涂膠就是將光刻膠均勻地涂覆在硅片表面。光刻膠的涂覆有滴涂法和自動(dòng)噴除法兩種，前者在工藝和設(shè)備上都比較簡(jiǎn)單，使用也比較廣泛。

 (1)滴膠將硅片固定在WS-650Mz-23NPPB涂膠機(jī)上，在硅片靜止或轉(zhuǎn)速很慢（約100~ 200r/min）時(shí)將光刻膠滴至硅片表面的ZX位置。滴膠量的多少取決于光刻膠的黏度，通常黏度越小形成的光刻膠膜越薄。

(2)旋轉(zhuǎn)鋪開迅速加速至3000~5000r/min的轉(zhuǎn)速，利用高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的離心力，使光刻膠展開在硅片表面，典型的轉(zhuǎn)速是4000r/min。

(3)甩膠降低轉(zhuǎn)速，使多余的光刻膠飛出硅片表面，在硅片表面得到均勻的光刻膠膜覆蓋層。滴在硅片上的光刻膠通常只留下Z多1%的量，其余都飛離了硅片。甩膠之后要進(jìn)行去邊處理。由于快速甩膠時(shí)，整個(gè)涂膠腔體內(nèi)彌漫著溶劑和光刻膠的微粒，一部分光刻膠微粒會(huì)黏附在硅片的底部，在隨后的工藝過程中會(huì)對(duì)其他設(shè)備造成沾污，所以利用位于硅片底部的一個(gè)噴嘴，對(duì)硅片底部進(jìn)行清洗。在快速甩膠結(jié)束后，整個(gè)硅片上分布的是均勻厚度的光刻膠，但在硅片表面的Z外緣一圈，由于氣流的影響，膠層特別厚。在隨后的工藝（如腐蝕或注入等）處理中，為了傳輸或固定，一些設(shè)備中的某些機(jī)構(gòu)會(huì)接觸到硅片表面的邊緣，摩擦?xí)惯吘壍哪z脫落，對(duì)設(shè)備造成顆粒沾污。去邊可分為兩步，底部去邊和頂部去邊。

(4)溶劑揮發(fā)光刻膠中的溶劑會(huì)影響光刻膠的感光性以及粘著性等，故均勻的光刻膠膜形成后，需繼續(xù)旋轉(zhuǎn)硅片，直至溶劑揮發(fā)、光刻膠膜干燥為止。

2．肢膜質(zhì)量要求(1)膠膜的厚度膠膜的厚度應(yīng)符合要求，膜厚要均勻，在膠膜表面看不到干涉花紋。影響膠厚的因素有：

1)硅片的溫度。

2)膠的溫度。

3)環(huán)境溫度和濕度。

4)排風(fēng)量。

5)涂膠程序（預(yù)勻的轉(zhuǎn)速和時(shí)間、快速勻膠的速度、加速度等）。

6)膠本身的黏度。

7)膠量。

8)前烘的溫度時(shí)間及方式。

光刻膠膜的厚度與硅片的轉(zhuǎn)速以及光刻膠的黏度等都有關(guān)系，它們之間的關(guān)系可用下式來描述光刻膠膜厚=艦2肛 (6-1)式中，肘為常數(shù)；三為固體含量百分比；r為轉(zhuǎn)速。

可見，黏度越小，膠膜越薄；轉(zhuǎn)速越快，膠膜越薄。生產(chǎn)中膠膜的厚度一般位于0.5~1¨m之間，整個(gè)硅片上膠膜的厚度差應(yīng)控制在20～5nm之間，而一批硅片之間的膠膜厚度差應(yīng)小于3nm。

溫度和濕度對(duì)于光刻膠膜的均勻性有非常強(qiáng)的影響，涂膠機(jī)的排氣速率也會(huì)影響膠膜厚度及均勻性，這些工藝參數(shù)都需要嚴(yán)加控制。

(2)缺陷光刻膠膜內(nèi)應(yīng)無缺陷，如針孔、回濺斑等?；貫R斑是旋轉(zhuǎn)過程中飛出硅片表面的光刻膠由于力的作用又回到硅片表面淀積下來而形成的。為了避免回濺斑的形成，通常在硅片周圍設(shè)有防回濺設(shè)施。

(3)膜層表面膜層表面應(yīng)無顆粒污染。若涂膠機(jī)的排氣速率太大，則會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)大的氣流使光刻膠過于干燥；反之，若排氣速率太小，氣流則無法將顆粒帶走，會(huì)使其淀積在硅片上而形成表面缺陷。