納米線（Nano wire）為一種橫向上被限制在100納米以下（縱向沒有限制）的一維材料，根據(jù)組成材料的不同，納米線可分金屬納米線、半導(dǎo)體納米線和絕緣體納米線。

作為納米材料的一種，納米線具備泰克應(yīng)用文章《納米材料綜測(cè)試綜述》中概述的納米材料全部特性，在電子、光電子和納電子機(jī)械中，納米線起到很重要的作用。它同時(shí)還可以作為合成物中的添加物、量子器械中的連線、場(chǎng)發(fā)射器和生物分子納米感應(yīng)器等。

碳納米管，又名巴基管，碳的同素異形體，是一種典型的納米纖碳納米館的分類，如下圖所示。

碳納米管的應(yīng)用十分廣泛，下圖示意出碳納米管的典型應(yīng)用。

碳納米管的性質(zhì)可以從電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)、儲(chǔ)氫及其他性質(zhì)五個(gè)方面表征，其電學(xué)性質(zhì)如下圖。

碳納米管特殊的電學(xué)性能，使其被廣泛用于制作碳納米管電子器件。

納米線/碳納米管及電子器件測(cè)試：

碳納米管電子器件主要包括碳納米管場(chǎng)發(fā)射器、碳納米管FET、單電子晶體管、碳納米傳感器、碳納米管存儲(chǔ)器、碳納米管開關(guān)、碳納米管集成電路和碳納米管計(jì)算機(jī)。

納米線碳納米管電學(xué)性能測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)已經(jīng)在《納米材料測(cè)試綜述》討論過，在此不再贅述。

I-V測(cè)試是納米線碳納米管最基本的電性能測(cè)試，SMU是基本測(cè)試以及不同種類的碳納米管，需不同的SM U進(jìn)行測(cè)試，SMU選擇依據(jù)為：

被測(cè)樣品電阻范圍施加或測(cè)試的電流范圍以及施加或測(cè)試的電壓范圍

被測(cè)樣品所需SMU通道數(shù)

被測(cè)樣品是否有脈沖測(cè)試需求

被測(cè)樣品是否有電容測(cè)試需求

SMU選型指南詳見《納米材料測(cè)試綜述》。

納米線/碳納米管及電子器件綜合測(cè)試方案：

硬件：

4200A-SCS主機(jī)

4200 SMU模塊，模塊數(shù)量由通道數(shù)決定

4200PA，選件，依據(jù)最小測(cè)試電流的數(shù)量與SMU模塊匹配

4225 PMU，選件，依據(jù)脈沖需求定，模塊數(shù)由通道數(shù)定，是否加放大器由最小測(cè)試電流定

4210CVU，選件，有電容特性測(cè)試需求時(shí)配置

納米探針臺(tái)（第三方）。

軟件：

Clarius

優(yōu)勢(shì)：

測(cè)試范圍寬，滿足全部種類納米線/碳納米管及其電子器件測(cè)試需求；

多種配置滿足不同的應(yīng)用需求；

內(nèi)置多種納米線/碳納米管器件庫(kù)，調(diào)用后自動(dòng)生成相應(yīng)器件的測(cè)試流程。

安泰測(cè)試致力于電子電力測(cè)試測(cè)量行業(yè)十二年，專注于電子電力檢測(cè)設(shè)備；公司具備專業(yè)的技術(shù)支持和選型能力，和泰克吉時(shí)利廠家建立了密切穩(wěn)定的合作關(guān)系，立足西北，服務(wù)全國(guó)的廣大客戶。歡迎有需求的電子電力工程師來電咨詢或者訪問安泰測(cè)試網(wǎng) 。

       由于ZnO具有寬的直接帶隙(3,37 eV)、大的激子結(jié)合能(60 meV)以及優(yōu)異的光學(xué)、壓電和光電性能等特性，越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域認(rèn)識(shí)到這種材料所帶來的好處，特別是在涉及半導(dǎo)體、壓電、光電和微納米級(jí)高柔性機(jī)械性能的應(yīng)用中，ZnO微/納米線通常是許多領(lǐng)域的重要材料，包括：a、紫外激光器，探測(cè)器和光電二極管:基于ZnO在室溫下的寬直接帶隙和大激子結(jié)合能；b、太陽能電池:ZnO微納米線具有較大的陽光吸收窗口，而摻雜是調(diào)節(jié)寬帶隙的有效方法；c、納米發(fā)電機(jī):由于半導(dǎo)體之間的強(qiáng)耦合特性，而ZnO微納米線具有壓電性；d、電化學(xué)應(yīng)用:生物和化學(xué)傳感器；e、光學(xué)和機(jī)械應(yīng)用:波導(dǎo)，應(yīng)變和納米力傳感器。

       陰極發(fā)光是研究半導(dǎo)體電子能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)。它的應(yīng)用領(lǐng)域包括缺陷分布分析、載流子動(dòng)力學(xué)和能帶結(jié)構(gòu)的表征，這些參數(shù)對(duì)提高高性能光學(xué)和電子器件的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。Attolight CL系統(tǒng)的特點(diǎn)引出了一個(gè)新的研究領(lǐng)域:1、納米結(jié)構(gòu)的全面表征:具有高達(dá)10nm的空間分辨率，它是研究局部和非局部應(yīng)變效應(yīng)最有力的工具之一，將對(duì)ZnO微納米線研究帶巨大影響；2、使用時(shí)間分辨升級(jí)，從而能在不同應(yīng)變狀態(tài)下得到ZnO微納米線的載流子擴(kuò)散和平均壽命；3、缺陷分析:對(duì)CL光譜的比較提供了缺陷級(jí)別的信息。