HS-DSC-101差示掃描量熱儀是一種測量參比端與樣品端的熱流差與溫度參數(shù)關(guān)系的熱分析儀器，主要應(yīng)用于測量物質(zhì)加熱或冷卻過程中的各種特征參數(shù)：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、氧化誘導(dǎo)期OIT、熔融溫度、結(jié)晶溫度、比熱容及熱焓等.

乳液聚合不同工藝及其對聚合物性能影響分析【武漢理工大學(xué)化學(xué)化工與生命科學(xué)學(xué)院 呂 彬，葉藍(lán)琳，陳黃津子，陳 濤，朱 巖】

GaN材料及其制備工藝

在理論上，GaN 材料的擊穿電場強(qiáng)度（約3×106V/cm）與SiC 材料接近，但受半導(dǎo)體工藝、材料晶格失配等因素影響，GaN 器件的電壓耐受能力通常在1000V 左右，安全使用電壓通常在650V 以下。隨著各項(xiàng)技術(shù)難點(diǎn)的攻克和先進(jìn)工藝的開發(fā)，GaN 必將作為新一代GX電源器件的制備材料。
（一）GaN 材料結(jié)構(gòu)及特性
GaN 是Ⅲ-V 族直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體，室溫下纖鋅礦結(jié)構(gòu)的禁帶寬度為3.26eV。GaN 有3 種晶體結(jié)構(gòu)形式，分別為纖鋅礦結(jié)構(gòu)、閃鋅礦結(jié)構(gòu)和巖鹽礦（Rocksalt）結(jié)構(gòu)。其中，纖鋅礦結(jié)構(gòu)是Ⅲ族氮化物中Z穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，閃鋅礦結(jié)構(gòu)以亞穩(wěn)相形式存在，而巖鹽礦結(jié)構(gòu)是在高壓條件下產(chǎn)生的。纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN 材料具有其他半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)異物理性能，如耐化學(xué)穩(wěn)定性、chao強(qiáng)硬度、超高熔點(diǎn)等，所以，GaN 基半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的耐壓、耐熱、耐腐蝕特性。圖4 為GaN 的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)和GaN 單晶。
圖4 GaN的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)（a）與GaN單晶（b）
（二）GaN 晶體的制備
GaN 的共價(jià)鍵鍵能較大（E=876.9kJ/mol），在2500℃熔點(diǎn)下，分解壓大約為4.5GPa， 當(dāng)分解壓低于4.5GPa 時(shí)，GaN 不熔化直接分解。所以一些典型的平衡方法（如提拉法和布里奇曼定向凝固法等），不再適用于GaN 單晶的生長。目前，只能采用一些特殊的方法來制備單晶，主要包括升華法、高溫高壓法、熔融結(jié)晶法和氫化物氣相外延法。其中，前3 種方法對設(shè)備和工藝都有嚴(yán)格要求，難以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的單晶生產(chǎn)，不能滿足商業(yè)化的要求，而氫化物氣相外延（Hydride Vapor-phaseEpitaxy，HVPE）方法是目前研究的主流。大多數(shù)可以商業(yè)化方式提供GaN 的均勻襯底都是通過這種方法生產(chǎn)的。該技術(shù)具有設(shè)備簡單、成本低、發(fā)展速度快等優(yōu)點(diǎn)。利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）技術(shù)可以生長出均勻、大尺寸的厚膜作為襯底。目前，該技術(shù)已經(jīng)成為制備外延厚膜Z有效的方法，并且生長的厚膜可以通過拋光或激光剝離襯底，作為同質(zhì)外延生長器件結(jié)構(gòu)的襯底。
