一、光纖記錄工作原理

人類的大腦擁有約900億個(gè)神經(jīng)元，神經(jīng)元之間通過(guò)突觸相互連接形成了復(fù)雜的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，并由此產(chǎn)生各種復(fù)雜的功能。大腦能夠合成和釋放上百種神經(jīng)遞質(zhì)，神經(jīng)信號(hào)通過(guò)突觸釋放的神經(jīng)遞質(zhì)從而在神經(jīng)元之間進(jìn)行傳遞（圖1）。

圖1

當(dāng)神經(jīng)興奮傳導(dǎo)到突觸末端時(shí)，會(huì)刺激突觸上鈣離子通道打開(kāi)促使鈣離子大量?jī)?nèi)流，胞內(nèi)鈣離子濃度瞬時(shí)上升，驅(qū)動(dòng)突觸小泡將神經(jīng)遞質(zhì)釋放到突觸間隙中，釋放出的神經(jīng)遞質(zhì)隨即與突觸后膜上的受體結(jié)合，將遞質(zhì)信號(hào)傳遞給下一個(gè)神經(jīng)元，從而進(jìn)行信息的逐級(jí)傳遞（圖2）。這些神經(jīng)元以復(fù)雜的通路投射到多個(gè)腦區(qū)，產(chǎn)生了學(xué)習(xí)認(rèn)知、情感、控制、動(dòng)機(jī)、獎(jiǎng)勵(lì)等豐富的功能。光纖記錄系統(tǒng)則可以通過(guò)檢測(cè)鈣離子和神經(jīng)遞質(zhì)的熒光變化程度來(lái)表征群體神經(jīng)元的活動(dòng)情況。

圖2

那么光纖記錄是如何檢測(cè)神經(jīng)活動(dòng)的呢？

以鈣離子熒光信號(hào)檢測(cè)為例，光纖記錄系統(tǒng)的技術(shù)原理是借助鈣離子濃度變化與神經(jīng)元活動(dòng)之間的嚴(yán)格對(duì)應(yīng)關(guān)系，利用特殊的熒光染料或者蛋白質(zhì)熒光探針，將神經(jīng)元中鈣離子的濃度通過(guò)熒光強(qiáng)度表現(xiàn)出來(lái)，并被光纖記錄系統(tǒng)捕捉，從而達(dá)到檢測(cè)神經(jīng)元活動(dòng)的目的。

在神經(jīng)系統(tǒng)中，靜息狀態(tài)時(shí)神經(jīng)元胞內(nèi)鈣離子濃度為50-100nM，而在神經(jīng)元興奮時(shí)胞內(nèi)鈣離子濃度能上升10-100倍，因此我們可以通過(guò)注射鈣離子基因編碼指示劑（Calcium indicator，如GCaMPs、RCaMPs等）來(lái)標(biāo)記鈣離子。鈣離子指示劑帶有熒光蛋白（如GFP、RFP等）及其變異體的蛋白質(zhì)，可與鈣調(diào)蛋白（CaM）和肌球蛋白輕鏈激酶M13域結(jié)合（圖3左）。當(dāng)神經(jīng)活動(dòng)增強(qiáng)時(shí)鈣離子通道打開(kāi)，大量鈣離子內(nèi)流并與CaM結(jié)合，導(dǎo)致M13和CaM結(jié)構(gòu)域相互作用，引發(fā)cpEGFP結(jié)構(gòu)重排，從而增強(qiáng)綠色熒光信號(hào)（圖3 右）。

因此我們可以通過(guò)檢測(cè)鈣信號(hào)的變化來(lái)表征神經(jīng)元的活動(dòng)，進(jìn)而研究神經(jīng)元活動(dòng)與動(dòng)物行為的相關(guān)性，探究復(fù)雜行為背后的調(diào)控機(jī)制。

圖3

(Marisela Morales, et al. Neuron, 2020)

圖4：VTA-VGluT2神經(jīng)元編碼先天逃避反應(yīng)

光纖記錄檢測(cè)神經(jīng)遞質(zhì)信號(hào)的原理與上述方法相同，把cpEGFP嵌入特定的神經(jīng)遞質(zhì)受體，受體與神經(jīng)遞質(zhì)結(jié)合后會(huì)引發(fā)受體構(gòu)象改變并發(fā)出熒光信號(hào)（圖5）。通過(guò)病毒注射、轉(zhuǎn)染等技術(shù)手段，可以將這種可遺傳編碼的探針表達(dá)在細(xì)胞或小鼠腦部，借助成像技術(shù)，觀察神經(jīng)遞質(zhì)濃度的實(shí)時(shí)變化。

圖5

(Yulong Li, et al. Cell, 2018)

圖6：條件反射實(shí)驗(yàn)中伏隔核Nac腦區(qū)的DA釋放

二、光纖記錄實(shí)驗(yàn)方法

在光纖記錄實(shí)驗(yàn)中，首先要選擇合適的熒光病毒。熒光染料或指示劑是通過(guò)病毒載體轉(zhuǎn)入目標(biāo)腦區(qū)，常用載體為AAV病毒。根據(jù)實(shí)驗(yàn)的不同，需要選擇特異啟動(dòng)子或者Cre-FloxP系統(tǒng)來(lái)特異標(biāo)記目標(biāo)神經(jīng)元，無(wú)特異性的GCaMPs表達(dá)雖然可以觀測(cè)群體神經(jīng)元活動(dòng)但無(wú)神經(jīng)元特異性，光纖記錄的作用在于觀測(cè)特異類型神經(jīng)元群體的活動(dòng)。

實(shí)驗(yàn)流程：

1、在目標(biāo)腦區(qū)注射鈣熒光病毒，并在注射位點(diǎn)埋植光纖插針，用于收集熒光；

圖7：病毒注射與陶瓷插針埋植

2、待2-3周鈣熒光病毒表達(dá)后，連接光纖，使用光纖記錄系統(tǒng)采集動(dòng)物在行為學(xué)實(shí)驗(yàn)中大腦的鈣熒光信號(hào)；

圖8：病毒表達(dá)

3、通過(guò)分析軟件處理鈣熒光信號(hào)數(shù)據(jù)，并結(jié)合行為學(xué)視頻對(duì)動(dòng)物的行為進(jìn)行分析。

圖9：光纖記錄結(jié)合高架十字迷宮實(shí)驗(yàn)

三、光纖記錄數(shù)據(jù)分析

以瑞沃德R820三色光纖記錄系統(tǒng)記錄的數(shù)據(jù)為例。

1、數(shù)據(jù)預(yù)處理。R820三色光纖記錄系統(tǒng)軟件集信號(hào)采集與數(shù)據(jù)分析于一體，在數(shù)據(jù)分析中，數(shù)據(jù)預(yù)處理過(guò)程包含平滑處理，基線矯正，運(yùn)動(dòng)矯正等功能。

平滑處理可以將數(shù)據(jù)中的過(guò)多雜信號(hào)去除，最大限度的突出目標(biāo)peak?；€矯正多數(shù)針對(duì)的是熒光信號(hào)因長(zhǎng)時(shí)間記錄導(dǎo)致漂白信號(hào)逐步下降，或者光纖的自發(fā)熒光在長(zhǎng)期記錄下逐步被漂白基線逐步下降等情況。此情形的數(shù)據(jù)因?yàn)檎w呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，不利于后續(xù)數(shù)據(jù)作圖分析，所以需要進(jìn)行基線矯正。運(yùn)動(dòng)矯正用于采用410nm對(duì)照通道的數(shù)據(jù)，410nm數(shù)據(jù)可以用于反應(yīng)背景噪音信號(hào)，運(yùn)動(dòng)矯正即將410nm數(shù)據(jù)與470nm數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，通過(guò)算法從470數(shù)據(jù)中去除410nm數(shù)據(jù)的波動(dòng)，得到真實(shí)的熒光數(shù)據(jù)。

