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  miloao 2007-07-24 00:00:00

  那要看什么金屬拉！不同的金屬有不同的極限頻率，如果紫外線的頻率達(dá)到字金屬的極限頻率的話就回發(fā)生光電效應(yīng)

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  逆柩芒 2007-07-25 00:00:00

  關(guān)鍵是看紫外線的光子能否把電子從金屬中激發(fā)出來，并且在外加電場(chǎng)下形成電流了。

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  花卷好可愛 2007-07-25 00:00:00

  只要頻率足夠，會(huì)產(chǎn)生電流的 詳見人教版物理選修3-5光電反應(yīng)一章

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  wangxinzhe119 2007-07-24 00:00:00

  那得看是什么金屬，只有金屬的閾值頻率小于紫外光頻率才能產(chǎn)生光電流，詳細(xì)請(qǐng)見光電效應(yīng)詞條

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  野花太放肆1 2007-07-24 00:00:00

  愛因斯坦的光電效應(yīng)，只要光線的頻率大于等于金屬的固有頻率，就會(huì)發(fā)生。金屬表面放出電子。

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  綾瀨宿據(jù) 2007-07-24 00:00:00

  光電效應(yīng)：光照射到某些物質(zhì)上，引起物質(zhì)的電性質(zhì)發(fā)生變化，這類光致電變的現(xiàn)象統(tǒng)稱光電效應(yīng)。 diyi節(jié)：外光電效應(yīng)（1887年德國(guó)赫茲、1888年霍爾瓦克斯） （1）單光子光電效應(yīng)： 實(shí)驗(yàn)規(guī)律：1：一定頻率的光照射到陰極K時(shí)，只要有足夠的加速電壓，光電流正比于光強(qiáng)。 2：每種金屬存在一個(gè)足以發(fā)生光電效應(yīng)的Z低頻率ν（0）（紅限）當(dāng)ν<ν（0）時(shí)無光電子，ν>ν（0）時(shí)立刻發(fā)射光電子。 3：光電子從金屬表面逸出時(shí)，Z大初動(dòng)能（1/2）mv^2與光的頻率有線性關(guān)系，與入射光強(qiáng)無關(guān)。 1905年愛因斯坦提出光量子理論，外光電效應(yīng)方程：hν=(1/2)mv^2+φ (φ為金屬逸出功) 1930年制成光電管后又制成光電倍增管（PMT）通道式電子倍增管（CEM） （2）多光子光電效應(yīng)： 一個(gè)電子吸收多個(gè)光子即為多電子光電效應(yīng)，n光子光電流與光強(qiáng)的n次方成正比。 第二節(jié)：光電導(dǎo)效應(yīng)（內(nèi)光電效應(yīng)） 光照時(shí)，電導(dǎo)率發(fā)生變化或產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)叫做光電導(dǎo)效應(yīng)。 （1）對(duì)于半導(dǎo)體：V(e)=-μ(e)E，V(n)=μ(n)E （μ為遷移率） j(e)=-neV(e)，j(n)=peV(n)，則：j=j(e)+j(n)=σE 故電導(dǎo)率σ=e(nμ(e)+pμ(n))，與載流子的濃度和遷移率有關(guān)。 （2）光電導(dǎo)：有光時(shí)，σ=σ（0）+△σ，△σ=e(△nμ(e)+△pμ(n)) △σ稱光電導(dǎo)率，△σ/σ（0）稱靈敏度（越大越好） λ<=hc/E(g)時(shí)才可能產(chǎn)生光電導(dǎo)。 （3）光電導(dǎo)探測(cè)器： 1：光敏電阻（材料：CdS，CdSe等）。 2：紅外光電導(dǎo)探測(cè)器（材料：PbS，PbSe，PbTe，Hg(1-x)CdxTe，Pb(1-x)SnxTe） (4)應(yīng)用：1：光電導(dǎo)攝像管。2：高速光開關(guān)（材料：GaAs，InP，InSb）。3：靜電復(fù)印。 第三節(jié)：光生伏應(yīng)：光照下產(chǎn)生電位差或電動(dòng)勢(shì)。 （1）丹倍效應(yīng)（1919年發(fā)現(xiàn)，1931年由丹倍闡明）： 由于光生非平衡載流子擴(kuò)散速度的差異直接引起了光照方向的電場(chǎng)和電位差，這種效應(yīng)被稱為丹倍效應(yīng)。 單倍電勢(shì)差：Vx=(kT/e)((μ(n)-μ(p))/(n(0)μ(n)))((△p0)-(△pd)) (D/μ=kT/e為愛因斯坦關(guān)系)。 （2）光磁電效應(yīng)（1931年） 在垂直光照方向上（z向）再加一磁場(chǎng)，則在半導(dǎo)體的兩側(cè)端面間產(chǎn)生電位差，稱為光磁電效應(yīng)。 對(duì)N型半導(dǎo)體：Vy=(l/d)(B(z)(μ(n)+μ(p))/(n(0)μ(n)))D(p)(△p)。 短路電流：Is=-B(z)D(p)(μ(n)+μ(p))b(△p)。 注：當(dāng)外磁場(chǎng)不垂直于y軸，而是斜置于yz平面，則By分量與開路電流相互作用，引起轉(zhuǎn)矩，稱光學(xué)機(jī)械效應(yīng)。 Ge，InSb，InAs，PbS，CdS可制成半導(dǎo)體紅外探測(cè)器。 （3）PN結(jié)光生伏應(yīng)（1839年法國(guó)貝克勒爾） 當(dāng)光照射在距表面很近的PN結(jié)時(shí)，會(huì)在PN結(jié)上產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，稱為PN結(jié)光生伏應(yīng)。 光生電流：Il=eS(Lp+Ln)G (S為結(jié)面積，G為單位時(shí)間單位體積內(nèi)產(chǎn)生的電子（或空穴）) 無光時(shí)：I=I0(exp(eV/(kT))-1) (I0為反向飽和電流) 有光時(shí)：I'=I-Il 光電池?cái)嗦冯妷海篤(oc)=(kT/e)ln(Il/I0+1) 應(yīng)用：1：光敏二極管PD。2：光敏三極管。3：PIN光敏二極管。4：雪崩光敏二極管（APD）

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