氫化物氣相外延層的位錯(cuò)密度隨外延層厚度的增加而減小，因此，只要外延層的厚度達(dá)到一定值，就可以提高晶體質(zhì)量。通過HVPE 和空隙輔助分離法（Void-assisted Separation，VAS）可以制備具有高晶體質(zhì)量和良好再現(xiàn)性的大直徑獨(dú)立GaN 晶片，如圖5所示。采用表面覆蓋氮化鈦（TiN ）納米網(wǎng)的多孔GaN 模板，通過HVPE 生長了厚GaN 層，在 HVPE 生長過程中，這種生長技術(shù)在 GaN層和模板之間產(chǎn)生了許多小空隙，當(dāng)GaN層在生長以后容易與模板分開，并且獲得獨(dú)立的GaN 晶片，這些晶片直徑較大，表面呈鏡面狀，無裂縫，位錯(cuò)密度低。
圖5 HVPE+VAS法制備具有高晶體質(zhì)量和大直徑獨(dú)立的GaN 晶片
此外，可以采用MOCVD-GaN / 藍(lán)寶石襯底預(yù)處理工藝來制備GaN 厚膜。主要過程為采用等離子體化學(xué)氣相沉積法在MOCVD-GaN/ 藍(lán)寶石襯底上沉積一層厚度約500nm 的SiO2，然后用電子蒸氣機(jī)在襯底上蒸鍍和鍛造一層厚度約20nm 的Ti。退火后在SiO2 表面形成自組裝的Ni 納米團(tuán)簇，作為光刻掩模。光刻后，將基體置于熱HNO3 和氧化腐蝕劑中。去除Ti 和SiO2 后，通過反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)沉積一層SiO2，去除表面的SiO2，形成一層SiO2 包裹在邊緣的GaN 納米柱。Z后用HVPE 法在表面生長GaN，在冷卻過程中，GaN 發(fā)生自剝離。圖6 為HVPE 和納米簇自剝離技術(shù)制備GaN 單晶的過程示意圖。
圖6 HVPE+納米簇自剝離技術(shù)制備GaN單晶
上述方法不僅可以實(shí)現(xiàn)襯底的自剝離，而且可以形成一種特殊的結(jié)構(gòu)，可以緩沖晶體的生長速度，從而提高晶體的質(zhì)量，減少內(nèi)部缺陷。但這些預(yù)處理方法相對復(fù)雜，會(huì)浪費(fèi)大量時(shí)間，并且增加GaN 單晶的成本。
（三）GaN 異質(zhì)襯底外延技術(shù)
由于GaN 在高溫生長時(shí)N 的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN 單晶材料，因此，制備異質(zhì)襯底上的外延GaN 膜已成為研究GaN 材料和器件的主要手段。目前，GaN的外延生長方法有：HVPE、分子束外延（MBE）、原子束外延（ALE）和MOCVD。其中，MOCVD 是Z廣泛使用的方法之一。
當(dāng)前，大多數(shù)商業(yè)器件是基于異質(zhì)外延的，主要襯底是藍(lán)寶石、AlN、SiC 和Si。但是，這些基板和材料之間的晶格失配和熱失配非常大。因此，外延材料中存在較大的應(yīng)力和較高的位錯(cuò)密度，不利于器件性能的提高。圖7 為襯底材料的晶格失配和熱失配關(guān)系示意圖。
圖7 襯底材料的晶格失配和熱失配關(guān)系
1. SiC 襯底上GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長
由于SiC 的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于GaN、Si和藍(lán)寶石，所以SiC 與GaN 的晶格失配很小。SiC 襯底可以改善器件的散熱特性，降低器件的結(jié)溫。但GaN 和SiC 的潤濕性較差，在SiC 襯底上直接生長GaN 很難獲得光滑的膜。AlN 在SiC 基體上的遷移活性小，與SiC 基體的潤濕性好。因此，通常在SiC 基板上用AlN 作為GaN 外延薄膜的成核層，如圖8 所示。許多研究表明，通過優(yōu)化AlN 成核層的生長條件可以改善CaN 薄膜的晶體質(zhì)量。但生長在GaN 成核層上的GaN 薄膜仍然存在較大的位錯(cuò)密度和殘余應(yīng)力。AlN的熱膨脹系數(shù)遠(yuǎn)大于GaN，在AlN 上生長的GaN 薄膜在冷卻過程中存在較大的殘余拉應(yīng)力。拉伸應(yīng)力會(huì)在一定程度上積累，并以裂紋的形式釋放應(yīng)力。另外，AlN 的遷移活性較低，難以形成連續(xù)的膜，導(dǎo)致在AlN 上生長的GaN 薄膜位錯(cuò)密度較大。GaN 薄膜中的裂紋和位錯(cuò)會(huì)導(dǎo)致器件性能下降甚至失效。由于晶格失配較小，一旦潤濕層和裂紋問題得到解決，SiC 襯底上的GaN 晶體質(zhì)量要優(yōu)于Si 和藍(lán)寶石襯底上的GaN晶體，因此，SiC 襯底上的GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)2DEG 的輸運(yùn)性能更好。
