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問(wèn)答社區(qū)

太陽(yáng)能電池內(nèi)量子效率外量子效率及測(cè)試

發(fā)過(guò)很多9 2010-08-01 23:11:39 765  瀏覽
  • 太陽(yáng)能電池的量子效率是如何定義的? 內(nèi)量子效率和外量子效率有什么區(qū)別? 他們又是如何測(cè)量的 ? 謝謝,請(qǐng)指教!

參與評(píng)論

全部評(píng)論(2條)

  • 名表維修7 2010-08-02 00:00:00
    通常被提到的兩種太陽(yáng)能電池量子效率: ★外量子效率(External Quantum Efficiency, EQE),太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與外部入射到太陽(yáng)能電池表面的一定能量的光子數(shù)目之比。 ★內(nèi)量子效率(Internal Quantum Efficiency, IQE),太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與外部入射到太陽(yáng)能電池表面的沒(méi)有被太陽(yáng)能電池反射回去的,沒(méi)有透射過(guò)太陽(yáng)能電池的,一定能量的光子數(shù)目之比。 從上面可以看到,內(nèi)量子效率的基數(shù)考慮了損耗(包括反射和復(fù)合),所以一般內(nèi)量子效率要比外量子效率大。 內(nèi)外量子一般用“光譜響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)(光源、單色儀,斬波器、鎖相放大器,積分球等搭建的測(cè)試平臺(tái))”來(lái)測(cè)量,基本原理就跟定義里一樣,至于具體的原理,建議參考一下相關(guān)文獻(xiàn)或光譜響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)的說(shuō)明書。 OK,我只能說(shuō)這么多了。

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    評(píng)論

  • llt3811 2016-12-01 18:26:40
    太陽(yáng)能電池的量子效率是指太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與照射在太陽(yáng)能電池表面一定能量的光子數(shù)目的比率。因此,太陽(yáng)能電池的量子效率與太陽(yáng)能電池對(duì)照射在太陽(yáng)能電池表面的各個(gè)波長(zhǎng)的光的響應(yīng)有關(guān)。 通常被提到的兩種太陽(yáng)能電池量子效率: 外量子效率(External Quantum Efficiency, EQE),太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與外部入射到太陽(yáng)能電池表面的一定能量的光子數(shù)目之比。 內(nèi)量子效率(Internal Quantum Efficiency, IQE),太陽(yáng)能電池的電荷載流子數(shù)目與外部入射到太陽(yáng)能電池表面的沒(méi)有被太陽(yáng)能電池反射回去的,沒(méi)有透射過(guò)太陽(yáng)能電池的,一定能量的光子數(shù)目之比。 太陽(yáng)能電池(光電材料)量子效率測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介 太陽(yáng)能電池(光電材料)光譜響應(yīng)測(cè)試,或稱量子效率QE(Quantum Efficiency)測(cè)試,或光電轉(zhuǎn)化效率IPCE (Monochromatic Incident Photon-to-Electron Conversion Efficiency) 測(cè)試等,廣義來(lái)說(shuō),就是測(cè)量光電材料的光電特性在不同波長(zhǎng)光照條件下的數(shù)值,所謂光電特性包括:光生電流、光導(dǎo)等。我公司的光譜測(cè)試系統(tǒng)由寬帶光源、單色儀、信號(hào)放大模塊、光強(qiáng)校準(zhǔn)模塊、計(jì)算機(jī)控制和數(shù)據(jù)采集處理模塊組成。我們可以與用戶密切協(xié)作,根據(jù)用戶需要測(cè)試的樣品的類型、測(cè)試指標(biāo)、測(cè)試條件,設(shè)計(jì)和組建Z適合每個(gè)客戶測(cè)試需要的系統(tǒng)。 文章來(lái)自一個(gè)論壇,叫做“光電前沿”,如果想了解更多,可以搜一下,很容易找到”光電前沿“這個(gè)論壇。