圖10：光纖記錄數(shù)據(jù)預(yù)處理

2. 將熒光數(shù)據(jù)與動(dòng)物行為數(shù)據(jù)同步對(duì)比，選擇事件標(biāo)記或者增加事件標(biāo)記，事件相關(guān)信號(hào)分析作圖。

圖11：事件分析

3. 將不同組的數(shù)據(jù)進(jìn)行組間對(duì)比，即可分析不同處理因素下熒光數(shù)據(jù)的差異。此外，還可結(jié)合行為學(xué)視頻同步分析動(dòng)物的運(yùn)動(dòng)軌跡。

圖12：不同數(shù)據(jù)組間分析

通過(guò)以上步驟，原始的熒光數(shù)據(jù)就可以直接出圖啦。

光纖記錄實(shí)驗(yàn)的工作原理，實(shí)驗(yàn)方法以及數(shù)據(jù)分析已經(jīng)全部講完啦….

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讓實(shí)驗(yàn)信號(hào)更強(qiáng)更準(zhǔn)

一、磁控濺射的工作原理：

磁控濺射是一種常用的物理氣相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。

磁控濺射的工作原理是：在高真空的條件下充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽(yáng)極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使氬氣發(fā)生電離（在高壓作用下Ar 原子電離成為Ar+離子和電子），入射離子（Ar+）在電場(chǎng)的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動(dòng)能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar+ 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái)。

二、磁控濺射優(yōu)點(diǎn)：

（1）沉積速率快，沉積效率高，適合工業(yè)生產(chǎn)大規(guī)模應(yīng)用；在沉積大部分的金屬薄膜，尤其是沉積高熔點(diǎn)的金屬和氧化物薄膜時(shí)，如濺射鎢、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜，具有很高的沉積率。

（2）基片溫度低，適合塑料等不耐高溫的基材鍍膜；

（3）制備的薄膜純度高、致密性好、薄膜均勻性好、膜基結(jié)合力強(qiáng)。濺射薄膜與基板有著極好的附著力，機(jī)械強(qiáng)度也得到了改善；濺射的薄膜聚集密度普遍提高了，從顯微照片看，濺射的薄膜表面微觀形貌比較精致細(xì)密，而且非常均勻。

（4）可制備金屬、合金、半導(dǎo)體、鐵磁材料、絕緣體（氧化物、陶瓷）等薄膜；

（5））濺射的薄膜均具有優(yōu)異的性能。如濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能及某些特殊性能；

（6）環(huán)保無(wú)污染。傳統(tǒng)的濕法電鍍會(huì)產(chǎn)生廢液、廢渣、廢氣，對(duì)環(huán)境造成嚴(yán)重的污染。不產(chǎn)生環(huán)境污染、生產(chǎn)效率高的磁控濺射鍍膜法則可較好解決這一難題。

三、磁控濺射技術(shù)的分類：

（一）磁控濺射按照電源的不同，可以分為直流磁控濺射（DC）和射頻磁控濺射（RF）。

　　顧名思義，直流磁控濺射運(yùn)用的是直流電源，射頻磁控濺射運(yùn)用的是交流電源（射頻屬于交流范疇，頻率是13.56MHz。我們平常的生活中用電頻率為50Hz）。

　　兩種方式的用途不太一樣，直流磁控濺射一般用于導(dǎo)電型（如金屬）靶材的濺射，射頻一般用于非導(dǎo)電型（如陶瓷化合物）靶材的濺射。

　　兩種方式的不同應(yīng)用

　　直流磁控濺射只能用于導(dǎo)電的靶材（靶材表面在空氣中或者濺射過(guò)程中不會(huì)形成絕緣層的靶材），并不局限于金屬。譬如，對(duì)于鋁靶，它的表面易形成不導(dǎo)電的氧化膜層，造成靶表面電荷積累（靶中毒），嚴(yán)重時(shí)直流濺射無(wú)法進(jìn)行。這時(shí)候，就需要射頻電源，簡(jiǎn)單的說(shuō)，用射頻電源的時(shí)候，有一小部分時(shí)間是在沖抵靶上積累的電荷，不會(huì)發(fā)生靶中毒。

