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為了極ng確控制薄膜生長速率,缺陷合并,以及在二維/非二維基底上沉積生長的薄膜結(jié)構(gòu)與形貌,必須需要詳細了解薄膜生長表面發(fā)生的物理化學過程,尤其是均一性,相對濃度和關鍵化學基團的空間分布,以及基底變化和等離子體溫度 海洋光學HR4000CG光譜儀

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