化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)漿體健康是保持CMP 工藝一致性的重要因素[1-3]。泥漿本身的穩(wěn)定性、外部污染或工藝條件(如壓差、流速、停滯區(qū)域和暴露于空氣)可能會影響泥漿的健康狀況?？梢詼y量許多特性來評估泥漿的健康狀況，包括比重、pH 值、固體質(zhì)量百分比、離子污染水平、zeta 電位和粒度分布(PSD)。這項(xiàng)研究集中于這些特性之一:PSD。市面上有幾種監(jiān)測泥漿PSDs 的儀器，它們具有多種檢測和分析方法。在這項(xiàng)研究中，評估了六種用于監(jiān)測泥漿健康的儀器。比較了兩種分析儀對1μm SiO 存在的檢測能力2 顆粒經(jīng)過不同濃度的這些顆粒被注入到常用的二氧化硅、氧化物CMP 漿料中。該儀器的擾動(dòng)檢測限從小于0.1 mg/lit 到超過1,000 mg/lit，超過四個(gè)數(shù)量級。正如預(yù)期的那樣，用于檢測大粒子存在的光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器(OPCs)比用于測量整個(gè)PSD 的儀器更敏感。