本文由 濱松光子學商貿(mào)（中國）有限公司 整理匯編

2024-10-02 21:13 188閱讀次數(shù)

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G13393-0808W產(chǎn)品樣冊

  320 × 256像素二維紅外圖像傳感器G13393-0808W具有由CMOS讀出電路（ROIC：讀出集成電路）和背照式銦鎵砷光電二極管組成的混合結構。每個像素由通過銦凸塊電連接的銦鎵砷光電二極管和ROIC組成。系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。ROIC中的定時發(fā)生器提供模擬視頻輸出和AD-TRIG輸出，它們是僅通過數(shù)字輸入獲得的。G13393-0808W傳感器具有以20μm間距排列的320×256像素，且信號從視頻線讀出。入射在銦鎵砷光電二極管上的光轉換成電信號，然后通過銦凸塊將其輸入到ROIC。ROIC中的電信號轉換為電壓信號，通過移位寄存器從視頻線順序輸出。G13393-0808W和兩級熱電冷卻器氣密密封在金屬封裝中，以穩(wěn)定工作。產(chǎn)品特性● 光譜響應范圍：0.95~1.7 μm● 高靈敏度：1 uV/e-● 幀速率：228 fps max.● 全快門模式● 操作簡單（內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 兩級TE制冷

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  2024-10-02 21:13

  產(chǎn)品樣冊

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11620-256SA產(chǎn)品樣冊

  線陣近紅外（0.95~1.7 μm）圖像傳感器 制冷型，單視頻線：256像素G11620系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。與包括兩片CMOS信號處理芯片的傳統(tǒng)銦鎵砷線性圖像傳感器不同，G11620系列通過將CMOS芯片與銦鎵砷二極管陣列凹凸連接只使用一個CMOS芯片。這種結構降低了奇數(shù)像素和偶數(shù)像素間通常存在的視頻輸出差異。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率（CE），以滿足不同的應用需要。產(chǎn)品特性● 低噪聲，低暗電流● 兩種轉換率可選● 抗飽和電路● CDS電路● 內(nèi)置溫度傳感器● 操作簡單（通過內(nèi)置時序產(chǎn)生器）

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  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11608-512DA產(chǎn)品樣冊

  寬光譜響應范圍，近紅外（0.5~1.7 μm）圖像傳感器G11608系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。G11608系列包括對短波長增強靈敏度的銦鎵砷光電二極管陣列和內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產(chǎn)生器的CMOS芯片。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率（CE），以滿足不同的應用需要。

  產(chǎn)品特性●?寬光譜響應范圍（0.5~1.7 μm）●?低噪聲●?兩種轉換效率可選●?抗飽和電路●?CDS電路●?內(nèi)置熱敏電阻●?操作簡單（內(nèi)置時序產(chǎn)生器）

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  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11608-256DA產(chǎn)品樣冊

  寬光譜響應范圍，近紅外（0.5~1.7 μm）圖像傳感器G11608系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。G11608系列包括對短波長增強靈敏度的銦鎵砷光電二極管陣列和內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產(chǎn)生器的CMOS芯片。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率（CE），以滿足不同的應用需要。

  產(chǎn)品特性● 寬光譜響應范圍（0.5~1.7 μm）● 低噪聲● 兩種轉換效率可選● 抗飽和電路● CDS電路-內(nèi)置熱敏電阻● 操作簡單（內(nèi)置時序產(chǎn)生器）

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  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G12230-512WB產(chǎn)品樣冊

  搭載兩個InGaAs芯片（截止波長：1.65μm, 2.15 μm)近紅外圖像傳感器（0.95μm~2.15 μm)G12230-512WB是為近紅外通道分光測光設計的InGaAs線陣圖像傳感器。并列配置2個高精度不同遮段波長的InGaAs芯片，實現(xiàn)在光靈敏度波長范圍內(nèi)的高S/N。CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。電荷放大器是由銦鎵砷二極管陣列的每個像素與CMOS晶體管連接而成。每個像素的信號是在電荷積分模式下讀出，因此獲得近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。采用氣密封裝的方式，故而具有的穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級轉換效率，以滿足不同用途的需求。選擇通過使用外部電壓2種變化功率（CE:(Conversion Efficiency),選擇適合用途的值。

  產(chǎn)品特性● 搭載兩個銦鎵砷芯片● 低噪聲，低暗電流 ● 兩種轉換率可選● 抗飽和電路● CDS電路● 操作簡單（通過內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 高分辨率:25μm 間距

