云母介電強(qiáng)度擊穿電壓試驗(yàn)儀D5423 強(qiáng)制對(duì)流試驗(yàn)爐中的電氣絕緣評(píng)估規(guī)范適用材料：橡膠、塑料、薄膜、陶瓷、玻璃、漆膜、樹(shù)脂、電線電纜、絕緣油等絕緣材料

　　測(cè)試項(xiàng)目：擊穿電壓測(cè)試、介電強(qiáng)度測(cè)試、電氣強(qiáng)度測(cè)試、耐電壓擊穿強(qiáng)度測(cè)試等

2.2IEC標(biāo)準(zhǔn)

出版物243-1固體絕緣材料介電強(qiáng)度的試驗(yàn)方法—第1部分：在工業(yè)頻率下測(cè)試6

2.3ANSI標(biāo)準(zhǔn)

C68.1 絕緣測(cè)試技術(shù)，IEEE標(biāo)準(zhǔn)號(hào)47

1本試驗(yàn)方法在ASTM委員會(huì)D09（電子和電氣絕緣材料）的管轄范圍內(nèi)，D09.12分會(huì)（電學(xué)試驗(yàn)）負(fù)直接責(zé)任。

本版本于2013年4月1日被批準(zhǔn)，2013年4月出版。首版于1922年被批準(zhǔn)。上一版為D149-09于2009年被批準(zhǔn)。DOI:10.1520/D0149-09R13。

2Bartnikas, R., 第3章, “高電壓測(cè)量,” 固體絕緣材料的電學(xué)性能,測(cè)量技術(shù), 第IIB卷, 工程電介質(zhì), R. Bartnikas, Editor, ASTM STP 926, ASTM, Philadelphia, 1987。

3Nelson, J. K., 第5章, “固體的電介質(zhì)擊穿,” 固體絕緣材料的電學(xué)性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為, 第IIA??, 工程電介質(zhì), R. Bartnikas和R. M. Eichorn,Editors, ASTM STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983。

4對(duì)于參照的ASTM標(biāo)準(zhǔn)，請(qǐng)查看ASTM網(wǎng)站www.astm。。ｏｒｇ，或聯(lián)系A(chǔ)STM客戶中心，郵件：service@astm.org。對(duì)于ASTM標(biāo)準(zhǔn)卷冊(cè)的信息，參看ASTM網(wǎng)站的標(biāo)準(zhǔn)文件摘錄頁(yè)。

5該歷史標(biāo)準(zhǔn)的批準(zhǔn)版本見(jiàn)網(wǎng)站www.astm。。ｏｒｇ。

6可從國(guó)際電工學(xué)協(xié)會(huì)（IEC）獲得，地址：3 rue deVarembé, Case postale 131, CH-1211, Geneva 20, Switzerland, http://www.iec.ch。

7可從美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)(ANSI)獲得，地址：25 W. 43rd St.,4th Floor, New York, NY 10036, http://www.ansi。。ｏｒｇ。

ASTM D149-2009介電擊穿電壓試驗(yàn)方法

耐電壓擊穿試驗(yàn)儀3. 術(shù)語(yǔ)

3.1定義：

3.1.1介質(zhì)擊穿電壓（電擊穿電壓），名詞：使得位于兩個(gè)電極之間的絕緣材料失去介電性能的電勢(shì)差（參見(jiàn)附錄X1）。

3.1.1.1討論一介質(zhì)擊穿電壓有時(shí)也簡(jiǎn)稱“擊穿電壓”。

3.1.2介電失效（在測(cè)試中），名詞：指在測(cè)試限制的電場(chǎng)條件下，能夠持久由介電電導(dǎo)率上升所證明的情況。

3.1.3絕緣強(qiáng)度，名詞：指在測(cè)試的特定條件下，使得絕緣材料介電失效時(shí)的電壓梯度。

3.1.4電氣強(qiáng)度，名詞：參見(jiàn)絕緣強(qiáng)度。

3.1.4.1討論一在國(guó)際上，“電氣強(qiáng)度”更常用些。

3.1.5閃絡(luò)，名詞：指發(fā)生在絕緣體或絕緣體周圍介質(zhì)的破壞性電火花，不一定對(duì)絕緣體產(chǎn)生損害。

3.1.6其他與固體絕緣體材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)的定義，參見(jiàn)術(shù)語(yǔ)D1711。

