本文由 泰思肯貿(mào)易（上海）有限公司 整理匯編

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• FIB小知識：FIB-SEM雙束電鏡的應(yīng)用領(lǐng)域

  FIB-SEM 雙束電鏡自上世紀(jì)九十年代問世以來就收到材料研究工作者的青睞，尤其是對于半 導(dǎo)體領(lǐng)域。在 1990 年 Orsay Physics 就為 IBM 研制出了世界上DY臺 FIB-SEM 雙束系統(tǒng)。所 謂的 FIB-SEM 雙束電鏡就是在掃描電鏡的基礎(chǔ)上增加了聚焦離子槍（FIB）。因為 FIB 具備微區(qū) 加工能力，雙束電鏡不僅能夠觀察和分析樣品的表面特征，同時可以利用離子槍的切割能力，觀 察和分析樣品表層下面的微區(qū)特征；因此 FIB 和 SEM 的結(jié)合，發(fā)展成為一種功能更加全面的材料微區(qū)分析手段[詳細(xì)]

  2024-09-23 23:11

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• FIB-SEM 小知識—氣體注入系統(tǒng)（GIS）

  FIB-SEM 雙束電鏡不僅僅是將聚焦離子束與掃描電鏡集成于一體，更重要的是通過集成其他輔助系統(tǒng)使 FIB-SEM 的加工及分析功能更加豐富。下圖是 TESCAN LYRA3 FIB-SEM 樣品室內(nèi)部的照片，可以看到不同的部件的安裝情況。其中氣體注入系統(tǒng) GIS 是 FIB-SEM 的基本配置之一，GIS 在 FIB-SEM 中起著非常重要的作用。[詳細(xì)]

  2021-05-21 13:58

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• FIB-SEM雙束電鏡應(yīng)用之樣品的截面拋光

  截面拋光是 FIB 主要用途之一。所謂截面拋光就是利用離子束將樣品剖開觀察內(nèi)部的結(jié)構(gòu)， 從而分析樣品內(nèi)部的微觀組織或缺陷。如下圖所示，為了分析焊接界面處的產(chǎn)物，需要將焊接處 剖開，從而可以對界面進行成份和晶體結(jié)構(gòu)進行研究。[詳細(xì)]

  2024-09-11 17:49

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• FIB-SEM雙束電鏡應(yīng)用之生物樣品3D重構(gòu)

  FIB 能夠通過連續(xù)切片提供 3D 的形貌信息，尤其在生命科學(xué)領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。但是生 物樣品都是經(jīng)過染色包埋處理，在掃描電鏡下很難找到需要切割的位置。TESCAN FIB-SEM 標(biāo)配 光電聯(lián)用軟件 X-Positioner 能夠很方便的實現(xiàn)熒光顯微鏡圖片的導(dǎo)航，快速的確定分析區(qū)域[詳細(xì)]

  2024-09-18 18:10

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• FIB-SEM雙束電鏡應(yīng)用之TOF-SIMS輕元素分析

  大型的飛行時間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）是非常昂貴的元素及同位素分析設(shè)備，現(xiàn)在 TESCAN 已經(jīng)將小型化的 TOF-SIMS 集成于所有的 FIB-SEM 上了。[詳細(xì)]

  2024-09-28 01:08

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• FIB-SEM雙束電鏡應(yīng)用之生物3D EBSD分析

  EBSD 技術(shù)是近年來發(fā)展比較迅速的一項材料微觀表征技術(shù)，越來越受到材料研究工作者的 青睞。隨著 FIB-SEM 的普及，3D EBSD 技術(shù)也逐步進入材料學(xué)者的視野，但是由于以前在設(shè)計 上沒有認(rèn)真的考慮 3D EBSD 使用的方便性，使得這一技術(shù)遲遲沒有得到發(fā)展。[詳細(xì)]

  2024-09-27 02:12

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• FIB-SEM雙束電鏡應(yīng)用之鋰離子電池陰極材料研究

  近年來鋰離子電池已經(jīng)成為研究的一個熱點，而鋰離子電池的陰極材料在使用過程中的電化 學(xué)變化對電池的性能至關(guān)重要。EDS 能夠?qū)﹃帢O上不同元素進行定性定量表征，但是對于 Li 元素則很不敏感。而 TOF-SIMS 能夠探測所有元素，尤其是低含量的輕元素，與 FIB-SEM 相結(jié)合則 進一步提高了 TOF-SIMS 的空間分辨率，既能夠高分辨的觀測樣品的形貌與截面，又能夠高分辨 的表征各種元素[詳細(xì)]

  2024-09-24 01:38

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• FIB-SEM雙束電鏡應(yīng)用之Xe等離子快速切割技術(shù)

  Xe 等離子 FIB 能夠?qū)崿F(xiàn)微納米，甚至毫米級的快速加工。Xe 等離子 FIB 的ZD束流為 2μA， 另外 Xe 離子的原子量更大，對純 Si 的濺射效率比 Ga 離子約高 30%。雖然 Xe 離子的濺射效率高，但是由于 Xe 離子的直徑較大，Xe 等離子束加工樣品時產(chǎn)生的注入效應(yīng)和損傷要比 Ga 離子 束小。[詳細(xì)]

  2024-09-20 13:38

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