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2025-01-10 10:52:35輻照滅菌生物指示劑: 輻照滅菌生物指示劑是用于監(jiān)測輻照滅菌效果的工具。它采用特定微生物孢子，這些孢子對(duì)輻照滅菌條件敏感，能夠準(zhǔn)確反映滅菌過程的有效性。該指示劑廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、制藥及食品處理等領(lǐng)域，確保產(chǎn)品經(jīng)過輻照滅菌處理后達(dá)到無菌狀態(tài)。其具有高可靠性、使用方便和結(jié)果準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，是評(píng)估輻照滅菌過程有效性的重要工具之一。

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輻照滅菌生物指示劑問答

2022-07-13 10:35:20OHSP-350UVS紫外輻照計(jì)定制波長180-450nm: OHSP-350UVS紫外輻照計(jì)可測量參數(shù)： 1. 紫外危害輻照度(mW/m2); 2. UVA輻照度(mW/m2); 3. UVB輻照度(mW/m2); 4. UVC輻照度(mW/m2); 5. Euv輻照度(mW/m2); 6. Eb藍(lán)光輻照度(mW/m2); 7. Eg綠光輻照度(mW/m2); 8. Ec自定義輻照度(mW/m2); 9. 輻射照度 Ee（W/m2）; 10. 主波長; 11. 峰值波長; 12. 中心波長; 13. 質(zhì)心波長; 14. 半寬度; 15. 更多功能參數(shù)可定制OHSP-350UVS紫外輻照計(jì)技術(shù)參數(shù)：OHSP-350UVS紫外輻照計(jì)優(yōu)點(diǎn)： ◆體積小，重量輕，便于攜帶； ◆長焦交叉非對(duì)稱 CT 分光系統(tǒng)具有良好的測量線性和測量準(zhǔn)確度； ◆集光譜、照度/亮度、色度等測量功能于一體； ◆自主研發(fā)操作系統(tǒng)，界面友好，操作簡單順暢； ◆自動(dòng)溫漂校零技術(shù)，無需在使用前進(jìn)行校正零位，無需擔(dān)心使用中溫度漂移導(dǎo)致測試結(jié)果失準(zhǔn)；

2023-06-21 13:55:48《Small》：精確調(diào)控樣品磁性！氦離子輻照改善磁疇壁動(dòng)力學(xué): 近年來，人們在不斷探索新型低能耗，高存儲(chǔ)密度的新型磁存儲(chǔ)材料。特別是對(duì)于磁疇壁動(dòng)力學(xué)、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人員的目光。隨著研究的深入，制備出具有特定磁各項(xiàng)異性的材料并且進(jìn)行精細(xì)的調(diào)控變的尤為重要。在對(duì)樣品特性精細(xì)調(diào)控的技術(shù)中，利用氦離子輻照是對(duì)樣品無損壞的一種高精度手段。氦離子輻照具有精度高、均勻性好、條件更加靈活、易于控制等優(yōu)勢，與其它改性方法相比，有利于器件或集成電路的大規(guī)模生產(chǎn)?；诖耍▏鳶pin-Ion 公司經(jīng)多年研發(fā)推出離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新的離子束技術(shù)，可以通過超緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，使其能夠在原子尺度上加工材料，并通過離子束工藝來調(diào)控薄膜和異質(zhì)結(jié)構(gòu)。設(shè)備一經(jīng)推出，便受到廣大科學(xué)家的關(guān)注，截止目前已有20多家科研和工業(yè)用戶以及合作伙伴使用該技術(shù)，國內(nèi)也在北航和復(fù)旦等高校安裝該系統(tǒng)，其獨(dú)有的技術(shù)正受到來自相關(guān)科研圈和工業(yè)領(lǐng)域越來越多的認(rèn)可。近期，來自于法國格勒諾布爾-阿爾卑斯大學(xué)CNRS-Institut Néel實(shí)驗(yàn)室的Stefania Pizzini團(tuán)隊(duì)聯(lián)合法國Spin-Ion Technologies公司的兩名工程師利用離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?