè)內不同客戶的品控需求，期待與行業(yè)內的企事業(yè)單位增進交流和合作。賽成儀器，賽出品質，成就未來！

2021-06-07 16:41:29MK-1000全自動無損密封試驗儀: MK-1000無損密封性測試儀，又稱真空衰減法檢漏儀，采用非破壞性測試方法，也稱為真空衰減法，專業(yè)適用于安瓿瓶、西林瓶、注射劑瓶、凍干粉針劑瓶和預灌封包裝樣品的微泄漏檢測。產(chǎn)品特征采用非破壞性檢測方法對成品包裝進行微泄漏檢測，測試后樣品無損傷不影響正常使用，有效降低了測試成本用于檢測微小漏孔，也可鑒別大漏孔樣品，系統(tǒng)根據(jù)泄漏情況自動判斷合格與不合格真空衰減法精度可達0.21ccm（大約5微米）應用范圍廣，針對不同樣品可選配對應的測試腔，用戶可輕松更換試驗結束自動打印測試結果，無需人工參與，保證數(shù)據(jù)準確性與客觀性；10寸彩色觸摸屏，人性化操作更便捷配備微型打印機，USB數(shù)據(jù)接口，支持PC軟件測控運行，mbar、Pa單位互換自動保存歷史試驗記錄，本地查詢，并可導出EXCEL格式保存用戶分級權限設置，滿足GMP要求、測試記錄審計、追蹤功能測試標準該儀器符合多項國家和國際標準：YY/T 0681.18-2020:《無菌醫(yī)用器械包裝試驗方法第18部分：用真空衰減法無損檢驗包裝泄漏》、ASTM F2338-13 包裝泄漏的標準檢測方法-真空衰減法、SP1207美國藥典標準測試應用基礎應用適用于安瓿瓶、西林瓶、注射劑瓶、凍干粉針劑瓶和預灌封包裝樣品的微泄漏檢測技術指標指標參數(shù)屏幕尺寸10英寸觸摸屏真空度低至10Pa優(yōu)良真空精　　度0.25級檢測孔徑精度5 μm測試腔尺寸、種類根據(jù)試樣特殊定制真空來源真空泵測試系統(tǒng)雙傳感器技術外形尺寸470 mm (L) × 360 mm (B) × 300 mm (H)電源AC 220 V 50 Hz凈　　重12 kg產(chǎn)品配置標準配置：主機、真空泵、測試腔1套（按需求定制）選購件：微型流量校準器、陽性試樣、不同規(guī)格測試腔