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太陽(yáng)能電池內(nèi)量子效率外量子效率及測(cè)試
太陽(yáng)能電池的量子效率是如何定義的? 內(nèi)量子效率和外量子效率有什么區(qū)別? 他們又是如何測(cè)量的 ? 謝謝,請(qǐng)指教!
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太陽(yáng)能電池外量子效率測(cè)量和內(nèi)量子效率測(cè)量
太陽(yáng)能電池外量子效率測(cè)量和內(nèi)量子效率測(cè)量有什么區(qū)別?采用的是同一臺(tái)設(shè)備嗎?
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太陽(yáng)能電池內(nèi)量子效率外量子效率及測(cè)試設(shè)備哪些廠家生產(chǎn)的比較知名?。?
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2018-12-18 06:08:33 376 0
吉時(shí)利源表在太陽(yáng)能電池特性測(cè)試中的應(yīng)用

太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)增加了對(duì)太陽(yáng)能電池測(cè)試和測(cè)量解決方案的需求,尤其是太陽(yáng)能性能的測(cè)試顯得尤為重要。太陽(yáng)能電池從研發(fā)到生產(chǎn),每個(gè)環(huán)節(jié)都有不同的測(cè)試需求,其光電特性包括伏安I-V特性、光譜響應(yīng)SR特性和量子效率QE特性,其中I-V特性分析對(duì)推導(dǎo)有關(guān)太陽(yáng)能電池性能的重要參數(shù)至關(guān)重要,主要包括ZD電流Imax和電壓Vmax、開(kāi)路電壓Voc、短路電流Isc、填充因子ff以及轉(zhuǎn)換效率η等。

為精確完成太陽(yáng)能電池I-V特性測(cè)試,測(cè)試者需要用太陽(yáng)能模擬器光源在一定距離內(nèi)輻照到樣品上,然后用精密的電學(xué)儀器來(lái)測(cè)量I-V特性曲線,從而得到電池的參數(shù)。

無(wú)光照時(shí),測(cè)量太陽(yáng)能電池IV特性需提供指定的直流偏壓,測(cè)得正向偏壓時(shí)的IV特性曲線;在不加偏壓時(shí),用各波長(zhǎng)入射光照射測(cè)量太陽(yáng)能電池在不同負(fù)載條件下IV特性(多片串聯(lián)負(fù)載特性更明顯),測(cè)量短路電流Isc、開(kāi)路電壓Voc、ZD功率、ZJ工作電流和電壓。吉時(shí)利源表2400系列,集電壓源、電流源、電壓表、電流表和歐姆表一體,提供精密電壓源和電 流源以及測(cè)量功能,可完全滿足太陽(yáng)能電池IV特性測(cè)試需求。

光譜響應(yīng)SR是評(píng)價(jià)太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換能力指標(biāo)。提供各波長(zhǎng)入射光,接收到入射光后轉(zhuǎn)換成的電流與入射光能量之比即為光譜響應(yīng)SR,吉時(shí)利源表2400系列可JZ測(cè)量光電流完成SR電流特性測(cè)試。

一般電源只提供第1象限和第3象限操作,作為源放出能量,吉時(shí)利源表2400系列可以提供完整的四象限運(yùn)行,當(dāng)工作在第2和第4象限時(shí),可以作為阱(負(fù)載)吸收能量,在源或阱模式下能測(cè)量電壓、電流和電阻。

高精密源表是太陽(yáng)能電池測(cè)試中的重要設(shè)備,吉時(shí)利源表的高精度源測(cè)量功能,它集5臺(tái)儀器的功能于一體,是太陽(yáng)能電池特性測(cè)試的理想選擇。如果您想了解吉時(shí)利源表更多產(chǎn)品應(yīng)用歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

2021-07-23 10:51:35 486 0
薄膜太陽(yáng)能電池和聚合物太陽(yáng)能電池有何不同
 
2017-04-25 18:51:42 307 1
誰(shuí)能告訴我太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池的區(qū)別咯
 
2016-03-02 05:04:45 404 1
PV Measurements太陽(yáng)能電池IPCE測(cè)試系統(tǒng)可以測(cè)量EQE和IQE嗎?
PV Measurements太陽(yáng)能電池IPCE測(cè)試系統(tǒng)可以測(cè)量外量子效率EQE和內(nèi)量子效率IQE嗎?
2015-01-22 03:49:21 582 1
跪求太陽(yáng)能電池光譜特性測(cè)試研究論文xdjm們幫發(fā)296441153@qq.com
還有2問(wèn)題:1、設(shè)計(jì)太陽(yáng)能電池的伏安特性和功率電流特性測(cè)試方法? 2、測(cè)試不同的色光下的太陽(yáng)能電池的特性?
2010-03-12 16:28:03 464 2
薄膜太陽(yáng)能電池有哪些
 
