Q：為何俄歇譜縱坐標(biāo)是：電子數(shù)和能量乘積，XPS的縱坐標(biāo)是只有電子數(shù)而沒有能量?

A：請(qǐng)參考我們的俄歇講堂第二課有關(guān)硬件原理的回放視頻。

Q：俄歇和XPS都用SCA，為何得到信號(hào)不同？

A：首先，我不確定我是否清楚這個(gè)問(wèn)題。因此，我會(huì)以兩種方式作出回答。diyi種回答：XPS是通過(guò)用X射線轟擊樣品,從而產(chǎn)生包括光電子，俄歇電子和二次電子。 結(jié)果中XPS能譜將是這三種電子的疊加。對(duì)于AES，它是由電子擊中樣本，產(chǎn)生俄歇電子，二次電子和背散射電子。結(jié)果譜將是這三種電子的疊加。因此，如果我們的問(wèn)題是為什么XPS和AES的“信號(hào)”不同，可以如以上的方法解釋。第二種回答：對(duì)于XPS分析，能量分析器將以FAT模式工作，輸入透鏡會(huì)對(duì)正在偵測(cè)電子減速至同一的動(dòng)能，以讓分析器的通過(guò)能保持不變。 對(duì)于俄歇分析，能量分析器將以FRR模式工作，偵測(cè)中的電子會(huì)以固定的減速比進(jìn)入能量分析器，并時(shí)通過(guò)能實(shí)際上持續(xù)變化。 因此，結(jié)果圖譜也將有所不同。

Q：高和低電子束分析時(shí)，樣品深度不一樣嗎？

A：偵測(cè)深度不會(huì)隨著入射電子束能量的升高或降低而改變。AES是表面分析技術(shù)，因?yàn)楫a(chǎn)生的俄歇電子僅具有?5nm的非彈性平均自由程。無(wú)論入射電子束能量是高還是低，這都是相同的。但是，需要注意的一件事是，更高或更低的入射電子束能量將極大地改變背散射電子的行為，當(dāng)中在SEM和AES的結(jié)果都會(huì)因?yàn)檫@因素而受到影響。

Q：彈性散射峰的強(qiáng)度忽高忽低，為啥？

A：通常，在進(jìn)行Zalign調(diào)整工作距離時(shí)，我們會(huì)看到彈性峰在Z合適的Z值處達(dá)到Z大訊號(hào)強(qiáng)度。如果您看到強(qiáng)度信號(hào)不穩(wěn)，Z好請(qǐng)工程師進(jìn)行檢查出真正的原因。

Q：AES能做元素價(jià)態(tài)分析嗎？

A：可以。如ppt材料（以及下面）所示，AES能夠?qū)崿F(xiàn)一些化學(xué)態(tài)面掃(Map)分析。

Q：高能區(qū)域的峰信號(hào)弱，怎樣改善?

A：可以使用更高的入射電子束能量以獲得在這動(dòng)能的俄歇峰更好的信噪比。通常我們會(huì)說(shuō)，如果感興趣的俄歇峰 > 1000eV動(dòng)能，Z好使用較高的入射電子束能量（例如10kV），而如果感興趣的俄歇峰位于較低的KE范圍（<1000eV），那么可以使用較低的入射電子束能量（例如3kV或5kV）去獲得更好的峰值訊噪比圖譜結(jié)果。

Q：如有重疊峰，軟件可以依據(jù)次強(qiáng)峰去自動(dòng)換算?

A：是的，MultiPak可以很容易地做到這一點(diǎn)。只需將選定的元素改成所希望用的另一軌道的峰(e.g.Cu1改到Cu2)，就可以使用同元素不同軌道俄歇峰做定量。

Q：定量計(jì)算式，需要扣除背底嗎?

A：在XPS中我們是使用峰的面積進(jìn)行定量計(jì)算，而在AES中，我們則是使用微分譜中峰對(duì)峰(Peak-to-Peak)強(qiáng)度去做定量計(jì)算。因此，對(duì)于AES定量分析，并不存在扣背景扣除的概念。但是像在PPT講堂中提到，另一些時(shí)侯如背景太高而影響峰形時(shí),或需要判斷化學(xué)態(tài)峰形狀等原因，有時(shí)我們是會(huì)需要對(duì)俄歇原始數(shù)據(jù)進(jìn)行背景扣除的。

AES系列講座雖然已經(jīng)結(jié)束

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