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  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G9494-512D產(chǎn)品樣冊

  高速數(shù)據(jù)率近紅外（0.9 to 1.7 um）圖像傳感器 濱松公司為在線異物檢測設備提供高速度的近紅外圖像傳感器。該傳感器使用四方形像素，非常適合模式識別中的軟件處理。其信號處理電路使用CTIA（電容轉移阻抗放大器），以使所有像素同時進行電荷積分，所以像素輸出信號沒有延時。

  產(chǎn)品特性● 高速數(shù)據(jù)率：典型值2 MHz● 轉換增益可選（Cf=0.1 pF, 1 pF）● 集成CMOS讀出電路● 低暗電流● 室溫操作

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  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G9494-256D產(chǎn)品樣冊

  高速數(shù)據(jù)率近紅外（0.9 to 1.7 um）圖像傳感器 ? 濱松公司為在線異物檢測設備提供高速度的近紅外圖像傳感器。該傳感器使用四方形像素，非常適合模式識別中的軟件處理。其信號處理電路使用CTIA（電容轉移阻抗放大器），以使所有像素同時進行電荷積分，所以像素輸出信號沒有延時。

  產(chǎn)品特性

  ● 高速數(shù)據(jù)率：典型值2 MHz● 轉換增益可選（Cf=0.1 pF, 1 pF）● 集成CMOS讀出電路● 低暗電流● 室溫操作

  [詳細]

  2020-03-10 12:37

  產(chǎn)品樣冊

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G10768-1024D產(chǎn)品樣冊

  高線速率、1024像素近紅外（0.9 to 1.7 um）圖像傳感器 G10768-1024D是一款為異物篩選和YL分析等高速線速率應用而設計的1024通道高速紅外圖像傳感器。信號處理電路應用CTIA（容性互阻抗放大器），可以在通過采樣保持電路進行全像素積分的同時進行信號讀出。通過8個輸出端口，確保了高速線速率。

  產(chǎn)品特性● 高線速率：Zda39000 lines/s● 高數(shù)據(jù)率：典型值5 MHz，Zda值6.67 MHz● 4中轉換效率可選● 集成時序產(chǎn)生器 ● 低暗電流● 室溫工作

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  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11620-512DA產(chǎn)品樣冊

  線陣（512像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器 ? G11620系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。與包括兩片CMOS信號處理芯片的傳統(tǒng)銦鎵砷線性圖像傳感器不同，G11620系列通過將CMOS芯片與銦鎵砷二極管陣列凹凸連接只使用一個CMOS芯片。這種結構降低了奇數(shù)像素和偶數(shù)像素間通常存在的視頻輸出差異。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率，以滿足不同的應用需要。

  產(chǎn)品特性● 低噪聲，低暗電流● 兩種轉換率可選● 抗飽和電路● CDS電路● 內(nèi)置溫度傳感器● 操作簡單（通過內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 高分辨率:25μm 間距

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  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11135-512DE產(chǎn)品樣冊

  線陣（512像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器 G11135系列是為異物檢測設備而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。該傳感器由銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片組成，CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大陣列、偏執(zhí)補償電路、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片由銦球連接。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率（CE），以滿足不同的應用需要。

  產(chǎn)品特性● 線陣(512像素）● 高速數(shù)據(jù)率：Zda5 MHz● 兩種轉換率可選● 像素尺寸：25×25μm● 內(nèi)置溫度傳感器● 像素之間的線性度差異小● 低成本

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  2024-09-28 00:34

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11620-256DF產(chǎn)品樣冊

  線陣（256像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器

  G11620系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。與包括兩片CMOS信號處理芯片的傳統(tǒng)銦鎵砷線性圖像傳感器不同，G11620系列通過將CMOS芯片與銦鎵砷二極管陣列凹凸連接只使用一個CMOS芯片。這種結構降低了奇數(shù)像素和偶數(shù)像素間通常存在的視頻輸出差異。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率，以滿足不同的應用需要。

  產(chǎn)品特性● 低噪聲，低暗電流● 兩種轉換率可選● 抗飽和電路● CDS電路● 內(nèi)置溫度傳感器● 操作簡單（通過內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 高分辨率:25μm 間距 [詳細]

