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- 豐山桂 2017-08-08 00:00:00
- 直接帶隙半導(dǎo)體：導(dǎo)帶Z小值（導(dǎo)帶底）和價帶Z大值在k空間中同一位置。電子要躍遷到導(dǎo)帶上產(chǎn)生導(dǎo)電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量。例如：III-V半導(dǎo)體GaAs， InP等。 直接帶隙半導(dǎo)體的重要性質(zhì)：1) 直接帶隙半導(dǎo)體中載流子的壽命很短；2) 導(dǎo)帶電子與價帶空穴的復(fù)合是直接復(fù)合，可以把能量幾乎全部以光的形式放出（因為沒有聲子參與，故也沒有把能量交給晶體原子）——發(fā)光效率高，這也就是為什么發(fā)光器件（量子點）多半采用直接帶隙半導(dǎo)體來制作的根本原因。 間接帶隙半導(dǎo)體：導(dǎo)帶Z小值（導(dǎo)帶底）和價帶Z大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量，還要改變動量。典型例子如Si， Ge等元素半導(dǎo)體。
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