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Friction-induced formation of nanocrystals on Si
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本文由 實(shí)密國(guó)際貿(mào)易（上海）有限公司 整理匯編
2008-04-03 00:00 272閱讀次數(shù)
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Friction-induced formation of nanocrystals on Si
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Friction-induced formation of nanocrystals on Si- Friction-induced formation of nanocrystals on Si[詳細(xì)]
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2008-04-03 00:00
期刊論文
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- SI渦旋振蕩儀
- SI可調(diào)速漩渦混合器廣泛應(yīng)用于對(duì)振蕩頻率有著較高要求的細(xì)菌培養(yǎng)、發(fā)酵、雜交和生物化學(xué)反應(yīng)、微生物學(xué)、醫(yī)學(xué)分析以及酶、細(xì)胞組織研究等研究應(yīng)用領(lǐng)域。它作為化驗(yàn)分析的得力輔助工具，廣泛用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、YL衛(wèi)生、石油化工、食品、冶金等各類大專院校、科研和生產(chǎn)企業(yè)的實(shí)驗(yàn)室、化驗(yàn)室作混合勻和、萃取之用；作生物、生化、細(xì)胞、菌種等各種樣品振蕩培養(yǎng)之用。[詳細(xì)]
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2024-09-10 23:20
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- Formation mechanism of a nanotubular polyanilines pr
- Formation mechanism of a nanotubular polyanilines pr[詳細(xì)]
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2008-09-24 00:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- Impedance Characterization of the Film Formation Pro
- Impedance Characterization of the Film Formation Pro[詳細(xì)]
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2024-09-18 18:10
期刊論文
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- The formation of white layers at rubbing surfaces
- The formation of white layers at rubbing surfaces[詳細(xì)]
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2024-09-15 22:33
安裝說(shuō)明
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- 美國(guó)SI產(chǎn)品目錄
- 美國(guó)SI產(chǎn)品目錄[詳細(xì)]
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2015-03-06 00:00
標(biāo)準(zhǔn)
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- C60 in Water Nanocrystal Formation and Microbial Response
- 作者：J.D.FORTNER,D.Y.LYON,C.M.SAYES,A.M.BOYD,J.C.FALKNER,E.M.HOTZE,L.B.ALEMANY,Y.J.TAO,W.GUO,K.D.AUSMAN,V.L.COLVIN,ANDJ.B.HUGHES （DepartmentofCivilandEnvironmentalEngineering,RiceUniversity,Houston,Texas77005,DepartmentofChemistry,RiceUniversity,Houston,Texas77005,DepartmentofBiochemistryandCellBiology,RiceUniversity,Houston,Texas77005,CenterforBiologicalandEnvironmentalNanotechnology,RiceUniversity,Houston,Texas77005,andSchoolofCivilandEnvironmentalEngineering,GeorgiaInstituteofTechnology,Atlanta,Georgia30332） 摘要：Uponcontactwithwater,underavarietyofconditions,C60spontaneouslyformsastableaggregatewithnanoscaledimensions（d=25-500nm）,termedhere“nano-C60”.Thecolor,hydrophobicity,andreactivityofindividualC60aresubstantiallyalteredinthisaggregateform.Herein,weprovideconclusivelinesofevidencedemonstratingthatinsolutiontheseaggregatesarecrystallineinorderandremainasunderivatizedC60throughouttheformation/stabilizationprocessthatcanlaterbechemicallyreversed.ParticlesizecanbeaffectedbyformationparameterssuchasratesandthepHofthewateraddition.Onceformed,nano-C60remainsstableinsolutionatorbelowionicstrengthsof0.05/formonths.Inadditiontodemonstratingaggregateformationandstabilityoverawiderangeofconditions,resultssuggestthatprokaryoticexposuretonano-C60atrelativelylowconcentrationsisinhibitory,indicatedbylackofgrowth（≥0.4ppm）anddecreasedaerobicrespirationrates（4ppm）.Thisworkdemonstratesthefactthattheenvironmentalfate,distribution,andbiologicalriskassociatedwiththisimportantclassofengineerednanomaterialswillrequireamodelthataddressesnotonlythepropertiesofbulkC60butalsothatoftheaggregateformgeneratedinaqueousmedia.[詳細(xì)]
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2018-08-31 10:11
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- Conductance-Controlled Point Functionalization of Si
- Conductance-Controlled Point Functionalization of Si[詳細(xì)]
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2008-04-30 00:00
課件
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- 1-octadecene monolayers on Si(111)hydrogen-terminate
