參與評論

評論

登錄后參與評論

全部評論(6條)

• 

  tiandexian 2006-01-07 00:00:00

  SD，DDR，DDR2

  贊(9)

  回復(fù)(0)

  評論

  評論

  登錄后參與評論

• 

  ttyhguu 2006-01-07 00:00:00

  有32M的，64M的，128M的，256M的，512M的

  贊(4)

  回復(fù)(0)

  評論

  評論

  登錄后參與評論

• 

  339542734 2006-01-07 00:00:00

  不同牌子的內(nèi)存看法都不一樣的，我收集了一些常用品牌的內(nèi)存讀法供參考： DDR SDRAM： HYNIX DDR SDRAM顆粒編號： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整個(gè)DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個(gè)重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。 顆粒編號解釋如下： 1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。 2． 內(nèi)存芯片類型：（5D=DDR SDRAM） 3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5． 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：（4＝4顆芯片；8＝8顆芯片；16＝16顆芯片；32＝32顆芯片） 6． 內(nèi)存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 內(nèi)核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作溫度：（I=工業(yè)常溫（-40 - 85度）；E=擴(kuò)展溫度（-25 - 85度）） 由上面14條注解，我們不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)Z終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實(shí)際含義，就能輕松實(shí)現(xiàn)對使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，它將明確的告訴消費(fèi)者，這款內(nèi)存實(shí)際的Z高工作狀態(tài)是多少。假如，消費(fèi)者買到一款這里顯示為L的產(chǎn)品（也就是說，它只支持DDR200） 注：有的編碼沒有那么長，但幾個(gè)根本的數(shù)字還是有的 LGS的內(nèi)存可以說是目前市場上見到的Z多，也是Z廣泛的內(nèi)存了，所以LGS應(yīng)該首先排diyi位。 LGS的內(nèi)存編碼規(guī)則： GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定義： 1、GM代表LGS公司。 2、72代表SDRAM。 3、V代表3V電壓。 4、內(nèi)存單位容量和刷新單位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。 5、數(shù)據(jù)帶寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。 6、芯片組成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 7、I／O界面：一般為1 8、產(chǎn)品系列：從A至F。 9、功耗：空白則是普通，L是低功 10、封裝模式：一般為T（TSOP） 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一說15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） 二、HY（現(xiàn)代HYUNDAI） 現(xiàn)代是韓國的內(nèi)存生產(chǎn)廠，其產(chǎn)品在國內(nèi)的占用量也很大。 HY的編碼規(guī)則： HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定義： 1、HY代表現(xiàn)代。 2、一般是57，代表SDRAM。 3、工藝：空白則是5V，V是3V。 4、內(nèi)存單位容量和刷新單位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。 5、數(shù)據(jù)帶寬：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。 6、芯片組成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O界面：一般為0 8、產(chǎn)品線：從A－D系列 9、功率：空白則為普通，L為低功耗。 10、封裝：一般為TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 三、SEC（三星SAMSUNG） 做為韓國的電器廠商，三星的重要性不必多說，在內(nèi)存方面，三星的產(chǎn)量雖然不及上兩者大，但是三星一直專注于高品質(zhì)、高性能的產(chǎn)品。三星的標(biāo)識不是很容易的就可以讀出來，而且三星的產(chǎn)品線較全，所以品種非常多，此處僅供普通SDRAM參考。 SEC編碼規(guī)則： KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM代表SEC三星，此處編碼一般均為4。 2、數(shù)據(jù)帶寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。 3、一般均為S 4、這個(gè)數(shù)乘以S前邊的位數(shù)就是內(nèi)存的容量。 5、一般均為0 6、芯片組成：2：2BANK，3：4BANK 7、I／O界面：一般為0 8、版本號 9、封裝模式：一般為T：TSOP 10、功耗：F低耗，G普通 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。 四、MT（MICRON美凱龍） 美凱龍是美國的計(jì)算機(jī)生產(chǎn)商，同時(shí)也是一家計(jì)算機(jī)設(shè)備制造商，其內(nèi)存的產(chǎn)品全美國，被廣泛的機(jī)器所采用。美凱龍內(nèi)存的品質(zhì)優(yōu)異，但價(jià)格較韓國的產(chǎn)品略高。 MT48 XX XX M XX AX TG－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT代表美凱龍MICRON 2、48代表SDRAM。 3、一般為LC：普通SDRAM 4、此數(shù)與M后位數(shù)相乘即為容量。 5、一般為M 6、位寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位 7、AX代表write Recovery(twr)，A2則代表twr=2clk 8、TG代表TSOP封裝模式。 9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X為從A到E：讀取的周期分別是：333，323，322， 222，222，所以D和E較好），10：10NS 10、如有L則為低功耗，空白則為普通。 五、HITACHI（日立HITACHI） 日立是日本的的微電子生產(chǎn)廠，其內(nèi)存雖然在市場上占有量不大，但品質(zhì)還是不錯(cuò)的！ HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HM代表日立。 2、52代表SDRAM，51則為EDO 3、容量 4、位寬：40：4位，80：8位，16：16位 5、一般為5 6、產(chǎn)品系列：A－F 7、功耗：L為低耗，空白則為普通 8、TT為TSOP封裝模式 9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3） 六、SIEMENS（西門子） 西門子是德國Z大的產(chǎn)業(yè)公司，其產(chǎn)品包羅萬向，西門子的電子產(chǎn)品也是歐洲Z大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西門子的內(nèi)存產(chǎn)品多為臺灣的OEM廠商制造的，產(chǎn)品品質(zhì)還算不錯(cuò)。 HYB39S XX XX 0 X T X －X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HYB代表西門子 2、39S代表SDRAM 3、容量 4、位寬：40：4位，80：8位，16：16位 5、一般為0 6、產(chǎn)品系列 7、一般為T 8、L為低耗，空白為普通 9、速度： 6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS 七、FUJITSU（富士通FUJITSU） 富士通是日本專業(yè)的計(jì)算機(jī)及外部設(shè)備制造商，他的內(nèi)存產(chǎn)品主要是供應(yīng)OEM商，市場上僅有少量零售產(chǎn)品。 MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、MB81代表富士通的SDRAM 2、PC100標(biāo)準(zhǔn)的多為F，普通的內(nèi)存為1 3、容量 4、位寬：4：位，8：8位，16：16位，32：32位 5、芯片組成：22：2BANK，42：4BANK 6、產(chǎn)品系列 7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS 八、TOSHIBA（東芝） 東芝是日本的電器制造商，其在高端領(lǐng)域也有產(chǎn)品，例如計(jì)算機(jī)產(chǎn)品及通訊衛(wèi)星等等。TOSHIBA的內(nèi)存產(chǎn)品在市場上見到的不多。 TC59S XX XX X FT X－XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1、TC代表東芝 2、59S代表普通SDRAM 3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT 4、位寬：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位 5、產(chǎn)品系列：A－B 6、FT為TSOP封裝模式 7、空白為普通，L為低功耗 8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3） 九、MITSUBISHI（三菱） 三菱是日本的一家汽車制造公司，因其多元化發(fā)展，所以在IT業(yè)和家電業(yè)也有產(chǎn)品，三菱的微集成電路技術(shù)不同一般，所以其在內(nèi)存領(lǐng)域也占有一席之地，因?yàn)樗俣取⑵焚|(zhì)優(yōu)異，而成為INTEL的PII／PIIICPU的緩存供應(yīng)商。普通SDRAM方面，因?yàn)檩^貴，所以市場上少見。 M2 V XX S X 0 X TP－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、M2代表三菱產(chǎn)品 2、I／O界面。一般為V 3、容量 4、一般為S，說明是SDRAM 5、位寬：2：4位，3：8位，4：16位 6、一般為0 7、產(chǎn)品系列 8、TP代表TSOP封裝 9、速度： 8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。 10、空白為普通，L為低耗。

  贊(10)

  回復(fù)(0)

  評論

  評論

  登錄后參與評論

• 

  l329634408 2006-01-07 00:00:00

  內(nèi)存條分為:EDO\SDRAM\DDRRAM\DDR2\RDRAM，這幾種. 前者EDO是早期的內(nèi)存條486以前.速度慢，72線. SD內(nèi)存條是486時(shí)用的內(nèi)存條.我現(xiàn)在用的也是這種.速度一般.它的型號分為:PC66\PC100\PC133\PC150這幾種，平時(shí)我們用的Z多是就是PC133的那種了，也有用PC100的 DDR內(nèi)存條的速度是SD內(nèi)存條的兩倍，也是當(dāng)今內(nèi)存的主流，型號分為:PC1600\PC2100\PC2700\PC3200\PC3500 對就的:ddr200\ddr266\ddr333\ddr400\ddr433! 內(nèi)存條上都貼有容量.一般都能夠看得到的.希望能夠幫到你~!

  贊(1)

  回復(fù)(0)

  評論

  評論

  登錄后參與評論

• 

  如果沒有你冰 2006-01-07 00:00:00

  常有的內(nèi)存主要分為：SDRAM，DDRSDRAM和DDR2SDRAM三種。 SDRAM的中文含義是“隨機(jī)動態(tài)儲存器”DDR中文含義是“雙倍速率隨機(jī)儲存器” 傳統(tǒng)的SDRAM內(nèi)存的金手指部分有兩個(gè)缺口，有168個(gè)接觸點(diǎn)。 而DDRSDRAM內(nèi)存的金手指有184個(gè)接觸點(diǎn) DDR2SDRAM內(nèi)存的金手指有240個(gè)接觸點(diǎn)

  贊(20)

  回復(fù)(0)

  評論

  評論

  登錄后參與評論

• 

  zvskwyiir79744 2017-10-02 00:00:00

  目前內(nèi)存的類型主要有3種：SDRAM（同步動態(tài)隨即存取存儲器）、DDRAM（雙倍傳輸速度隨即存取存儲器，簡稱DDR）、RDRAM（總線式動態(tài)隨即存取存儲器），目前SDRAM基本被淘汰，只有那種老一點(diǎn)的電腦是SDRAM SDRAM的內(nèi)存條上（就是那一排插槽的地方）中間有2條用來間隔的空隙DDRAM的內(nèi)存條上中間只有1條用來間隔的空隙。RDRAM內(nèi)存條插槽，找個(gè)賣電腦的或到電腦商城什么的地方問一下就可以了。 一塊主板不能同時(shí)支持SDRAM和DDRAM這兩種型號。 DDRAM和SDRAM的也好象不能 你可以到中關(guān)村在線查一下，支持什么樣的內(nèi)存  http://www.zol.com.cn/ 直接輸入主板型號，查主板參數(shù)就可以找到 DDR 內(nèi)存是看起來是豎著一片一片的長方體內(nèi)存顆粒. DDR2 內(nèi)存看起來內(nèi)存顆粒是小些，橫著正方體的. DDR 和DDR2的缺口的位置都不一樣，缺口不同， DDR 分:133 266 333 400 DDR2 分: 533 667等

  贊(2)

  回復(fù)(0)

  評論

  評論

  登錄后參與評論