2018-11-25 01:35:27 431 0
電池隔膜透氣度測(cè)試方法及測(cè)試原理

隔膜是制作鋰離子電池時(shí)使用的一種重要的原材料,它的主要作用是隔開(kāi)正負(fù)極,并作為離子往返于正負(fù)極的通道。隔膜上的微孔結(jié)構(gòu)正是這些離子往返于正負(fù)極的重要通道,它的透氣性能會(huì)直接影響到電池的性能。因此,對(duì)隔膜透氣度的測(cè)試非常有利于鋰離子電池的設(shè)計(jì)和制造。

測(cè)試方法

電池隔膜透氣度測(cè)試方法,采用透氣測(cè)量工藝,其特點(diǎn)是電池隔膜透氣度測(cè)試工藝過(guò)程包括:固定電池隔膜,在隔膜一側(cè)施加氣壓,計(jì)量氣壓壓降和所用時(shí)間,檢測(cè)隔膜的透氣度。

在固定電池隔膜的情況下,對(duì)隔膜一側(cè)施加一定氣壓,由于隔膜上存在的微孔,該氣壓會(huì)逐漸降低,直到等于大氣壓力。比較壓力從初始?jí)毫档浇K止壓力所用的時(shí)間,便可知該隔膜的透氣度。通過(guò)比較不同隔膜的壓降時(shí)間,即可對(duì)它們的透氣度性能進(jìn)行比較。壓降時(shí)間越小,表明透氣性能越好。整個(gè)測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單、快捷,數(shù)據(jù)能直接反應(yīng)隔膜的透氣性能,具有顯著的實(shí)用性。

在整個(gè)過(guò)程中,應(yīng)注意:1、確保測(cè)試裝置密封,且密封過(guò)程不會(huì)損傷隔膜。2、初始?jí)毫χ挡灰诉^(guò)大,以免損傷隔膜。3、在對(duì)不同鋰離子電池隔膜進(jìn)行測(cè)試時(shí),應(yīng)該有確定的初始?xì)鈮褐岛徒K止氣壓值,這樣記錄的時(shí)間才具有比較意義。

鋰電池隔膜的透氣性、面密度、吸堿百分比等參數(shù)都是相互關(guān)聯(lián)的。如果隔膜透氣性很大,則隔膜的面密度就會(huì)有所降低,這會(huì)對(duì)電池的性能產(chǎn)生一定的影響。但是如果其它各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到理想的范圍內(nèi),而隔膜的透氣性卻不好,一樣會(huì)影響電池的性能,因此對(duì)隔膜的透氣性進(jìn)行檢測(cè)是很有必要的。

測(cè)試原理

在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中,1.21kPa壓力下,記錄100mL測(cè)試氣體通過(guò)特定面積的電池隔膜所需要的時(shí)間。

測(cè)試儀器

PB-03 透氣度測(cè)試儀,采用體積法(王研式法)測(cè)試原理,專業(yè)適用于電池隔膜、透氣膜及相關(guān)聚合物材料的氣體滲透性能測(cè)試,也適用于卷煙紙及各種紙張的氣體滲透性能測(cè)試。

技術(shù)指標(biāo)

測(cè)試范圍:30 ~ 1500 s/100mL(其他范圍可定制);0.1 ~ 4 um/(Pa·s)

體積分辨率:0.001 mL

體積精度:1%

壓力范圍:0 ~ 5 kPa

壓力精度:0.01 kPa

測(cè)試腔:3套

試樣尺寸:4 x 4 mm

試樣厚度:0 ~ 5 mm

試樣面積:6.45 cm2

氣體規(guī)格:干燥氣體 (氣源用戶自備)

試驗(yàn)壓力:0.4 ~ 0.6 MPa

接口尺寸:Ф6 mm聚氨酯管

外形尺寸:300 mm (L) × 440 mm (W) × 350 mm (H)

電源:AC 220V 50Hz

凈重:20 kg

濟(jì)南賽成儀器一直致力于為大部分國(guó)家客戶提供高性價(jià)比的整體解決方案,公司的核心宗旨就是持續(xù)創(chuàng)新,打造高精尖檢測(cè)儀器,滿足行業(yè)內(nèi)不同客戶的品控需求,期待與行業(yè)內(nèi)的企事業(yè)單位增進(jìn)交流和合作。