  2024-10-07 22:51

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11620-128DA產(chǎn)品樣冊

  線陣（512像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器

  G11620系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。與包括兩片CMOS信號處理芯片的傳統(tǒng)銦鎵砷線性圖像傳感器不同，G11620系列通過將CMOS芯片與銦鎵砷二極管陣列凹凸連接只使用一個CMOS芯片。這種結構降低了奇數(shù)像素和偶數(shù)像素間通常存在的視頻輸出差異。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。

  CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率，以滿足不同的應用需要。

  產(chǎn)品特性● 低噪聲，低暗電流● 兩種轉換率可選● 抗飽和電路● CDS電路● 內(nèi)置溫度傳感器● 操作簡單（通過內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 高分辨率:25μm 間距 [詳細]

  2024-10-07 22:51

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11135-256DD產(chǎn)品樣冊

  線陣（256像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器G11135系列是為異物檢測設備而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。該傳感器由銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片組成，CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大陣列、偏執(zhí)補償電路、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片由銦球連接。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率（CE），以滿足不同的應用需要。產(chǎn)品特性● 線陣（256像素）● 高速數(shù)據(jù)率：Zda5 MHz● 兩種轉換率可選● 像素尺寸：50 × 50 μm● 內(nèi)置溫度傳感器● 像素之間的線性度差異小● 低成本

  [詳細]

  2024-10-02 23:19

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11620-256DA產(chǎn)品樣冊

  線陣（512像素）近紅外（0.95 to 1.7 μm）圖像傳感器

  G11620系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大器、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。與包括兩片CMOS信號處理芯片的傳統(tǒng)銦鎵砷線性圖像傳感器不同，G11620系列通過將CMOS芯片與銦鎵砷二極管陣列凹凸連接只使用一個CMOS芯片。這種結構降低了奇數(shù)像素和偶數(shù)像素間通常存在的視頻輸出差異。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出，因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。

  CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉換效率，以滿足不同的應用需要。

  產(chǎn)品特性● 低噪聲，低暗電流● 兩種轉換率可選● 高速數(shù)據(jù)率：Zda1 MHz● 抗飽和電路● CDS電路● 內(nèi)置溫度傳感器● 操作簡單（通過內(nèi)置時序產(chǎn)生器）●高分辨率:25μm 間距 [詳細]

  2024-10-02 05:25

  產(chǎn)品樣冊

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• 銦鎵砷線陣圖像傳感器 G10768-1024DB產(chǎn)品樣冊

  高線速率、1024像素近紅外（0.9 to 1.7 um）圖像傳感器 G10768-1024DB 是一款為異物篩選和YL分析等高速線速率應用而設計的1024通道高速紅外圖像傳感器。信號處理電路應用CTIA（容性互阻抗放大器），可以在通過采樣保持電路進行全像素積分的同時進行信號讀出。通過8個輸出端口，確保了高速線速率。

  產(chǎn)品特性● 高線速率：Zda39000 lines/s● 高數(shù)據(jù)率：典型值5 MHz，Zda值6.67 MHz● 4中轉換效率可選● 集成時序產(chǎn)生器 ● 低暗電流● 室溫工作

  [詳細]

  2024-10-01 11:43

  產(chǎn)品樣冊

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• 銦鎵砷面陣圖像傳感器 G13393-0909W產(chǎn)品樣冊

  640 × 512像素二維紅外圖像傳感器G13393-0909W具有由CMOS讀出電路（ROIC：讀出集成電路）和背照式銦鎵砷光電二極管組成的混合結構。每個像素由通過銦凸塊電連接的銦鎵砷光電二極管和ROIC組成。系列是為近紅外多通道光譜儀而設計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。ROIC中的定時發(fā)生器提供模擬視頻輸出和AD-TRIG輸出，它們是僅通過數(shù)字輸入獲得的。G13393-0909W傳感器具有以20μm間距排列的640×512像素，且信號從視頻線讀出。入射在銦鎵砷光電二極管上的光轉換成電信號，然后通過銦凸塊將其輸入到ROIC。ROIC中的電信號轉換為電壓信號，通過移位寄存器從視頻線順序輸出。G13393-0909W和兩級熱電冷卻器氣密密封在金屬封裝中，以穩(wěn)定工作。產(chǎn)品特性● 光譜響應范圍：0.95~1.7 μm● 高靈敏度：1 uV/e-● 幀速率：62 fps max.● 全快門模式● 操作簡單（內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 兩級TE制冷

