半導(dǎo)體器件和電路制造技術(shù)飛速發(fā)展，器件特征尺寸不斷下降，而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機(jī)理的分析帶來巨大的挑戰(zhàn)。對于半導(dǎo)體失效分析(FA)而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當(dāng)有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測能力，可偵測到半導(dǎo)體組件中電子－電洞對再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來的光線，能偵測到的波長約在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以廣泛的應(yīng)用于偵測IC 中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下: