參與評(píng)論

評(píng)論

登錄后參與評(píng)論

全部評(píng)論(2條)

• 

  籃球之王是我 2012-03-18 00:00:00

  吸附在硅片表面上的雜質(zhì)可分為分子型、離子型和原子型三種情況。其中分子型雜質(zhì)與硅片表面之間的吸附力較弱，清除這類雜質(zhì)粒子比較容易。它們多屬油脂類雜質(zhì)，具有疏水性的特點(diǎn)，對(duì)于清除離子型和原子型雜質(zhì)具有掩蔽作用。因此在對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)清洗時(shí)，首先應(yīng)該把它們清除干凈。離子型和原子型吸附的雜質(zhì)屬于化學(xué)吸附雜質(zhì)，其吸附力都較強(qiáng)。在一般情況下，原子型吸附雜質(zhì)的量較小，因此在化學(xué)清洗時(shí)，先清除掉離子型吸附雜質(zhì)，然后再清除殘存的離子型雜質(zhì)及原子型雜質(zhì)。Z后用高純?nèi)ルx子水將硅片沖冼干凈，再加溫烘干或甩干就可得到潔凈表面的硅片。 綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序?yàn)椋喝シ肿印ルx子→去原子→去離子水沖洗。另外，為去除硅片表面的氧化層，常要增加一個(gè)稀氫氟酸浸泡步驟。

  贊(3)

  回復(fù)(0)

