InGaN/GaN量子阱光致發(fā)光和電致發(fā)光特性的測試!

測試原理

當(dāng)用大于半導(dǎo)體材料禁帶能量的激發(fā)光源照射到該半導(dǎo)體材料表面時(shí)，就使半導(dǎo)體中電子從價(jià)帶躍遷至導(dǎo)帶，在其表面會(huì)產(chǎn)生過剩的非平衡載流子即電子-空穴對(duì)。它們通過不同的復(fù)合機(jī)構(gòu)進(jìn)行復(fù)合，產(chǎn)生光發(fā)射。溢出表面的發(fā)射光經(jīng)會(huì)聚進(jìn)入單色儀分光，然后經(jīng)探測器接受并放大，得到發(fā)光強(qiáng)度按光子能量分布的曲線,即光致發(fā)光譜。
 

實(shí)驗(yàn)設(shè)備

OmniPL組合式光致發(fā)光和電致發(fā)光測量系統(tǒng)，包含30mWHeCd激光器325nm，Omni-λ500i影像校正光譜儀和PMT，探針樣品臺(tái)等部件，基于客戶的要求，本次系統(tǒng)采?用的空間光路搭建方案。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

1. 光致發(fā)光(PL)光譜測量分別針對(duì)材料的正極(紅色)和負(fù)極(綠色)測試得到光致發(fā)光光譜曲線如下，GaN的本征發(fā)光峰365nm附近以及黃帶，InGaN的發(fā)光峰475nm附近。

2. 電致發(fā)光(EL)光譜測量

將材料的接到直流電源的正負(fù)極，電壓加到2.5V時(shí)可以有明顯的藍(lán)光發(fā)射，測量其電致發(fā)光光譜曲線如下（紅色），峰值在475nm附近。（綠色曲線為另一個(gè)樣品ZnO的PL譜）!

結(jié)論：

OmniPL組合式光譜測量系統(tǒng)可以非常方便快捷的進(jìn)行PL/EL的測試，是一款性價(jià)比非常高的系統(tǒng)；根據(jù)實(shí)際測試的需求，用戶不僅可以選擇空間光路，還可以選擇顯微光路，選裝低溫測量系統(tǒng)，選裝PLmapping測試附件等，擴(kuò)展測量功能，在InGaN/GaN材料研究測試中發(fā)揮重要的作用。