對(duì)Pt/Co/AlOx磁性薄膜進(jìn)行了磁性調(diào)控研究。文章以“Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation”為題發(fā)表在Small上。氦離子輻照量對(duì)樣品的磁各向異性的影響文章討論了使用離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?對(duì)Pt/Co/AlOx三層膜的磁性能產(chǎn)生的影響。研究人員發(fā)現(xiàn)，氦離子輻照可以改善Néel磁疇壁的動(dòng)力學(xué)和斯格明子的穩(wěn)定性。輻照可以降低垂直磁各向異性（PMA），而不影響界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）的強(qiáng)度。這使得磁疇壁可以在較低的磁場下達(dá)到更大的速度。該研究表明，將PMA與DMI分離對(duì)于基于磁疇壁動(dòng)力學(xué)的低能耗設(shè)備的設(shè)計(jì)是有益的。同時(shí)，輻照還可以調(diào)節(jié)斯格明子的大小和穩(wěn)定性，使其更加穩(wěn)定并且可以在更高的磁場下存在。這些結(jié)果表明氦離子輻照可以對(duì)基于磁疇壁動(dòng)力學(xué)和斯格明子的低能耗設(shè)備的設(shè)計(jì)產(chǎn)生積極影響。氦離子輻照量對(duì)樣品的磁疇壁和斯格明子的影響該項(xiàng)工作中使用的離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?已經(jīng)成為磁性薄膜研究與性能調(diào)控的重要手段。該系統(tǒng)可以對(duì)直徑1英寸的晶圓進(jìn)行掃描輻照，具有精度高，可控性好等特點(diǎn)。應(yīng)用領(lǐng)域：? 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)：自旋轉(zhuǎn)移矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(STT-MRAM)，自旋軌道矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(SOT-MRAM)，磁疇壁磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(DW-MRAM)等；? 自旋電子學(xué)：斯格明子，磁性隧道結(jié)，磁傳感器等；? 磁學(xué)相關(guān)：磁性氧化物，多鐵性材料；? 其他方向：薄膜改性，芯片加工，仿神經(jīng)器件，邏輯器件等。產(chǎn)品特點(diǎn)：? 可通過超緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，通過氦離子輻照可精確調(diào)控磁性薄膜或晶圓的磁學(xué)性質(zhì)。? 可提供能量范圍：1-30 keV的He+離子束? 采用創(chuàng)新的電子回旋共振（ECR）離子源? 可對(duì)25 mm的試樣進(jìn)行快速的均勻輻照（幾分鐘）? 超緊湊的設(shè)計(jì)，節(jié)省實(shí)驗(yàn)空間? 可與現(xiàn)有的超高真空設(shè)備互聯(lián)離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S? 測試數(shù)據(jù)：調(diào)控界面各向異性性質(zhì)和DMI 低電流誘發(fā)的SOT轉(zhuǎn)換獲取控制斯格明子和磁疇壁的動(dòng)態(tài)變化用戶單位已經(jīng)購買該設(shè)備的國內(nèi)外用戶單位：Beihang University (China)Fudan University (China)University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Nanyang Technological University (Singapore)A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany) 文章列表：[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona, J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14;21(7):2989-2996參考文獻(xiàn)：[1]. Cristina Balan, Johannes W. van de Jagt, et al. Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation. Small, 2023. https://doi.org/10.1002/smll.202302039

2022-06-24 13:57:31低場核磁法研究輻照交聯(lián)度: 低場核磁法研究輻照交聯(lián)度交聯(lián)，是指利用特定的技術(shù)手段，在聚合物高分子長鏈之間形成化學(xué)鍵或者圍觀鏹力物理結(jié)合點(diǎn)，從而使聚合物的物理性能、化學(xué)性能獲得改善并有可能引入新的性能。這里的“輻照交聯(lián)度”專指各種核輻射如電子束、γ射線、中子束、粒子束等等，光輻射如紫外光等的應(yīng)用則屬于光化學(xué)領(lǐng)域，也可利用紫外光引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)，稱為光交聯(lián)。聚合物的分子鏈與鏈之間缺乏緊密的結(jié)合力，使得整體材料在經(jīng)受外力及環(huán)境溫度影響時(shí)產(chǎn)生變形或發(fā)生破壞，限制了其應(yīng)用。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用范圍和目的，有必要對(duì)聚合物進(jìn)行改性,交聯(lián)被認(rèn)為是行之有效的方法。聚合物交聯(lián)度一直都是行業(yè)難題,傳統(tǒng)的溶脹法測試精度低、受人為主觀因素較大。在核磁法中,聚合物弛豫衰減曲線隨樣品內(nèi)部組分狀態(tài)的改變而改變,通過核磁弛豫技術(shù)可快速無損獲得交聯(lián)鏈與非交聯(lián)鏈信號(hào)以得到交聯(lián)度。高分子聚合物內(nèi)的溶劑部分流動(dòng)性蕞強(qiáng),衰減最慢;非交聯(lián)段具有一定的分子運(yùn)動(dòng)特性,衰減相對(duì)較慢;而交聯(lián)段所受束縛程度大,分子運(yùn)動(dòng)特性小,衰減較快。相比傳統(tǒng)的SE或CPMG序列采集的不同,采用MSE-CPMG新序列采集時(shí),通過施加組合脈沖使得核磁共振信號(hào)在死時(shí)間范圍內(nèi)來回反轉(zhuǎn)從而盡量維持原始的核磁共振信號(hào)強(qiáng)度,以此實(shí)現(xiàn)更加短的弛豫信息采集,交聯(lián)度的測試準(zhǔn)確性進(jìn)一步提高。低場核磁法研究輻照交聯(lián)度的原理:低場核磁共振分析技術(shù)是利用脈沖激發(fā)材料樣品中的氫質(zhì)子發(fā)生共振,停止脈沖后,氫質(zhì)子發(fā)生弛豫。樣品中處于不同狀態(tài)的氫質(zhì)子的弛豫時(shí)間是不同的。對(duì)其弛豫信號(hào)進(jìn)行檢測分析研究可以直接或者間接檢測材料的某些特性。低場核磁法是利用低場核磁共振分析技術(shù),通過對(duì)烴鏈上的H分子運(yùn)動(dòng)進(jìn)行評(píng)價(jià),根據(jù)弛豫分析模型解析出樣品的交聯(lián)度。測試過程無需化學(xué)品、對(duì)樣品無損,測試速度快,一般3分鐘以內(nèi)即可完成測試。低場核磁共振分析儀的組成核磁交聯(lián)密度儀通常由以下幾部分組成：1)控制單元（控制核心，人機(jī)交互的界面）；2)磁體單元（產(chǎn)生射頻激勵(lì)并收集信號(hào)的部分）；3)樣品腔（測樣部分）。除以上部分，還有溫度控制、電源模塊等；

2023-06-21 13:22:15《Small》：精確調(diào)控樣品磁性！氦離子輻照改善磁疇壁動(dòng)力學(xué)和斯格明子穩(wěn)定性，讓低能耗設(shè)備更高效！: 近年來，人們在不斷探索新型低能耗，高存儲(chǔ)密度的新型磁存儲(chǔ)材料。特別是對(duì)于磁疇壁動(dòng)力學(xué)、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人員的目光。隨著研究的深入，制備出具有特定磁各項(xiàng)異性的材料并且進(jìn)行精細(xì)的調(diào)控變的尤為重要。在對(duì)樣品特性精細(xì)調(diào)控的技術(shù)中，利用氦離子輻照是對(duì)樣品無損壞的一種高精度手段。氦離子輻照具有精度高、均勻性好、條件更加靈活、易于控制等優(yōu)勢，與其它改性方法相比，有利于器件或集成電路的大規(guī)模生產(chǎn)。