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分散劑的選擇和準(zhǔn)備
*個(gè)選擇是測(cè)量濕樣品時(shí)對(duì)懸浮介質(zhì)(分散劑)的選擇。初次分析樣品時(shí)*預(yù)先檢查分散情況,將選擇好的分散劑(初期測(cè)量通常用水)加入裝有少許樣品的燒杯中并觀察結(jié)果。樣品可能溶解,這可以觀察到,如果不確定,可以對(duì)樣品進(jìn)行分析并觀察遮光度,如果觀察到遮光度降低,說(shuō)明樣品正在溶解。如果分散劑自身含有雜質(zhì)或顆粒,這是值得注意的。測(cè)量后安全處理樣品的問(wèn)題也必須考慮,遵照當(dāng)?shù)卣卟⒉捎谜_的程序來(lái)處理樣品和分散劑,大多地方法規(guī)都禁止危險(xiǎn)的樣品和分散劑排放到水域中去。表面活化劑和混合劑
當(dāng)遇到像樣品飄浮在分散劑表面這樣的問(wèn)題時(shí),加入表面活化劑和混合劑是有用的,下一部分簡(jiǎn)要地解釋這種添加物的用處。
表面活化劑
添加表面活化劑可幫助樣品準(zhǔn)備,表面活化劑可以轉(zhuǎn)移掉作用于樣品使樣品浮于表面或結(jié)團(tuán)的電荷效應(yīng)。用少量添加法來(lái)添加活化劑,標(biāo)準(zhǔn)是每升一滴。如果加入太多,攪拌或抽取樣品時(shí)會(huì)產(chǎn)生泡沫,在系統(tǒng)中泡沫可能被看作顆粒,這會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。超聲波使用
除了上述過(guò)程外,無(wú)論是否含有表面活化劑都可以用超聲波來(lái)幫助分散。在懸浮介質(zhì)中混合樣品時(shí),可以用肉眼觀察是否需要超聲波。如果燒杯底部有大量顆粒結(jié)塊,將裝有樣品的燒杯放入超聲波槽里分散兩分鐘,效果會(huì)非常明顯。如果需要,當(dāng)樣品加入樣品池時(shí)也可以使用超聲波,這將阻止重新結(jié)塊。注意
對(duì)易碎顆粒使用超聲波時(shí)要小心,因?yàn)槌暡赡軙?huì)使顆粒分離。如果對(duì)使用超聲波前后的效果有疑義,則可用顯微鏡進(jìn)行觀測(cè)。
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失效分析樣品準(zhǔn)備:
失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié),無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。
常見(jiàn)的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對(duì)外開(kāi)放的資源,來(lái)完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下:
一、decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開(kāi)封要求(若在pcb板上,Z好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會(huì)影響對(duì)芯片的保護(hù))后續(xù)試驗(yàn)。
1.IC開(kāi)封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等
2.樣品減?。ㄌ沾桑饘俪猓?/span>
3.激光打標(biāo)
4.芯片開(kāi)封(正面/背面)
5.IC蝕刻,塑封體去除
二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),ZD觀察區(qū)域,精度。
1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板
2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況
3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝
缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷
三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。
1.Open/Short Test
2.I/V Curve Analysis
3.Idd Measuring
4.Powered Leakage(漏電)Test
四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開(kāi)封,特殊要求等,EMMI是加電測(cè)試,可以連接各種源表,確認(rèn)加電要求,若實(shí)驗(yàn)室沒(méi)有適合的源表,可以自帶,避免做無(wú)用功。
1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、
Hot Carriers Effect、ESD等問(wèn)題
五、FIB:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的,標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案,發(fā)定位文件。
1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證
2.Cross-Section截面分析
3.Probing Pad
4.定點(diǎn)切割
六、SEM:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。
1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察
2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析
3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析
4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示
七、EDX:寫清樣品尺寸,材質(zhì),EDX是定性分析,能看到樣品的材質(zhì)和大概比例,適合金屬元素分析。
1.微區(qū)成分定性分析
八、Probe:寫清樣品測(cè)試環(huán)境要求,需要搭配什么源表,使用什么探針,一般有硬針和軟針,軟針較細(xì),不易對(duì)樣品造成二次損傷。
1.微小連接點(diǎn)信號(hào)引出
2.失效分析失效確認(rèn)
3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn)
4.晶圓可靠性驗(yàn)證
九、OM:寫清樣品情況,對(duì)放大倍率要求。OM屬于表面觀察,看不到內(nèi)部情況。
1.樣品外觀、形貌檢測(cè)
2.制備樣片的金相顯微分析
3.各種缺陷的查找
4.晶體管點(diǎn)焊、檢查
十、RIE:寫清樣品材質(zhì),需要看到的區(qū)域。
1.用于對(duì)使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻,其中包括碳、環(huán)氧樹(shù)脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢
2.器件表面圖形的刻蝕
- 失效分析前期準(zhǔn)備
失效分析樣品準(zhǔn)備:
失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測(cè)試 1月6日