圖8 AlN作為過渡層的微觀形貌
2. Si 襯底上GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長
目前，GaN 基電力電子器件的成本與Si 器件相比仍然非常昂貴。解決成本問題的唯yi途徑是利用Si 襯底外延制備GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)，然后利用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）技術(shù)制備GaN 基器件，使器件的性價(jià)比超過Si 器件。但與SiC 和藍(lán)寶石襯底相比，Si 襯底外延GaN 要難得多。GaN（0001）與Si（111）的晶格失配率高達(dá)16.9%，熱膨脹系數(shù)失配（熱失配）高達(dá)56%。因此，Si 襯底上GaN 的外延生長及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)在應(yīng)力控制和缺陷控制方面面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。
外延層材料的晶格常數(shù)差異，會(huì)導(dǎo)致Si 和GaN 外延層界面處的高密度位錯(cuò)缺陷。在外延生長過程中，大多數(shù)位錯(cuò)會(huì)穿透外延層，嚴(yán)重影響著外延層的晶體質(zhì)量。但由于兩層熱膨脹系數(shù)不一致，高溫生長后冷卻過程中整個(gè)外延層的內(nèi)應(yīng)力積累很大，發(fā)生翹曲并導(dǎo)致外延層開裂。隨著襯底尺寸的增大，這種翹曲和開裂現(xiàn)象會(huì)越來越明顯。
目前，插入層和緩沖層被廣泛應(yīng)用于解決Si 襯底上GaN 異質(zhì)外延的應(yīng)力問題，目前主流的3 種應(yīng)力調(diào)節(jié)方案如圖9 所示。
圖9 目前主流的3種應(yīng)力調(diào)節(jié)方案（a）低溫AlN插入層結(jié)構(gòu)；（b）GaN/AlN超晶格結(jié)構(gòu)；（c）AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)
插入層技術(shù)是引入一個(gè)或多個(gè)薄層插入層來調(diào)節(jié)外延層的內(nèi)應(yīng)力狀態(tài)，平衡在冷卻過程中由熱失配和晶格失配引起的外延層的拉應(yīng)力，目前采用低溫AlN 作為插入層來調(diào)節(jié)應(yīng)力狀態(tài)，如圖9（a）所示。
緩沖層技術(shù)提供了壓縮應(yīng)力來調(diào)整外延膜中的應(yīng)力平衡，目前常用的是AlGaN 梯度緩沖和AlN/(Al)GaN 超晶格緩沖，如圖9（b）、（c） 所示。上述方法都能提供壓應(yīng)力來平衡Si 基GaN 的拉應(yīng)力，使整個(gè)系統(tǒng)趨于應(yīng)力平衡。當(dāng)然，這些方法不能完全解決應(yīng)力問題。緩沖層的應(yīng)力調(diào)節(jié)機(jī)制尚不明確，有待于進(jìn)一步探索和優(yōu)化。
另外，還有報(bào)道采用表面活化鍵合（SAB）的低溫鍵合工藝將GaN 層轉(zhuǎn)移到SiC 和Si 襯底上，在室溫下直接鍵合制備GaN-on-Si 結(jié)構(gòu)和GaN-on-SiC 結(jié)構(gòu)， 通過氬（Ar）離子束源對晶圓表面進(jìn)行活化。在表面活化后，兩片晶圓將被結(jié)合在一起。與Al2O3（藍(lán)寶石）和SiC 襯底上生長的異質(zhì)外延層的質(zhì)量相比，Si 襯底上GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的質(zhì)量和電性能仍有很大差異。特別是Si 襯底上GaN 外延層存在殘余應(yīng)力和局域陷阱態(tài)。這些應(yīng)力和缺陷控制問題沒有從根本上得到解決，導(dǎo)致材料和器件的可靠性問題尤為突出。因此，如何在高質(zhì)量的Si 襯底上制備GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)仍是該領(lǐng)域的核心問題之一。

