Newport電控位移系統(tǒng)-控制器產(chǎn)品線

在科研和工業(yè)環(huán)境的位移系統(tǒng)應(yīng)用上，Newport有超過50年的產(chǎn)品設(shè)計和應(yīng)用經(jīng)驗，能提供非常廣的高性能運動控制的系統(tǒng)和方案，在幾乎所有的應(yīng)用領(lǐng)域，Newport都提供過各種不同的運動控制方案。

在這個過程中，Newport控制器產(chǎn)品線不斷發(fā)展壯大。依據(jù)客戶應(yīng)用需求，研發(fā)出適用于不同的應(yīng)用場景的不同型號和功能的控制器。如XPS系列控制器，它的出現(xiàn)推動了半導(dǎo)體前沿450mm晶圓加工系統(tǒng)的創(chuàng)新演變。又如，微型位移臺和緊湊型的促動器CONEX系列在診療設(shè)備以及生命和健康科學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛。

Newport開發(fā)的ESP技術(shù)，讓Newport平臺和驅(qū)動器在使用Newport兼容控制器時，真正的實現(xiàn)了即插即用技術(shù)。 XPS控制器也開發(fā)了配置向?qū)Чδ?，支持使用第三方平臺和促動器，電機可以是各種各樣的類型。包括直線電機、直流伺服、步進、壓電電機。XPS還包括很多模擬數(shù)字接口，來支持外部設(shè)備的接入。

XPS系列

XPS支持Z多8軸的應(yīng)用，有XPS-Q2、4、6、8四種型號可選。

l 高性能，1到8軸運動控制器可選，可控制步進電機、直流伺服電機、無刷電機、壓電電機、音圈電機以及其他電機

l 高速的10/100Base-TEthernet TCP/IP通訊接口，高達10KHz的伺服回路和可變的PID參數(shù)，低通陷波濾波器，線性誤差補償和3D誤差映射

l 種類繁多的控制 模式，包括點到點、速度剖面、線弧軌跡、樣條曲線、PVT軌跡、電子齒輪加速和模擬輸入跟蹤

l 多樣的外部設(shè)備和系統(tǒng)功能，包括4個模擬輸入和輸出，還有30路TTL輸入輸出

l 高速的數(shù)據(jù)采集，和事件觸發(fā)功能以及高同步性

ESP301系列

ESP301可控制Z多3軸運動，有ESP301-1、2、3可選。ESP301控制器具有集成的手動面板界面和自動配置功能，它是價格Z合理，操作Z簡單，功能Z全面的控制器。

l 采用額定電流3A的直流伺服電機和2相步進電機提供的通用驅(qū)動技術(shù)的1-3軸運動控制器

l ESP技術(shù)是Newport公司研發(fā)的便于安裝ESP型平臺的即插即用的兼容技術(shù)

l 1000X可編程微步分辨率確保進行超平穩(wěn)和低速步進定位

l 應(yīng)用于復(fù)雜運動控制的同步環(huán)形/線性查補和連續(xù)軌跡控制

l 便于快速連接電腦的USB2.0,RS232和可選的GPIB通信接口

CONEX-CC系列

外形小巧，價格低廉的CONEX-CC型驅(qū)動器特別適用于Newport低功率直流伺服電機驅(qū)動設(shè)備，CONEX-CC驅(qū)動器經(jīng)過預(yù)配置并提供了運動組件開箱即用的控制能力。我們提供的配置包括TRA促動器、LTA促動器、MFA線性平臺、SR50轉(zhuǎn)臺、PR50和BGS50轉(zhuǎn)臺。

l 便于串接更多模塊

l 電源可為Z多5個模塊供電

l 通用底板適用于所有CONEX型模塊

8742開環(huán)控制器

8742是一款4軸開環(huán)智能控制器，該產(chǎn)品是緊湊的、低成本的、把控制器和驅(qū)動器集成在一起，專門用于New Focus?的開環(huán)PicomotorTM產(chǎn)品。

l 智能4軸開環(huán)控制

l 緊湊、集成控制器和驅(qū)動器設(shè)計

l PicomotorTM自動檢測的革新技術(shù)