基于此，法國Spin-Ion 公司經(jīng)多年研發(fā)推出離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新的離子束技術(shù)，可以通過超緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，使其能夠在原子尺度上加工材料，并通過離子束工藝來調(diào)控薄膜和異質(zhì)結(jié)構(gòu)。設(shè)備一經(jīng)推出，便受到廣大科學(xué)家的關(guān)注，截止目前全球已有20多家科研和工業(yè)用戶以及合作伙伴使用該技術(shù)，國內(nèi)也在北航和復(fù)旦等高校安裝該系統(tǒng)，其獨(dú)有的技術(shù)正受到來自相關(guān)科研圈和工業(yè)領(lǐng)域越來越多的認(rèn)可。文章導(dǎo)讀近期，來自于法國格勒諾布爾-阿爾卑斯大學(xué)CNRS-Institut Néel實(shí)驗(yàn)室的Stefania Pizzini團(tuán)隊(duì)聯(lián)合法國Spin-Ion Technologies公司的兩名工程師利用離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?對(duì)Pt/Co/AlOx磁性薄膜進(jìn)行了磁性調(diào)控研究。文章以“Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation”為題發(fā)表在Small上。氦離子輻照量對(duì)樣品的磁各向異性的影響文章討論了使用離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?對(duì)Pt/Co/AlOx三層膜的磁性能產(chǎn)生的影響。研究人員發(fā)現(xiàn)，氦離子輻照可以改善Néel磁疇壁的動(dòng)力學(xué)和斯格明子的穩(wěn)定性。輻照可以降低垂直磁各向異性（PMA），而不影響界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）的強(qiáng)度。這使得磁疇壁可以在較低的磁場下達(dá)到更大的速度。該研究表明，將PMA與DMI分離對(duì)于基于磁疇壁動(dòng)力學(xué)的低能耗設(shè)備的設(shè)計(jì)是有益的。同時(shí)，輻照還可以調(diào)節(jié)斯格明子的大小和穩(wěn)定性，使其更加穩(wěn)定并且可以在更高的磁場下存在。這些結(jié)果表明氦離子輻照可以對(duì)基于磁疇壁動(dòng)力學(xué)和斯格明子的低能耗設(shè)備的設(shè)計(jì)產(chǎn)生積極影響。氦離子輻照量對(duì)樣品的磁疇壁和斯格明子的影響離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?該項(xiàng)工作中使用的離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?已經(jīng)成為磁性薄膜研究與性能調(diào)控的重要手段。該系統(tǒng)可以對(duì)直徑1英寸的晶圓進(jìn)行掃描輻照，具有精度高，可控性好等特點(diǎn)。應(yīng)用領(lǐng)域：磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)：自旋轉(zhuǎn)移矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(STT-MRAM)，自旋軌道矩磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(SOT-MRAM)，磁疇壁磁性隨機(jī)存儲(chǔ)(DW-MRAM)等；自旋電子學(xué)：斯格明子，磁性隧道結(jié)，磁傳感器等；磁學(xué)相關(guān)：磁性氧化物，多鐵性材料；其他方向：薄膜改性，芯片加工，仿神經(jīng)器件，邏輯器件等。產(chǎn)品特點(diǎn)：可通過超緊湊和快速的氦離子束設(shè)備精確控制原子間的位移，通過氦離子輻照可精確調(diào)控磁性薄膜或晶圓的磁學(xué)性質(zhì)?？商峁┠芰糠秶?-30 keV的He+離子束采用創(chuàng)新的電子回旋共振（ECR）離子源可對(duì)25 mm的試樣進(jìn)行快速的均勻輻照（幾分鐘）超緊湊的設(shè)計(jì)，節(jié)省實(shí)驗(yàn)空間可與現(xiàn)有的超高真空設(shè)備互聯(lián)離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?