  評(píng)論

  評(píng)論

  登錄后參與評(píng)論

• 

  峰哥來(lái)逆天 2011-06-23 00:00:00

  太陽(yáng)能硅片表面等離子體清洗工藝 硅片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進(jìn)行氣體沖洗流程，然后進(jìn)行該氣體等離子體啟輝。 去除硅片表面顆粒的等離子體清洗方法過程控制容易，清洗徹底，無(wú)反應(yīng)物殘留，所霈工藝氣體無(wú)毒，成本低，勞動(dòng)量小，工作效率高。 等離子硅片清洗條件參數(shù)： 1、硅片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進(jìn)行氣體沖洗流程，然后進(jìn)行該氣體等離子體啟輝；所用氣體選自02、Ar、N2中的任一種；氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時(shí)間1-5s;啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力1040毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時(shí)間1-10s。 2、如1所述的等離子體清洗方法，其特征在于所用氣體為02。 3、等離子體清洗方法，其特征在于氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時(shí)間3s;啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時(shí)間Ss。 4、等離子體清洗方法，其特征在于氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時(shí)間1-5s;啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時(shí)閭1-5s。 5、等離子體清洗方法，其特征在于氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時(shí)間3s;啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時(shí)間Ss 說 明 書 等離子清洗涉及刻蝕工藝領(lǐng)域，并且完全滿足去除刻蝕工藝后硅片表面殘 留顆粒的清洗。 背景技術(shù) 在刻蝕過程中，顆粒的來(lái)源很多：刻蝕用氣體如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蝕性，刻蝕結(jié)束后會(huì)在硅片表面產(chǎn)生一定數(shù)量的顆粒；反應(yīng)室的石英蓋也會(huì)在等離子體的轟擊作用下產(chǎn)生石英顆粒；反應(yīng)室內(nèi)的內(nèi)襯( liner)也會(huì)在較長(zhǎng)時(shí)間的刻蝕過程中產(chǎn)生金屬顆粒?？涛g后硅片表面殘留的顆粒會(huì)阻礙導(dǎo)電連接，導(dǎo)致器件損壞。因此，在刻蝕工藝過程中對(duì)顆粒的控制很重要。 目前，常用的去除硅片表面顆粒的方法有兩種：一種是標(biāo)準(zhǔn)清洗( RCA)清洗技術(shù)，另一種是用硅片清洗機(jī)進(jìn)行兆聲清洗。RCA清洗技術(shù)所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統(tǒng)。其清洗工序?yàn)椋阂惶?hào)液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀釋的HF(DHF)(HF+H20)—，二號(hào)液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除顆粒沾污（粒子），也能去除部分金屬雜質(zhì)。去除顆粒的原理為：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（約6nm，呈親水性），該氧化膜又被NH40H腐蝕，腐蝕后立即發(fā)生氧他，氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行，附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。自然氧化膜約0.6nm厚，與NH40H和H202的濃度及清洗液溫度無(wú)關(guān)。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有極強(qiáng)的氧化性和絡(luò)合性，能與未被氧化的金屬作用生成鹽，并隨去離子水沖洗而被去除，被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡(luò)合物亦隨去離子水沖洗而被去除。RCA清洗技術(shù)存在以下缺陷：需要人工操作，勞動(dòng)量大，操作環(huán)境危險(xiǎn)；工藝復(fù)雜，清洗時(shí)間長(zhǎng)，生產(chǎn)效率低；清洗溶劑長(zhǎng)期浸泡容易對(duì)硅片過腐蝕或留下水痕，影響器件性能；清洗劑和超凈水消耗量大，生產(chǎn)成本高；去除 粒子效果較好，但去除金屬雜質(zhì)Al、Fe效果欠佳。 用硅片清洗機(jī)進(jìn)行兆聲清洗是將硅片吸附在靜電卡盤( chuck)上，清洗過程中硅片不斷旋轉(zhuǎn)，清洗液噴淋在硅片表面。可以進(jìn)行不同轉(zhuǎn)速和噴淋時(shí)間的設(shè)置，連續(xù)完成多步清洗步驟。典型工藝為：兆聲_氨水+雙氧水（可以進(jìn)行加溫）_水洗_鹽酸+雙氧水-水洗_兆聲一甩干。 用硅片清洗機(jī)進(jìn)行兆聲清洗的缺陷表現(xiàn)為：只能進(jìn)行單片清洗，單片清洗時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)致生產(chǎn)效率較低；清洗劑和超凈水消耗量大，生產(chǎn)成本高。 等離子清洗硅片表面顆粒原理： 等離子體清洗方法的原理為：依靠處于“等離子態(tài)”的物質(zhì)的“活化作用，，達(dá)到去除物體表面顆粒的目的。它通常包括以下過程：a．無(wú)機(jī)氣體被激發(fā)到等離子態(tài)；b．氣相物質(zhì)被吸附在固體表面；c．被吸附基團(tuán)與固體表面分子反應(yīng)生成產(chǎn)物分子；d．產(chǎn)物分子解析形成氣相；e．反應(yīng)殘余物脫離表面。 等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進(jìn)行氣體沖洗（purge）流程，然后進(jìn)行該氣體等離子體啟輝。 所用工藝氣體選自02、Ar、N2中的任一種。優(yōu)選地，所用工藝氣體選 02。 以上所述的等離子體清洗方法，氕體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時(shí)間1-5s；啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時(shí)間1-10s。 優(yōu)選地，氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時(shí)間1-5s;啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時(shí)間1.Ss。 更優(yōu)選地，氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時(shí)間3s;啟輝過程的工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時(shí)間Ss。 等離子清洗硅片后效果： 本發(fā)明所述的去除硅片表面顆粒的等離子體清洗方法過程控制容易，清洗徹底，無(wú)反應(yīng)物殘留，所需工藝氣體無(wú)毒，成本低，勞動(dòng)量小，工作效率高。 附圖說明 圖1等離子體清洗前后的CD-SEM（關(guān)鍵尺寸量測(cè)儀器）圖片； 其中，CD: Criticaldimension關(guān)鍵尺寸。 圖2等離子體清洗前后的FE-SEM（場(chǎng)發(fā)射顯微鏡）圖片； 其中，F(xiàn)E: field emission場(chǎng)發(fā)射。 圖3等離子體清洗前后的particle（粒子）圖片。 在進(jìn)行完BT（break through自然氧化層去除步驟）、ME（Main Etch主刻步驟）、OE（過刻步驟）的刻蝕過程后，立即在ICP等離子體刻蝕機(jī)( PM2)中進(jìn)行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進(jìn)行02的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設(shè)置為15毫托，02流量為300sccm，通氣時(shí)間為3s;然后，進(jìn)行含有02的啟輝過程：腔室壓力設(shè)置為15毫托，02流量為300sccm，上RF的功率設(shè)置為300W．啟輝時(shí)間為Ss。 采用本工藝有效去除了刻蝕工藝后硅片表面殘留的顆粒。 在進(jìn)行完BT、ME、OE的刻蝕過程后，立即在ICP等離子體刻蝕機(jī)( PM2)中進(jìn)行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進(jìn)行Ar的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設(shè)置為10毫托，Ar流量為100sccm，通氣時(shí)間為Ss;然后，進(jìn)行含有Ar的啟輝過程：腔室壓力設(shè)置為10毫托，Ar流量為100sccm，上RF的功率設(shè)置為400W，啟輝時(shí)間為10s。 采用本工藝有效去除了刻蝕工藝后硅片表面殘留的顆粒。 在進(jìn)行完BT、ME、OE的刻蝕過程后，立即在ICP等離子體刻蝕機(jī)( PM2)中進(jìn)行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進(jìn)行N2的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設(shè)置為40毫托，N2流量為500sccm，通氣時(shí)間為Ss;然后，進(jìn)行含有N2的啟輝過程：腔室壓力設(shè)置為40毫托，N2流量為500sccm，上RF的功率設(shè)置為250W，啟輝時(shí)間為10s。 采用本工藝有效去除了刻蝕工藝后硅片表面殘留的顆粒。 南京世鋒科技等離子研究ZX QQ283加5883加29

  贊(19)

  回復(fù)(0)

  評(píng)論

  評(píng)論

  登錄后參與評(píng)論