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• GB/T2423.20-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法

  GB/T2423.20-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法本標(biāo)準(zhǔn)提供加速試驗方法以評定用于接觸點和連接件的銀和銀合金變色的影響，本試驗方法特別適用于對比試驗，本試驗方法不能作為通用的腐蝕試驗，即可能不能預(yù)測接觸點和連接件在工業(yè)大氣中的耐腐蝕性能。免費(fèi)下載地址:http://www.bjzkhs.com北京中科環(huán)試儀器有限公司[詳細(xì)]

  2018-09-29 10:01

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• GB 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kd:接觸點和連接件的硫化氫 試驗方法

  GB2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法本標(biāo)準(zhǔn)提供加速試驗方法以評定用于接觸點和連接件的銀和銀合金變色的影響。本試驗方法特別適用于對比試驗。本試驗方法不能作為通用的腐蝕試驗，即可能不能預(yù)測接觸點和連接件在工業(yè)大氣中的耐腐蝕性能。免費(fèi)下載地址：http://www.bjlihui.com北京北方利輝試驗設(shè)備有限公司[詳細(xì)]

  2018-09-19 10:00

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• GBT 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kd接觸點和連接件的硫化氫試驗方法

  GBT 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kd接觸點和連接件的硫化氫試驗方法[詳細(xì)]

  2014-03-15 00:00

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• GBT 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kd接觸點和連接件的硫化氫試驗方法.pdf

  GBT 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kd接觸點和連接件的硫化氫試驗方法.pdf[詳細(xì)]

  2015-03-09 00:00

  應(yīng)用文章

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• GB/T2423.20-81試驗Kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法--上海林頻

  上海林頻儀器股份有限公司座落于ZG上海市科技產(chǎn)業(yè)基地之一的閔行經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。是一家專業(yè)從事環(huán)境試驗設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)與銷售于一體的高新技術(shù)股份制企業(yè)?，F(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)環(huán)境試驗設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè)之一。公司生產(chǎn)各類環(huán)境試驗設(shè)備:鹽霧箱,高低溫箱,恒溫恒濕箱,高溫箱,低溫箱,高低溫交變濕熱箱,干燥箱,真空干燥箱,溫度沖擊箱,藥品穩(wěn)定箱,臭氧老化試驗箱,紫外耐候試驗箱,氙燈耐氣候試驗箱,換氣式老化試驗箱,砂塵試驗箱,箱式淋雨試驗箱,擺管淋雨試驗裝置,滴水試驗裝置,二氧化硫試驗箱,霉菌試驗箱,防銹油脂濕熱試驗箱,鹽霧試驗室,大型步入式試驗箱,溫度老化試驗室,溫濕度振動試驗箱,溫度快速變化試驗箱,單翼跌落試驗機(jī),振動試驗設(shè)備.同時我廠還可以根據(jù)客戶需要設(shè)計非標(biāo)產(chǎn)品，歡迎廣大新老客戶前來公司洽談、指導(dǎo)!以上產(chǎn)品我司均嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)制造,符合的標(biāo)準(zhǔn)有:GB/T2423.17-2008、GB/T2423.18-2000《電工電子產(chǎn)品基本規(guī)程試驗Ka》，鹽霧試驗方法及GB/T10125-1997、GB/T10587-2006、GB10593.2-1990、GB/T1765-1979、GB/T1771-2007、GB/T12967.3-2008、GB/T5170.8-2008以及等效的IEC、GB/T2423.1-2008、GB/T2423.2-2008、GB/T5170.5-2008、GB/T10586-2006、GB/T2423.1-2008試驗A、GB/T2423.2-2008試驗B、GB/T2423.3-2006試驗Ca、GB/T2423.4-2008試驗Db、MIL、DIN、ASTM、GB/T16422.2-1999、（GB/T1865-2009、GB/T2423.24-1995、ASTMG155、ISO10SB02/B04、SAEJ2527、SAEJ2412）、GB/T4942.2-1993及外殼防護(hù)等級（IP代碼）GB4208-2008、GB/T10485-2007、GB/T7762-2003、GB/T2951.21-200、GB/T14522-2008、GB/T16422.3-1997、GB/T16585-96等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，祥情請瀏覽：http://www.linpin.com.cn[詳細(xì)]

  2018-09-03 10:00

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• GB/T 2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 接觸點和連接件的硫化氫試驗導(dǎo)則

  GB/T2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程接觸點和連接件的硫化氫試驗導(dǎo)則接觸點和連接件在預(yù)期壽命期間的良好性能取決于許多參數(shù)，其中某些參數(shù)是其設(shè)計決定（如型式、材料、力等）；另一些參數(shù)則由對其有影響的環(huán)境決定?？紤]環(huán)境的影響，特別要注意大氣中所含（通常含量很少）的污染物。在城市和工業(yè)大氣中二氧化硫是Z主要的污染物之一。[詳細(xì)]

  2018-09-19 10:00

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• GB 2423 試驗Kd 接觸點和連接件的硫化氫 試驗方法

  GB2423.201981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kd接觸點和連接件的硫化氫試驗方法[詳細(xì)]

  2018-10-10 10:00

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• GB 2423 Kd:接觸點和連接件的硫化氫 試驗方法

  GB2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法[詳細(xì)]

  2018-09-14 10:00

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• 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kc接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法

  GBT2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kc接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法[詳細(xì)]

  2018-09-04 10:00

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• GB_T2423.19-1981_電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程_試驗Kc接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法

