本文由 北京鴻達(dá)天矩試驗(yàn)設(shè)備有限公司 整理匯編

2024-10-05 18:04 334閱讀次數(shù)

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  2016-10-20 10:15

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  高低溫試驗(yàn)室技術(shù)方案書[詳細(xì)]

  2018-08-23 10:00

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  GB2423.1－2008高低溫試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)免費(fèi)下載GB_T_2423.1-2008_電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)_第2_部分：試驗(yàn)方法_試驗(yàn)A：低溫免費(fèi)下載地址:http://www.zkhs17.com北京中科環(huán)試儀器有限公司[詳細(xì)]

  2018-09-29 10:02

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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  2018-10-11 10:00

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  2016-10-19 17:13

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  步入式高低溫試驗(yàn)室產(chǎn)品樣冊(cè)[詳細(xì)]

  2016-10-19 18:08

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  2018-10-10 10:00

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  2018-10-05 10:00

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  2018-08-20 10:00

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  對(duì)稱式高低溫濕熱試驗(yàn)室的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)[詳細(xì)]

  2018-10-05 10:00

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  2024-09-24 15:33

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  2024-09-16 04:45

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  高低溫試驗(yàn)導(dǎo)則標(biāo)準(zhǔn)對(duì)試驗(yàn)箱的一般要求[詳細(xì)]

  2018-10-05 10:00

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  照相機(jī)高低溫試驗(yàn)方法[詳細(xì)]

  2011-09-14 00:00

  標(biāo)準(zhǔn)

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  標(biāo)準(zhǔn)

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• 高低溫濕熱試驗(yàn)箱試驗(yàn)方法

  GJB150.9-86環(huán)境試驗(yàn)方法-濕熱試驗(yàn).pdf[詳細(xì)]

  2018-10-05 10:00

  產(chǎn)品樣冊(cè)

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• 高低溫試驗(yàn)測(cè)試流程

  1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個(gè)小時(shí);請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測(cè) 2、開機(jī)，對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。 3、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。 4、升溫到+90°C，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試相反，升溫過(guò)程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。 5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。 如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。 高溫環(huán)境對(duì)設(shè)備的主要影響有： 1. 填充物和密封條溶化或融化； 2. 潤(rùn)滑劑粘度降低，揮發(fā)加速，潤(rùn)滑作用減??； 3. 電子電路穩(wěn)定性下降，絕緣損壞； 4. 加速高分子材料和絕緣材料老化，包括氧化、開裂、化學(xué)反應(yīng)等； 5. 材料膨脹造成機(jī)械應(yīng)力加大或磨損加大。[詳細(xì)]

  2023-11-01 16:02

  其它

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• 高低溫試驗(yàn)箱試驗(yàn)技術(shù)參數(shù)

  高低溫試驗(yàn)箱試驗(yàn)技術(shù)參數(shù)[詳細(xì)]

  2024-09-11 17:50

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  高低溫試驗(yàn)箱執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：[詳細(xì)]

  2012-08-09 00:00

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