耐電壓擊穿試驗(yàn)儀4. 測(cè)試方法概要

云母介電強(qiáng)度擊穿電壓試驗(yàn)儀

高壓驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制，通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式，完成對(duì)絕緣介質(zhì)材料的工頻電壓擊穿，工頻耐壓試驗(yàn)。適   用于對(duì)固體絕緣材料(如：絕緣漆、樹(shù)脂和膠、浸漬纖維制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和玻璃等)在工頻電壓下?lián)舸╇妷海瑩舸?qiáng)度和耐電壓的測(cè)試。絕緣材料耐電壓擊穿測(cè)試儀

電壓擊穿試驗(yàn)儀安全保護(hù)措施功能：

1、試驗(yàn)在試驗(yàn)箱中進(jìn)行，試驗(yàn)箱門(mén)打開(kāi)時(shí)電源加不到高壓變壓器輸入端，即高壓側(cè)無(wú)電壓。100KV測(cè)試設(shè)備高壓電極距離試驗(yàn)箱壁的近距離大于270mm，50KV測(cè)試設(shè)備高壓電極距離試驗(yàn)箱壁的近距離大于250mm，試驗(yàn)時(shí)即使人接觸箱壁也不會(huì)有危險(xiǎn)。

2、設(shè)備要安裝單獨(dú)的保護(hù)地線。接保護(hù)地線，主要是減少試樣擊穿時(shí)對(duì)周圍產(chǎn)生的較強(qiáng)的電磁干擾。也可避免控制計(jì)算機(jī)失控。

3、該試驗(yàn)設(shè)備的電路設(shè)有多項(xiàng)保護(hù)措施，主要有：過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、漏電保護(hù)、短路保護(hù)、直流試驗(yàn)放電報(bào)警，電磁放電等。

4、直流試驗(yàn)放電報(bào)警功能:在設(shè)備做完直流試驗(yàn)時(shí),當(dāng)開(kāi)啟試驗(yàn)門(mén)時(shí)設(shè)備會(huì)自動(dòng)報(bào)警,直至使用設(shè)備上的放電裝置放電后報(bào)警會(huì)自動(dòng)取消.(注：因?yàn)橹绷髟囼?yàn)后不放電會(huì)危險(xiǎn)到人安全,不能直接拿取電極,起到提醒使用人員放電以免造成傷害)。

5、試驗(yàn)放電裝置，電磁鐵自動(dòng)放電放置。符合標(biāo)準(zhǔn)

GB1408.1-2016《絕緣材料電氣強(qiáng)度試驗(yàn)方法?*部分;工頻下試驗(yàn)、第2部分》

GBT13542.1-2009電氣絕緣用薄膜*部分

GB/T1695-2005《硫化橡膠工頻擊穿電壓強(qiáng)度和耐電壓的測(cè)定方法》

GB/T  3333-1999《電纜紙工頻擊穿電壓試驗(yàn)方法》1 范圍

GB/T 13542的本部分規(guī)定了電氣絕緣用薄膜的定義、一般要求、尺寸、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運(yùn)

輸和貯存。

本部分適用于電氣絕緣用薄膜，

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)GB/T 13542的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文

件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分,然而,鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成

協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件,其新版本適用于本

部分。

GB/T 13542.2-2009電氣絕緣用薄膜第2部分:試驗(yàn)方法(IEC60674-2:1988,MOD)

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本部分。

3.1

卷繞性windability

薄膜的卷繞性用于評(píng)定成卷薄膜的變形情況,可由偏移/弧形和凹陷兩方面衡量。

3.1.1

偏移/弧形bias-camber

當(dāng)薄膜平整地打開(kāi)時(shí),其邊緣不呈直線(偏移或弧形)、

3.1.2

凹陷

sag

當(dāng)一段薄膜由兩個(gè)呈水平位置的平行輥支撐并承受一定張力的情況下,其中有部分薄膜會(huì)低于總

的水平面。接頭耐熱性或耐溶劑性等特殊要求應(yīng)由供需雙方協(xié)商。

4.4管芯

薄膜應(yīng)卷在圓形管芯上,管芯在卷繞拉伸下應(yīng)不掉屑、坍塌或歪扭,也不應(yīng)損壞薄膜或使其性能降

低。管芯的所有性能和尺寸及其偏差由供需雙方協(xié)商,管芯的優(yōu)選內(nèi)徑為76 mm和152 mm,管芯可以

伸出膜卷的端部,或者與端部平齊。

5尺寸

5.1厚度

按GB/T 13542.2-2009第4章所述的方法測(cè)定厚度,除非在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中另有規(guī)定,且測(cè)得的厚度

應(yīng)在標(biāo)稱值±10%范圍內(nèi)。

5.2寬度

寬度應(yīng)在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定,按GB/T 13542.22009第6章規(guī)定的方法測(cè)定的寬度，除非產(chǎn)品標(biāo)