  GB_T2423.19-1981_電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程_試驗Kc接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法本試驗可由中科美其（北京）科技有限公司試驗設(shè)備有限公司提供的二氧化硫鹽霧試驗箱來執(zhí)行，非標(biāo)制作，詳情請咨詢中科美其（北京）科技有限公司試驗設(shè)備公司鹽霧試驗箱技術(shù)支持。[詳細(xì)]

  2018-09-05 10:00

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• GB2423.19-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kc：接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法

  GB2423.19-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kc：接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法本標(biāo)準(zhǔn)提供加速試驗方法，以評定由于受硫燃燒生成物污染的大氣對接角點和連接件的腐蝕作用。本試驗方法特別適用于對比試驗。[詳細(xì)]

  2018-09-19 10:00

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• GB2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kc:接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法

  GB2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kc:接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法本標(biāo)準(zhǔn)提供加速試驗方法，以評定由于受硫燃燒生成物污染的大氣對接觸點和鏈接件的腐蝕作用。本試驗方法特別適用于對比試驗。本試驗方法不能作為通用的腐蝕試驗，即可能不能預(yù)測接觸點和連接件再工業(yè)大氣中的耐腐蝕性能。免費(fèi)下載地址：http://www.bjlihui.com北京北方利輝試驗設(shè)備有限公司[詳細(xì)]

  2018-09-19 10:00

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• GB-T2423.20-1981試驗Kd接觸點和連接件的硫化氫試驗方法

  測定微生物自含硫氨基酸（sulfur-containingaminoacid）或無機(jī)硫化物（inorganicsulfurcompounds）等受質(zhì)中產(chǎn)生硫化氫（hydrogensulfide）的能力。微生物產(chǎn)生硫化氫之發(fā)酵途徑，主要有兩種。途徑一：硫化氫由培養(yǎng)基中蛋白質(zhì)成份之半胱氨酸（cysteine）還原而產(chǎn)生。蛋白質(zhì)經(jīng)微生物酵素分解，形成含硫之半胱氨酸，此氨基酸經(jīng)半胱氨酸脫硫酵素（cysteinedesulfurase）作用失去硫原子，而自水分子加入氫形成硫化氫。途徑二：硫化氫由無機(jī)硫化合物如硫代硫酸鹽（thiosulfate；S2O32-）、硫酸鹽（sulfate；SO42-）或亞硫酸鹽（sulfite；SO32-）等所產(chǎn)生，當(dāng)培養(yǎng)基含硫代硫酸鈉時，有些微生物可將其還原為亞硫酸鹽，并釋出硫化氫。本實驗使用SIM培養(yǎng)基，內(nèi)含蛋白質(zhì)與硫代硫酸鈉作為硫受質(zhì)，另含硫酸銨亞鐵（ferrousammoniumsulfate；Fe(NH4)2SO4）作為硫化氫指示劑，（硫化氫為無色氣體，不易察覺，硫酸銨亞鐵之亞鐵離子可與硫化氫反應(yīng)生成不溶性硫化亞鐵之黑色沉淀。）培養(yǎng)基含0.3瓊脂使成半固體，以增強(qiáng)厭氧呼吸，亦可觀察微生物之運(yùn)動性，如具運(yùn)動性，則微生物生長沿接種線向四周擴(kuò)散，使培養(yǎng)基呈混濁，如無運(yùn)動力，則生長于接種線。[詳細(xì)]

  2018-11-20 10:00

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• GB/T 2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 接觸點和連接件的二氧化硫試驗導(dǎo)

  GB/T2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程接觸點和連接件的二氧化硫試驗導(dǎo)則接觸點和連接件在預(yù)期壽命期間的良好性能取決于許多參數(shù)，其中某些參數(shù)是其設(shè)計決定（如型式、材料、力等）；另一些參數(shù)則由對其有影響的環(huán)境決定?？紤]環(huán)境的影響，特別要注意大氣中所含（通常含量很少）的污染物。在城市和工業(yè)大氣中二氧化硫是Z主要的污染霧之一。免費(fèi)下載地址:http://www.bjzkhs.com北京中科環(huán)試儀器有限公司[詳細(xì)]

  2018-09-29 10:01

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• GBT 2423.20 試驗Kd接觸點和連接件的硫化氫試驗方法

  GBT2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Kd接觸點和連接件的硫化氫試驗方法[詳細(xì)]

  2018-09-14 10:00

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• GBT 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kc接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法.pdf

  GBT 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Kc接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法.pdf[詳細(xì)]

  2015-02-04 00:00

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• GB/T 2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 接觸點和連接件的二氧化硫試驗導(dǎo)則

  GB/T2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程接觸點和連接件的二氧化硫試驗導(dǎo)則接觸點和連接件在預(yù)期壽命期間的良好性能取決于許多參數(shù)，其中某些參數(shù)是其設(shè)計決定（如型式、材料、力等）；另一些參數(shù)則由對其有影響的環(huán)境決定?？紤]環(huán)境的影響，特別要注意大氣中所含（通常含量很少）的污染物。在城市和工業(yè)大氣中二氧化硫是Z主要的污染霧之一。[詳細(xì)]

  2018-09-19 10:00

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• GB/T2423.20-接觸點和連接件的硫化氫試驗

  GB/T2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗KD：接觸點和連接件的硫化氫試驗箱方法上海覽浩儀器設(shè)備有限公司021-59788381[詳細(xì)]

  2018-09-03 10:00

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• 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗A低溫試驗方法

  電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗A低溫試驗方法[詳細(xì)]

  2024-09-17 01:54

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• GB2423.20-1981接觸點和連接件的硫化氫試驗方法

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