失效分析樣品準(zhǔn)備:
失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié),無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。
常見(jiàn)的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對(duì)外開(kāi)放的資源,來(lái)完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下:
一、decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開(kāi)封要求(若在pcb板上,Z好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會(huì)影響對(duì)芯片的保護(hù))后續(xù)試驗(yàn)。
1.IC開(kāi)封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等
2.樣品減?。ㄌ沾?,金屬除外)
3.激光打標(biāo)
4.芯片開(kāi)封(正面/背面)
5.IC蝕刻,塑封體去除
二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),ZD觀察區(qū)域,精度。
1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板
2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況
3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝
缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷
三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。
1.Open/Short Test
2.I/V Curve Analysis
3.Idd Measuring
4.Powered Leakage(漏電)Test
四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開(kāi)封,特殊要求等,EMMI是加電測(cè)試,可以連接各種源表,確認(rèn)加電要求,若實(shí)驗(yàn)室沒(méi)有適合的源表,可以自帶,避免做無(wú)用功。
1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、
Hot Carriers Effect、ESD等問(wèn)題
五、FIB:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的,標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案,發(fā)定位文件。
1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證
2.Cross-Section截面分析
3.Probing Pad
4.定點(diǎn)切割
六、SEM:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。
1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察
2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析
3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析
4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示
七、EDX:寫清樣品尺寸,材質(zhì),EDX是定性分析,能看到樣品的材質(zhì)和大概比例,適合金屬元素分析。
1.微區(qū)成分定性分析
八、Probe:寫清樣品測(cè)試環(huán)境要求,需要搭配什么源表,使用什么探針,一般有硬針和軟針,軟針較細(xì),不易對(duì)樣品造成二次損傷。
1.微小連接點(diǎn)信號(hào)引出
2.失效分析失效確認(rèn)
3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn)
4.晶圓可靠性驗(yàn)證
九、OM:寫清樣品情況,對(duì)放大倍率要求。OM屬于表面觀察,看不到內(nèi)部情況。
1.樣品外觀、形貌檢測(cè)
2.制備樣片的金相顯微分析
3.各種缺陷的查找
4.晶體管點(diǎn)焊、檢查
十、RIE:寫清樣品材質(zhì),需要看到的區(qū)域。
1.用于對(duì)使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻,其中包括碳、環(huán)氧樹(shù)脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢
2.器件表面圖形的刻蝕
- 氫氣發(fā)生器啟動(dòng)前準(zhǔn)備
普拉勒作為實(shí)驗(yàn)室氣體發(fā)生器行業(yè)的主要供應(yīng)商,其生產(chǎn)的氮?dú)獍l(fā)生器采用雙塔變壓吸附技術(shù)產(chǎn)生連續(xù)的高純氮?dú)?,該技術(shù)利用碳分子篩的選擇性分離并過(guò)濾空氣中的氧氣、二氧化碳和水蒸氣。氮?dú)獍l(fā)生器有兩個(gè)碳分子篩柱,預(yù)處理的壓縮空氣進(jìn)入并穿過(guò)diyi個(gè)碳分子篩柱,氧氣、二氧化碳、水蒸氣及其他雜質(zhì)被碳分子篩吸附,只允許氮?dú)馔ㄟ^(guò)碳分子篩并進(jìn)入內(nèi)部氮?dú)夤蕖=?jīng)過(guò)一段時(shí)間后該碳分子篩柱吸附飽和,系統(tǒng)將自動(dòng)切換至第二個(gè)碳分子篩柱繼續(xù)工作,diyi個(gè)已飽和的碳分子篩柱經(jīng)過(guò)快速降壓,將吸附捕捉的氧氣釋放到空氣中,從而被活化再生。兩個(gè)碳分子篩柱的吸附和凈化再生過(guò)程交替進(jìn)行,以此連續(xù)產(chǎn)生潔凈、干燥的高純氮?dú)狻?/p>
1、啟動(dòng)前的準(zhǔn)備:加氫氧化鉀電解液(稱取KOH100g溶解于1L的高純水中),充分?jǐn)嚢枞芙獾入娊庖和耆鋮s后再倒入儲(chǔ)液桶中使用,然后加入高純水不要超過(guò)上限水位線,也不要低于下限水位線,擰上外蓋。液位管中的白色東西是液位管接口處的潤(rùn)滑劑,不影響使用,待整體換液后就好。
2、儀器使用時(shí)應(yīng)注意流量指示是否與色譜儀用氣量一致,如流量指示超出色譜儀實(shí)際用量較大時(shí),應(yīng)停機(jī)檢漏,其方法參照儀器的故障原因與排除方法進(jìn)行調(diào)整,再用自檢方法檢查合格后方可使用。
3、定期檢查過(guò)濾器中的硅膠是否變色,如變色請(qǐng)馬上更換或再生。其方法為,擰下過(guò)濾器,再擰開(kāi)過(guò)濾器上蓋,更換硅膠后擰緊過(guò)濾器上蓋,將過(guò)濾器裝到底座上擰緊。并檢查是否漏氣。
4、使用時(shí)應(yīng)注意流量指示是否與色譜儀用氣量一致,如流量指示超出色譜儀實(shí)際用量較大時(shí),應(yīng)停機(jī)檢漏,其方法參照儀器的故障原因與排除方法進(jìn)行調(diào)整,再用自檢方法檢查合格后方可使用。
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