準(zhǔn)另有規(guī)定,其允許偏差應(yīng)符合表1的規(guī)定。

表1薄膜寬度

單位為毫米

寬度

偏差

≤50

±0.5

>50~300

±1.0

>300~450

±2.0

>450

±4.0

5.3長(zhǎng)度

對(duì)長(zhǎng)度的要求由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。

6檢驗(yàn)規(guī)則GB/T 13542《電氣絕緣用薄膜)分為以下幾個(gè)部分:

一第1部分:定義和一般要求;

一一第2部分:試驗(yàn)方法;

一第3部分:電容器用雙軸定向聚丙烯薄聵;

一第4部分:聚酯薄膜

.…。

本部分為GB/T13542的第1部分。

本部分修改采用IEC60674-1:1980《電氣用塑料薄膜第1部分:定義和一般要求(英文版)。

本部分與IEC60674-1的主要技術(shù)差異如下:

1)增加了“規(guī)范性引用文件"章;

2)增加了“檢驗(yàn)規(guī)則"章。

本部分代替GB/T 13542-1992《電氣用塑料薄膜一般要求》,

本部分與GB/T 13542-1992相比主要差異如下:

1)將“引用標(biāo)準(zhǔn)”改為“規(guī)范性引用文件”

2)定義3.1.1中“偏斜”改為“偏移/弧形”。

本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本部分由全國(guó)絕緣材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC51)歸口，

本都分起草單位:桂林電器科學(xué)研究所,東材科技集團(tuán)股份有限公司。

本部分主要起草人:王先修、趙平。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

GB/T13542-1992。

6.1薄膜應(yīng)進(jìn)行出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。

6.2型式檢驗(yàn)項(xiàng)目為產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求規(guī)定的全部項(xiàng)目，每三個(gè)月至少進(jìn)行一次。當(dāng)原材料變更

或工藝條件改變時(shí),也應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)。

6.3產(chǎn)品批量、抽樣方法和出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定，每批薄膜應(yīng)進(jìn)行出廠檢驗(yàn),產(chǎn)品經(jīng)檢驗(yàn)

合格才能出廠。制造廠應(yīng)保證出廠產(chǎn)品符合產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中全部技術(shù)要求。

6.4當(dāng)試驗(yàn)結(jié)果中任何一項(xiàng)不符合技術(shù)要求時(shí),應(yīng)在該批薄膜另外二卷中各取一組試樣重復(fù)該項(xiàng)試

驗(yàn),如仍有一組不符合要求時(shí),該批薄膜為不合格品。

6.5使用單位可按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的全部或部分項(xiàng)目進(jìn)行驗(yàn)收檢驗(yàn)。預(yù)處理?xiàng)l件按GB/T13542.2-2009

中3.2要求進(jìn)行。

6.6使用單位有要求時(shí),制造廠應(yīng)提供產(chǎn)品檢驗(yàn)報(bào)告。

7標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存

7.1薄膜卷要用防潮紙或塑料薄膜包裹,外層套裝塑料袋,并架空支撐放置于包裝箱中,使薄膜在通常

的貯存和運(yùn)輸條件下得到充分保護(hù)而不受損壞和變質(zhì)。

7.2每箱薄膜應(yīng)有明顯而牢固的標(biāo)志:

TVS瞬間防護(hù)技術(shù)

●  多級(jí)循環(huán)電壓采集技術(shù):

材料擊穿后,瞬間放電速度約為光速的1/5~1/3,國(guó)際通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級(jí)電壓瞬間下降一定比率來(lái)判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級(jí)循環(huán)采集技術(shù)對(duì)擊穿后的電壓采集將解決此難題。

●  低通濾波電流監(jiān)測(cè)技術(shù):

高壓壓放電過(guò)程中將產(chǎn)生高頻信號(hào)。而無(wú)論是國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口電流采集傳感器,大都為工頻電流傳感器。而采集過(guò)程中無(wú)法將高頻信號(hào)處理時(shí),從而造成檢測(cè)不準(zhǔn)確。無(wú)論是采用磁通門(mén)或霍爾原理所設(shè)計(jì)的傳感器存在擊穿后瞬間輸出電壓或電流信號(hào)過(guò)大,從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測(cè)開(kāi)發(fā)的低濾波電流采集傳感器將高頻雜波信號(hào)進(jìn)行相應(yīng)處理。同流采集華測(cè)自主開(kāi)發(fā)的保護(hù)模塊來(lái)保證采集精度與保護(hù)采集元件。

●  雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù):

采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電擊穿儀器,生產(chǎn)的電壓擊穿儀器不僅具備過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)系統(tǒng),它*的雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制,當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問(wèn)題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí),將瞬間切斷高壓。