  [詳細]

  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷面陣圖像傳感器 G12460-0606S產(chǎn)品樣冊

  適用于二維紅外成像的64 × 64像素圖像傳感器 G12460-0606S具有由一個CMOS讀出電路（ROIC，讀出集成電路）和背照式銦鎵砷光電二極管組成的混合型結構。每個像素都是由一個銦鎵砷光電二極管和一個ROIC通過銦突起電氣連接組成的。ROIC內(nèi)部的時序產(chǎn)生器使得僅僅通過外部數(shù)字輸入主時鐘和主開始信號，就可以獲得模擬圖像輸出和AD-TRIG輸出。該器件有64×64個像素，間距為50um，信號從一個視頻線中讀出。入射到銦鎵砷光電二極管上的光被轉換為電信號，再通過銦突起輸入ROIC?！OIC中的電信號通過電荷放大器被轉換為電壓信號，然后通過移位寄存器從視頻線中順序讀出。該器件為TO-8密封封裝，內(nèi)含一級TE制冷，成本低，穩(wěn)定性高。

  產(chǎn)品特性● 通過偏置補償，獲得出色線性度● 光譜響應范圍：1.12~1.9μm● 靈敏度：1600 nV/e-● 全像素同步積分（全局快門模式）● 操作簡單（內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 一級TE制冷● 低成本

  [詳細]

  2020-03-10 12:37

  產(chǎn)品樣冊

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• 銦鎵砷面陣圖像傳感器 G12242-0707W產(chǎn)品樣冊

  適用于二維紅外成像的128 ×128像素圖像傳感器 G12242-0707W具有由一個CMOS讀出電路（ROIC，讀出集成電路）和背照式銦鎵砷光電二極管組成的混合型結構。每個像素都是由一個銦鎵砷光電二極管和一個ROIC通過銦突起電氣連接組成的。ROIC內(nèi)部的時序產(chǎn)生器使得僅僅通過外部數(shù)字輸入主時鐘和主開始信號，就可以獲得模擬圖像輸出和AD-TRIG輸出。該器件有128×128個像素，間距為20μm，信號從一個視頻線中讀出。入射到銦鎵砷光電二極管上的光被轉換為電信號，再通過銦突起輸入ROIC?！OIC中的電信號通過電荷放大器被轉換為電壓信號，然后通過移位寄存器從視頻線中順序讀出。該器件為TO-8密封封裝，內(nèi)含二級TE制冷，成本低，穩(wěn)定性高。

  產(chǎn)品特性● 光譜響應范圍：0.95~1.7μm● 靈敏度：1μV/e-● 幀率：Zda258 fps，可選全局快門和卷簾快門模式● 操作簡單（內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 二級TE制冷● 低成本

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  2020-03-10 12:37

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• 銦鎵砷面陣圖像傳感器 G11097-0606S產(chǎn)品樣冊

  適用于二維紅外成像的64 × 64像素圖像傳感器 ? G11097-0606S具有由一個CMOS讀出電路（ROIC，讀出集成電路）和背照式銦鎵砷光電二極管組成的混合型結構。每個像素都是由一個銦鎵砷光電二極管和一個ROIC通過銦突起電氣連接組成的。ROIC內(nèi)部的時序產(chǎn)生器使得僅僅通過外部數(shù)字輸入主時鐘和主開始信號，就可以獲得模擬圖像輸出和AD-TRIG輸出。該器件有64×64個像素，間距為50um，信號從一個視頻線中讀出。入射到銦鎵砷光電二極管上的光被轉換為電信號，再通過銦突起輸入ROIC?！OIC中的電信號通過電荷放大器被轉換為電壓信號，然后通過移位寄存器從視頻線中順序讀出。該器件為TO-8密封封裝，內(nèi)含一級TE制冷，成本低，穩(wěn)定性高。

  產(chǎn)品特性● 通過偏置補償，獲得出色線性度● 靈敏度：1600 nV/e-● 全像素同步積分（全局快門模式）● 操作簡單（內(nèi)置時序產(chǎn)生器）● 一級TE制冷● 低成本

  [詳細]

  2020-03-10 12:37

  產(chǎn)品樣冊

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• 銦鎵砷探測器產(chǎn)品樣冊

  銦鎵砷探測器產(chǎn)品樣冊[詳細]

  2016-10-19 17:25

  實驗操作

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