l 即插即用USB2.0通信

l 高級10/100以太網(wǎng)連接

l 嵌入式的動態(tài)HTTP服務(wù)器

l 容易使用的Windows應(yīng)用，可自動檢測設(shè)備

8743閉環(huán)控制器

8743-CL是一款2軸的閉環(huán)智能運動控制器，有兩個4腳RJ-22輸出接口，和兩個25pinD接頭，可以分配給編碼器。

l 智能2軸閉環(huán)控制

l 緊湊、集成控制器和驅(qū)動器設(shè)計

l PicomotorTM創(chuàng)新的自動檢測技術(shù)

l 即插即用USB2.0通信接口

l USB2.0 RS-485和先進的10/100Ethernet接口

l 嵌入式動態(tài)HTTP服務(wù)器

l 自動檢測設(shè)備使Windows應(yīng)用變得簡單

l 支持Labview和Windows DLL

l Newport運動控制的命令設(shè)置

在“光電子能譜儀器結(jié)構(gòu)與功能特點”的課程中，小伙伴們隨堂提出的問題，在此可以找到答案。希望這些答案能讓你更好的學(xué)習(xí)和使用XPS，同時也別忘了給我們多多轉(zhuǎn)發(fā)喲~

1.問：老師，收集電子與電子之間的動能也不一樣把？

答：是的，所有不同的KE電子都將進入輸入透鏡，從而進入分析儀。但是只有選定的KEZ終會到達檢測器。

2.問：輸入透鏡會改變電子的速度嗎？

答：是。 分析儀有兩種工作模式。在FAT模式（固定分析器能量傳輸）下，進入輸入透鏡的檢測電子將“減速”（所謂的延遲）。 但是Z終的概念是相同的，只有所選擇的特定能量電子Z終將到達檢測器。

3.問：透鏡巨電子的原理可以再講講嗎？

答：儀器真空中大部份外形就像是一塊甜甜圈形狀的導(dǎo)體。 在透鏡上施加負(fù)電壓，從而將收集的電子排斥回透鏡的ZX路徑或我們希望它們飛行的光路。

4.問：樣品不導(dǎo)電時就要進行電子補充來中和嗎？導(dǎo)電答：性非常好的樣品接地了，就不需要中和吧？

答：是, 半導(dǎo)體或絕緣體必須關(guān)雙束中和。 否則，就像我們解釋的那樣，樣品上在XPS激發(fā)電子(負(fù))離開時會對樣品本身累積正電荷，沒有雙束中和的話XPS結(jié)果光譜就會出現(xiàn)峰位移動或峰形狀變化。

導(dǎo)電樣品可以說是沒必要開中和。 但是，如果不確定，建議您啟用雙光束中和功能，因為它會自動運行。

5.問：測試時添加偏壓可以消除電荷嗎？效果怎樣？原位XPS對于普通樣能測嗎？可以通氣？

答：荷電的原因是由于樣品導(dǎo)電性不好, 因此給本身導(dǎo)電性就不好的樣本施加偏壓不會有“中和”效果. 也沒有幫助。 通常，在樣品上施加偏壓是出于其他目的，例如在UPS中，以使KE = 0的能位出現(xiàn)。

對于XPS，只要可以抽真空，基本上可以測試任何固體樣品。

通氣的話, 如講堂中提到XPSdiyi個要求是超高真空。 因此，對于任何XPS系統(tǒng)而言，實際上都是不可能原位通氣的。 但是，有一種稱為NAPXPS的技術(shù)，它允許在分析條件下進行氣體反應(yīng)。 但這是一種不同的技術(shù)。

6.問：離子刻蝕的速度大概有多快呢？大概時怎么樣一個量級呢？例子里刻蝕60A大概要多久？

答：對于單原子氬離子槍，束能量高達5kV。 它的速度可以高達數(shù)百納米/分鐘。

對于氬團簇離子源，對于有機材料刻蝕的效率特別高。 刻蝕速度也可以超過幾百納米/分鐘。

7.問：可以在濺射中進行刻蝕深度的表征嗎？刻蝕樣品時，刻蝕深度可以實時得到嗎？怎樣知道一個刻蝕過程的深度呢？

答：不可以。XPS系統(tǒng)的基本功能是XPS。 離子濺射源都是附加功能，它可以簡單地進行刻蝕。 不可能真正知道被刻蝕的實際深度。 通常，儀器會使用一些標(biāo)準(zhǔn)樣品來校準(zhǔn)刻蝕速率。 例如，我們可以在Si上使用100nm的SiO2薄膜進行刻蝕深度分析，以了解將氧刻蝕完需要多長時間,就可以知道大約的刻蝕速率。