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2022-05-31 16:44:28 558 0
晶圓測(cè)試及芯片測(cè)試

一、需求目的:1、熱達(dá)標(biāo);2、故障少 1KJ[&jS ]
二、細(xì)化需求,怎么評(píng)估樣品:1、設(shè)計(jì)方面;2、測(cè)試方面 ): r'IR
三、具體到芯片設(shè)計(jì)有哪些需要關(guān)注: MW=rX>tE
1、頂層設(shè)計(jì) k\ZU%"^J
2、仿真 Ppx4#j
3、熱設(shè)計(jì)及功耗 B<~BX [
4、資源利用、速率與工藝 -&QpQ7q1
5、覆蓋率要求 ytV4qU82G
6、 t~Ic{%bdA
四、具體到測(cè)試有哪些需要關(guān)注: SW HiiF@
1、可測(cè)試性設(shè)計(jì) W=,]#Z+M;
2、常規(guī)測(cè)試:晶圓級(jí)、芯片級(jí) 8Z 0@-8vi
3、可靠性測(cè)試 c{jTCkzq
4、故障與測(cè)試關(guān)系 K=dG-+B~}
5、 W@~a#~1O
+V#dJ[,8;.
測(cè)試有效性保證; |Lc.XxBkc
設(shè)計(jì)保證?測(cè)試保證?篩選?可靠性?  x![ut  
設(shè)計(jì)指標(biāo)?來(lái)源工藝水平,模塊水平,覆蓋率 cn'r BY

晶圓測(cè)試:接觸測(cè)試、功耗測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、輸出電平測(cè)試、全面的功能測(cè)試、全面的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、   模擬信號(hào)參數(shù)測(cè)試。 Nh6!h%
晶圓的工藝參數(shù)監(jiān)測(cè)dice, V j[,o Vt$
:/;;|lGw
Ul|htB<1:
芯片測(cè)試:ATE測(cè)試項(xiàng)目來(lái)源,邊界掃描 `L.nj6F
=8 DS~J{
  a!;K+wL>
故障種類: :n oZ p:a
缺陷種類: 0|(6q=QK
針對(duì)性測(cè)試: fc%C!^7
~Ecx>f4nX
性能功能測(cè)試的依據(jù),可測(cè)試性設(shè)計(jì):掃描路徑法scan path、內(nèi)建自測(cè)法BIST-built in self-test YKa9]Q
|PLWF[+t8
t;lK=m|
芯片資源、速率、功耗與特征尺寸的關(guān)系; szy2"~hm
仿真與誤差, {z8wFL\
n 預(yù)研階段 Vc "+|^
n 頂層設(shè)計(jì)階段 !Ee&e~"
n 模塊設(shè)計(jì)階段 e`% <D[-
n 模塊實(shí)現(xiàn)階段 Bv}nG|
n 子系統(tǒng)仿真階段 oh >0}Gc8
n 系統(tǒng)仿真,綜合和版面設(shè)計(jì)前門級(jí)仿真階段 r6}-EYq=
n 后端版面設(shè)計(jì) LLwC*)#
n 測(cè)試矢量準(zhǔn)備 <*djtO
n 后端仿真 mB*;> 
n 生產(chǎn) eo4v[V&
n 硅片測(cè)試 N1'$;9 c
頂層設(shè)計(jì): @Y+9")?
n 書寫功能需求說(shuō)明 _MUSXB'
n 頂層結(jié)構(gòu)必備項(xiàng) <7J\8JR&=
n 分析必選項(xiàng)-需要考慮技術(shù)靈活性、資源需求及開(kāi)發(fā)周期 !Bb^M3iA  
n 完成頂層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)說(shuō)明 -2y>X`1Y
n 確定關(guān)鍵的模塊(盡早開(kāi)始) ~6Hi"w
n 確定需要的第三方IP模塊 W/
n 選擇開(kāi)發(fā)組成員 IsB=G-s
n 確定新的開(kāi)發(fā)工具 6ieP` bct
n 確定開(kāi)發(fā)流程/路線 >3y:cPTM5
n 討論風(fēng)險(xiǎn) GhY MO6Q4
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