若您對(duì)設(shè)備有任何問題，歡迎掃碼咨詢！測試數(shù)據(jù)調(diào)控界面各向異性性質(zhì)和DMI低電流誘發(fā)的SOT轉(zhuǎn)換獲取控制斯格明子和磁疇壁的動(dòng)態(tài)變化用戶單位已經(jīng)購買該設(shè)備的國內(nèi)外用戶單位Beihang University (China)Fudan University (China)University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Nanyang Technological University (Singapore)A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany)文章列表[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona, J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. 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2020-03-31 08:57:40酸堿滴定中指示劑的選擇——酚酞篇: 在無機(jī)化學(xué)定量分析中，指示劑法是Z常用的分析方法之一。指示劑的選擇和用量十分關(guān)鍵。在標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的酸堿滴定中主要用的指示劑有2種，分別為溴甲酚綠-甲基紅指示劑和酚酞指示劑。根據(jù)二者的變色范圍，氫氧化鈉標(biāo)準(zhǔn)滴定溶液標(biāo)定鹽酸標(biāo)準(zhǔn)滴定溶液使用兩種指示劑均可，但是若選用溴甲酚綠-甲基紅,終點(diǎn)由暗紅色變?yōu)榫G色（由深到淺），不易于觀察顏色變化；選酚酞,終點(diǎn)由無色變?yōu)闇\粉色（由淺到深）,易于觀察顏色變化，二者相比選酚酞指示劑。表指示劑變色范圍氫氧化鈉反應(yīng)終點(diǎn)顏色鹽酸反應(yīng)終點(diǎn)顏色指示劑的用量也十分關(guān)鍵，指示劑的適量加入可以有效地減少實(shí)驗(yàn)誤差，如果指示劑加入量太少，溶液顏色變化不明顯，不便于觀察反應(yīng)終點(diǎn)；如果指示劑加入量太多，會(huì)使滴定終點(diǎn)溶液的顏色與指示劑的理論變色點(diǎn)的顏色有很大差異，并且由于指示劑為有機(jī)弱酸弱堿，也會(huì)消耗一部分標(biāo)準(zhǔn)滴定溶液，因此，指示劑的加入量過多或過少都會(huì)直接影響滴定終點(diǎn)的正確判斷，給實(shí)驗(yàn)結(jié)果帶來較大的誤差。以0.1mol/L 氫氧化鈉標(biāo)準(zhǔn)滴定溶液標(biāo)定0.1mol/L鹽酸標(biāo)準(zhǔn)滴定溶液為例。表酚酞指示劑的用量和消耗0.1009mol/L 氫氧化鈉標(biāo)準(zhǔn)滴定溶液的體積及所對(duì)應(yīng)的0.1mol/L鹽酸標(biāo)準(zhǔn)滴定溶液濃度通過分析，酚酞指示劑為有機(jī)弱酸，稱酸型指示劑，對(duì)于單色指示劑酚酞在溶液中存在解離平衡，若酚酞的濃度增大，溶液中氫離子濃度也將增大，指示劑就會(huì)在較低的pH時(shí)變色，所以消耗的氫氧化鈉的體積減少。加入酚酞指示劑的用量小于0.02ml時(shí)，由于指示劑的用量太少，臨近終點(diǎn)時(shí)指示劑變色不靈敏，現(xiàn)象不明顯，滴定誤較差大；當(dāng)加入酚酞指示劑的用量為0.06-0.12ml時(shí)，臨近終點(diǎn)時(shí)指示劑變色靈敏，現(xiàn)象十分明顯，滴定誤差較??；隨著指示劑用量的增加，臨近終點(diǎn)時(shí)指示劑變色的靈敏度逐漸降低，現(xiàn)象不明顯，滴定誤差大。同時(shí)此結(jié)果也符合GB/T 601《化學(xué)試劑標(biāo)準(zhǔn)滴定溶液的制備》中規(guī)定的2滴指示劑的量，膠頭滴管1滴的量大約在0.03ml—0.06ml，2滴的量就在0.06-0.12ml左右。所以，在不影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果的情況下，酚酞指示劑的合理靈敏度使用2滴，范圍為0.06-0.12ml。