但是，現(xiàn)實生活中的樣品肯定不會總是SiO2。 因此，寫論文的一種非常普遍的方法是，會加上一句如“在SiO2上的濺射速率為XXX nm / min”作為參考。

如果Z終真的想知道濺射深度的厚度，那么另一種方法是他們可以在深度分析之后取出樣品，然后通過表面輪廓儀（如AFM或Alpha step等）測試刻蝕坑深度。

8、問：請問老師樣品臺和樣品之間的雙面膠有什么要求嗎？為什么？

答：在大部份的例子中，Z好做用導(dǎo)電性好，黏性適中, 且對超高真空更適合(干凈且脫氣少)的雙面膠。例如雙面銅膠就會比碳膠好.

9、問：請問微區(qū)XPS需要什么額外配件么？是什么型號的呢？還有就是微區(qū)找樣的原理和步驟能說明一下么？因為實際找樣過程中，十分難找。

答：PHI XPS 定位非常方便，特別是微區(qū)。其他設(shè)備可能在定位時只使用光學(xué)鏡頭定位，其問題是光學(xué)看的一不一定就在X射線或分析器的光路上（特別如果是在百微米以下時）。在PHI設(shè)備在掃描聚焦X射線快速成像下，成的像就是從X射線源產(chǎn)生，因此可確保位置百分bai準(zhǔn)確，可以參考下圖如何在一兩分鐘完成準(zhǔn)確定位。

10、問：想請問老師半導(dǎo)體薄膜和金屬薄膜利用ups計算功函時有什么區(qū)別？利用譜圖計算時候，都要結(jié)合右邊的費米邊計算嗎？半導(dǎo)體薄膜是否可以測試出費米邊，測不出怎么計算？

答：首先要注意的是樣品制備。 在UPS中，當(dāng)我們要計算功函數(shù)或電離勢能時，我們知道需要對樣本施加偏壓，以使KE = 0起始邊可以在譜圖數(shù)據(jù)中顯示。 當(dāng)中，金屬樣品的實驗非常簡單，因為它們是導(dǎo)體。 同樣，對于金屬（導(dǎo)體），基本上我們可以預(yù)期費米邊將處于結(jié)合能= 0eV的位置（正確來說導(dǎo)體不存在HOMO或LUMO的概念，但由于以下會討論和半導(dǎo)體做比較，或者暫時可以想象導(dǎo)體的HOMO / LUMO / Fermi能級都在同一能級）。因此，整個功函數(shù)計算可以變得非常簡單，（請參見下圖）。

但是，對于半導(dǎo)體薄膜，diyi個重要的因素是如何提高樣品導(dǎo)電性。 因此，根據(jù)我們有關(guān)樣品制備的網(wǎng)絡(luò)課程，可以嘗試使用壓制Mask固定樣品或減少薄膜的厚度。 通常根據(jù)我們的經(jīng)驗，如果我們能夠使樣品表面對樣品托（地）的表面電阻在kohm范圍內(nèi)（當(dāng)然要盡可能?。┑脑?，那么該實驗就有可能可以成功。 在這種情況下，所有結(jié)果取決于譜圖的實際結(jié)果。 對于半導(dǎo)體，我們需要左側(cè)（KE = 0）和右側(cè)（費米邊緣和HOMO）來計算功函數(shù)和電離勢能（請參見下圖）。 如果無法顯示邊緣之一，則很可能表明您的樣品導(dǎo)電性仍然比較差，無法進行此實驗。 這時候唯yi可以做的就是回到“通過樣品制備來不斷提高樣品導(dǎo)電性”這一點。

11、    請問對于圖譜數(shù)據(jù)分析價帶導(dǎo)帶和費米能級位置時，有沒有什么標(biāo)準(zhǔn)

為了確定E0（onset），E-fermi，E-HOMO，E-LUMO的位置，Z常見的方法是通過用直線繪制上升和下降邊，然后將其交叉點定義為其能位，或者使用中點法，在 費米邊定義費米能級。 請參見下面的示例。

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