結(jié)束語

高頻、大功率、抗輻射、高密度集成寬禁帶半導(dǎo)體電子器件的研制，需要優(yōu)良的材料作基礎(chǔ)支撐。高品質(zhì)的SiC和GaN 器件需要利用外延材料制備有源區(qū)，因此，低缺陷襯底和高質(zhì)量外延層對器件性能起著至關(guān)重要的作用。近年來，SiC 和GaN功率器件的制造要求和耐壓等級(jí)不斷提高，對襯底和異質(zhì)結(jié)構(gòu)（GaN-on-SiC、GaN-on-Si）的缺陷密度及外延薄膜內(nèi)部的應(yīng)力平衡狀態(tài)都提出了更高的要求，目前通過利用AlN 作為過渡層、超晶格緩沖層等提供壓應(yīng)力，進(jìn)而調(diào)節(jié)外延層的內(nèi)部應(yīng)力以平衡狀態(tài)，未來對應(yīng)力調(diào)控尚有大量的工作需要進(jìn)行探索和優(yōu)化。

灰鑄鐵是一種含有碳、硅、錳等多種元素的鐵合金。它的強(qiáng)度之所以較低，是因其中所含有的碳元素大多以片狀石墨的形態(tài)存在。這些片狀石墨對基體組織起嚴(yán)重的割裂作用。因此，傳統(tǒng)的灰鑄鐵熔煉工藝是以降低含碳量來保證灰鑄鐵具有所要求的強(qiáng)度。但是，含碳量降低 會(huì)使灰鑄鐵的鑄造性能變差，容易出現(xiàn)縮孔、縮松、澆不足等鑄造缺陷。另外，在傳統(tǒng)工藝中，含錳量也控制得比較低，一般在0.5%-1.0%的范圍之內(nèi)。

 近年來，隨著鑄鐵凝固理論的發(fā)展，人們對錳在灰鑄鐵中的作用有了更深入的了解。我們根據(jù)這些新認(rèn)識(shí)，特別是從“高碳當(dāng)量、高強(qiáng)度灰鑄鐵”的生產(chǎn)工藝中受到啟發(fā)，改變傳統(tǒng)工藝中“雙低一高”(即低碳、低錳、高硅)的作法，以“雙高一低氣高碳、高錳，低硅的配料原則來編制灰鑄鐵的熔煉工藝。這樣做，不但提高了灰鑄鐵的機(jī)械性能，而且改善了鑄件的壁厚敏感性，消除了縮松、熱裂等鑄造缺陷。

 兩年多來，我們在生產(chǎn)中全面推廣了這種新工藝，使用不良生鐵生產(chǎn)出了水輪機(jī)、汽輪機(jī)、磚壓機(jī)、出口立鉆等重大產(chǎn)品的鑄件，并解決了生產(chǎn)中存在多年的難題.取得了較好的經(jīng)濟(jì)效益。

新工藝的理論依據(jù)

 過去，由于檢測手段的限制，人們在鑄鐵凝固研究中的ZD是研究凝固后的組織?，F(xiàn)在，檢測手段發(fā)展了，人們進(jìn)而可以研究凝固過程中的組織。通過研究，發(fā)現(xiàn)鑄鐵凝固過程中的奧氏體枝晶骨架是影響鑄鐵性能的重要因素。形象地說，灰鑄鐵可以看成是一種類似鋼筋混凝土的結(jié)構(gòu)。奧氏體枝晶就是鋼筋，共晶組織就是混凝土.金相分析證明.奧氏體枝晶是灰鑄鐵中的獨(dú)立組成相，即使通過共析轉(zhuǎn)變和共晶奧氏體結(jié)合，也仍然保持著自身的骨架形態(tài)和作用。因此，奧氏體枝晶的數(shù)量多、晶粒細(xì)小，必然使鑄鐵的強(qiáng)度提高。并且.枝晶的顯微硬度越高，鑄鐵的強(qiáng)度越高。奧氏體枝晶對鑄鐵的性能還有如下一些影響:

1.奧氏體枝晶與鑄鐵的顯微縮松

 鑄鐵的顯微縮松是由于枝晶間的凝固收縮得不到補(bǔ)償所致。根據(jù)鑄鐵凝固理論，在大多數(shù)情況下.灰鑄鐵的實(shí)際共晶轉(zhuǎn)變過程都是在已經(jīng)具有大量初生奧氏體骨架間的殘余鐵液中進(jìn)行的。通過電子金相技術(shù)觀察也發(fā)現(xiàn)，縮松處的奧氏體枝晶的空間形貌確實(shí)是框架結(jié)構(gòu)、因此，細(xì)化奧氏體枝晶，一方面可以提高鑄鐵的枝晶補(bǔ)縮(又稱過濾補(bǔ)縮)能力，減輕晶間縮松的傾向。另一方面。奧氏體枝晶越多、越細(xì)，骨架間殘余鐵液的體積被分隔得越小，繼續(xù)凝固時(shí)，即使得不到足夠的補(bǔ)縮，形成的空洞的體積也就越小.只要這些空洞小得足以不影響鑄件的使用，就可以認(rèn)為所得的鑄件是合格的?？傊瑠W氏體枝晶越小，鑄鐵的縮松傾向越小，組織越致密。

2.　奧低體枝晶與熱裂

根據(jù)鑄件熱裂形成機(jī)理中的強(qiáng)度理論，熱裂的產(chǎn)生是在鑄鐵凝固過程中一定溫度時(shí)(一般認(rèn)為是共晶反應(yīng)結(jié)束前后)，鑄件收縮受阻產(chǎn)生的應(yīng)力，大于該溫度下鑄鐵的強(qiáng)度極限，這樣就會(huì)形成熱裂。因此，提高鑄鐵的高溫強(qiáng)度，即提高奧氏體枝晶的強(qiáng)度，減小共晶反應(yīng)區(qū)間，有助于防止熱裂產(chǎn)生。

在研究灰鑄鐵斷裂中發(fā)現(xiàn)，奧氏體枝晶有阻礙裂紋擴(kuò)展的作用。裂紋遇到枝晶大多改變方向，沿枝晶外緣繼續(xù)擴(kuò)展。所以，細(xì)化奧氏體枝晶也有助于防止熱裂產(chǎn)生。

另外，裂紋形成后，如果還有殘余的液相被輸送到裂紋處，可以使這些裂紋“愈合”。因此，鑄鐵的枝晶補(bǔ)縮能力強(qiáng)也有助于防止熱裂產(chǎn)生。(摘自《電爐煉鋼》)

NJ-HW878A型高頻紅外元素分析儀可檢測的材料有：普碳鋼、低合金鋼、中合金鋼、高合金鋼、生鐵、灰鑄鐵、球墨鑄鐵、耐磨鑄鐵、鋁合金、銅合金、鐵礦石、鋅合金等。儀器可檢測所有常規(guī)元素C、S、Mn、P、Si、Cr、Ni、Mo、Cu、Ti、Al、W、V、Nb、Fe、ΣRe、Mg、Co、Sb、As、Sn、Pb等。

                                              南京諾金高速分析儀器廠

                                                  2020年6月20日

在過往的實(shí)驗(yàn)室天平專欄中，我們介紹了美國藥典（USP）的相關(guān)內(nèi)容，分別是“最小稱量值”、“重復(fù)性要求”、“準(zhǔn)確性要求”、“安全因子”、“性能驗(yàn)證”。接下來，我們會(huì)為大家?guī)碛卸嗥陉P(guān)于稱量的干擾因素以及相關(guān)解決方案的ZT內(nèi)容，幫助大家以正確的方式使用天平，確保稱量的準(zhǔn)確性。本期專欄，小梅為您帶來的分享內(nèi)容是 – 靜電電荷及其對稱量的影響，以及如何有效發(fā)現(xiàn)并遠(yuǎn)離靜電干擾。