- 1-octadecene monolayers on Si(111)hydrogen-terminate[詳細(xì)]
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2008-04-30 00:00
標(biāo)準(zhǔn)
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- Si光電二極管 S12498產(chǎn)品樣冊(cè)
- 可以直接貼在芯片上的閃爍體 S12498是一種Si光電二極管，適用于行李等無(wú)損檢測(cè)和一般工業(yè)測(cè)量。由于它是背照式光電二極管，光敏區(qū)域沒(méi)有導(dǎo)線，因此閃爍體可以直接貼在光電二極管上。 產(chǎn)品特性 ● 光譜響應(yīng)范圍：400至1100 nm ● 光敏區(qū)：6.0×6.0 ?mm ● 易于貼在芯片上的閃爍體 [詳細(xì)]
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2020-03-10 12:38
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- Si光電二極管 S12497產(chǎn)品樣冊(cè)
- 可以直接貼在芯片上的閃爍體 S12497是一種Si光電二極管，適用于行李等無(wú)損檢測(cè)和一般工業(yè)測(cè)量。由于它是背照式光電二極管，光敏區(qū)域沒(méi)有導(dǎo)線，因此閃爍體可以直接貼在光電二極管上。產(chǎn)品特性 ● 光譜響應(yīng)范圍：400至1100 nm ● 光敏區(qū)：9.5×9.5 mm - 易于貼在芯片上的閃爍體 [詳細(xì)]
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2020-03-10 12:38
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- Si APD S14645-02產(chǎn)品樣冊(cè)
- 高速，緊湊的Si APD，適用于800 nm波段，具有低偏置操作 該款Si APD適用于檢測(cè)900 nm波段的光，非常適用于光學(xué)距離測(cè)量。 該產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品（S12926系列）具有相同的形狀，但是性能上有更大的提升，擊穿電壓變化小，暗電流降低以及存儲(chǔ)能力寬展和工作溫度穩(wěn)定。 [詳細(xì)]
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2020-03-10 12:38
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- Si APD S14644-02產(chǎn)品樣冊(cè)
- 高速，緊湊的Si APD，適用于800 nm波段，具有低偏置操作 該款Si APD適用于檢測(cè)800 nm波段的光，非常適用于光學(xué)距離測(cè)量。 該產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品（S10341系列）具有相同的形狀，但是性能上有更大的提升，擊穿電壓變化小，暗電流降低以及存儲(chǔ)能力寬展和工作溫度穩(wěn)定。 [詳細(xì)]
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2020-03-10 12:38
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- Fabrication of nanopatterns on H-passivated Si surfa
- Fabrication of nanopatterns on H-passivated Si surfa[詳細(xì)]
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2024-09-28 01:25
報(bào)價(jià)單
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SI旋渦混合器保修卡，CE認(rèn)證- SI旋渦混合器保修卡，CE認(rèn)證[詳細(xì)]
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2024-09-20 13:34
實(shí)驗(yàn)操作
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- A transmission electron microscopy study of crack formation and propagation in electrochemically cyc
- Subsurfacedefectsandlocalcompositionalchangesthatoccurredingraphiteanodessubjectedtocyclicvoltammetrytests(vs.Li/Li+,usinganelectrolyteconsistingof1MLiClO4ina1:1volumetricmixtureofethylenecarbonateand1,2-dimethoxyethane)wereinvestigatedusinghigh-resolutiontransmissionelectronmicroscopy(HR-TEM).Cross-sectionsofanodespreparedbyfocusedionbeam(FIB)mil領(lǐng)indicatedthatgraphitelayersadjacenttosolidelectrolyte(SEI)/graphiteinterfaceexhibitedpartialdelaminationduetotheformationofinterlayercracks.TheSEIlayerformedonthegraphitesurfaceconsistedofLi2CO3thatwasidentifiedby{110}and{002}crystallographicplanes.Lithiumcompounds,LiC6,Li2CO3andLi2O,wereobservedonthesurfacesofseparatedgraphitelayers.Depositionofthesecointercalationcompoundsnearthecracktipcausedpartialclosureofpropagatinggraphitecracksduringelectrochemicalcyc領(lǐng),andpossiblyreducedthecrackgrowthrate.Graphitefibresthatwereobservedtobridgecrackfaceslikelyprovidedanadditionalmechanismfortheretardationofcrackpropagation.[詳細(xì)]
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2018-08-21 10:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- 水懸浮液中Si的測(cè)定
- 水懸浮液中Si的測(cè)定[詳細(xì)]
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2007-09-14 00:00
其它
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ICP-5000測(cè)定油品中Si含量- ICP-5000測(cè)定油品中Si含量[詳細(xì)]
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2024-09-28 14:06
應(yīng)用文章
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- 美國(guó)SI Vortex Genie 2 渦旋振蕩器 使用手冊(cè)
- 美國(guó)SI Vortex Genie 2 渦旋振蕩器 使用手冊(cè)[詳細(xì)]
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2024-09-28 09:18
選購(gòu)指南
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- ICP法測(cè)試汽油中Si含量
- ICP法測(cè)試汽油中Si含量[詳細(xì)]
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2024-09-17 02:37
期刊論文
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