什么是靜電？

靜電是非導(dǎo)電材料表面積聚的電荷。

靜電產(chǎn)生的原因是什么？

摩擦是產(chǎn)生靜電電荷的較常見方式，例如：

●用布擦干玻璃燒杯

●用一次性手套操作容量瓶

●拆開實(shí)驗(yàn)室容器的塑料袋

●以松散的材料填充容器（大量）

如何識(shí)別靜電？

存在靜電通常表現(xiàn)為：

●天平難以穩(wěn)定

●稱量值讀數(shù)漂移

●無法獲得可重復(fù)的稱量結(jié)果

●但是在一些情況下，即使存在靜電力，仍可獲得穩(wěn)定的讀數(shù)，這導(dǎo)致無法或很難識(shí)別靜電效應(yīng)的狀況。

靜電的效應(yīng)有哪些？

由于產(chǎn)生的電荷可為正極或負(fù)極，彼此相互吸引或排斥，因此報(bào)告的值可能大于或小于實(shí)際重量。

已經(jīng)觀察到1 - 100 mg誤差（當(dāng)稱量小樣品時(shí)誤差大）

干燥粉末非常易受靜電的影響，因而難以稱量。

如何控制靜電？

以下為關(guān)于可采用的實(shí)用解決方案的一些建議：

1. 防止靜電電荷積聚

使用導(dǎo)電或經(jīng)過處理的防靜電材料，塑料與玻璃容器會(huì)快速產(chǎn)生電荷，因此屬于非理想材料。

●操作時(shí)避免異種材料之間接觸

●避免對容器進(jìn)行不必要操作，尤其當(dāng)佩戴防護(hù)手套時(shí)

●增加空氣濕度（較佳45-60%）

●確保天平與秤盤接地

●避免穿著電絕緣鞋類

2.減少靜電電荷產(chǎn)生的力

●使用“易巧稱量件”盛放去皮容器，該工具在稱量期間作為法拉第籠屏蔽樣品電荷

●使用較小去皮容器

●確保樣品置于秤盤ZY

●使用導(dǎo)電襯底

3.消除靜電電荷

●使用大電壓去靜電裝置 （內(nèi)置或外置）消除樣品電荷

●使用放射性源去除空氣靜電

不過控制靜電電荷的較佳方式是首先避免產(chǎn)生靜電電荷！

什么是自動(dòng)靜電檢測？

StaticDetect?是一種獲得的ZL的創(chuàng)新技術(shù)，可對出現(xiàn)靜電電荷問題的天平用戶提供幫助，梅特勒-托利多XPR天平配備此技術(shù)。它利用傳感器自動(dòng)檢測去皮容器和/或樣品上是否存在靜電電荷。如果檢測到靜電電荷，則測量此電荷對稱量結(jié)果的影響程度。如果超出用戶定義的可接受限度，則會(huì)發(fā)出警告。天平終端屏幕上的圖標(biāo)指示是否存在靜電電荷。

●這種方法不受電磁干擾，在大范圍內(nèi)有效。

●它可在任何實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中，甚至可以在通風(fēng)櫥或隔離系統(tǒng)等具有挑戰(zhàn)性的條件下成功運(yùn)行。

●存在各種替代方法檢測物體是否帶有靜電電荷，但是這些方法均無法評估電荷影響所報(bào)告稱量值的范圍。

StaticDetect?過程需要的時(shí)間長度？

將樣品置于天平上并將門關(guān)閉后，靜電檢測周期會(huì)自動(dòng)開始。由于與稱量步驟同步進(jìn)行靜電檢測，而這僅僅需要幾秒鐘，因此在天平穩(wěn)定過程中通常不會(huì)延誤獲得稱重結(jié)果。

如何消除靜電干擾？

梅特勒-托利多有著豐富的去靜電組件，可以適配微量天平、分析天平甚至精密天平。通過高壓，在不影響樣品的前提下，有效去除靜電電荷，使得稱量遠(yuǎn)離靜電干擾！

好了，本期對于在稱量中如何有效避免靜電干擾的分享就到這里結(jié)束了。希望我們的專欄能幫助您了解更多的天平及稱量相關(guān)的知識(shí)與法規(guī)。在下期的內(nèi)容中，小梅會(huì)繼續(xù)為大家?guī)砀韶浄窒?，我們不見不散?/p>

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