　　射頻磁控濺射一般都是針對(duì)絕緣體的靶材或者導(dǎo)電性相對(duì)較差的靶材，利用同一周期內(nèi)電子比正離子速度快進(jìn)而沉積到靶材上的電子數(shù)目比正離子數(shù)目多從而建立起自偏壓對(duì)離子進(jìn)行加速實(shí)現(xiàn)靶的濺射。

　　兩種方式的特點(diǎn)：

　　1、直流濺射：對(duì)于導(dǎo)電性不是很好的金屬靶，很難建立較高的自偏壓，正離子無(wú)法獲得足夠的能量去轟擊靶材

　　2、射頻的設(shè)備貴，直流的便宜。

（二）磁控濺射按照磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)，可以分為平衡磁控濺射和非平衡磁控濺射。

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng)。沉積室充入一定量的工作氣體，通常為Ar，在高壓作用下Ar 原了電離成為Ar+離子和電子，產(chǎn)生輝光放電，Ar+ 離子經(jīng)電場(chǎng)加速轟擊靶材，濺射出靶材原子、離子和二次電子等。電子在相互垂直的電磁場(chǎng)的作用下，以擺線方式運(yùn)動(dòng)，被束縛在靶材表面，延長(zhǎng)了其在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過(guò)程，電離出更多的離子，提高了氣體的離化率，在較低的氣體壓力下也可維持放電，因而磁控濺射既降低濺射過(guò)程中的氣體壓力，也同時(shí)提高了濺射的效率和沉積速率。

但平衡磁控濺射也有不足之處，例如：由于磁場(chǎng)作用，輝光放電產(chǎn)生的電子和濺射出的二次電子被平行磁場(chǎng)緊緊地約束在靶面附近，等離子體區(qū)被強(qiáng)烈地束縛在靶面大約60 mm 的區(qū)域，隨著離開(kāi)靶面距離的增大，等離子濃度迅速降低，這時(shí)只能把工件安放在磁控靶表面50～100 mm的范圍內(nèi)，以增強(qiáng)離子轟擊的效果。這樣短的有效鍍膜區(qū)限制了待鍍工件的幾何尺寸，不適于較大的工件或裝爐量，制約了磁控濺射技術(shù)的應(yīng)用。且在平衡磁控濺射時(shí)，飛出的靶材粒子能量較低，膜基結(jié)合強(qiáng)度較差，低能量的沉積原子在基體表面遷移率低，易生成多孔粗糙的柱狀結(jié)構(gòu)薄膜。提高被鍍工件的溫度固然可以改善膜層的結(jié)構(gòu)和性能，但是在很多的情況下，工件材料本身不能承受所需的高溫。

非平衡磁控濺射的出現(xiàn)部分克服了以上缺點(diǎn)，將陰極靶面的等離子體引到濺射靶前200～300 mm 的范圍內(nèi)，使基體沉浸在等離子體中，如圖所示。這樣，一方面，濺射出來(lái)的原子和粒子沉積在基體表面形成薄膜，另一方面，等離子體以一定的能量轟擊基體，起到離子束輔助沉積的作用，大大的改善了膜層的質(zhì)量。

非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)，一種是其芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度比外環(huán)高，磁力線沒(méi)有閉合，被引向真空室壁，基體表面的等離子體密度低，因此該方式很少被采用。另一種是外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度高于芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度，磁力線沒(méi)有完全形成閉合回路，部分外環(huán)的磁力線延伸到基體表面，使得部分二次電子能夠沿著磁力線逃逸出靶材表面區(qū)域，同時(shí)再與中性粒子發(fā)生碰撞電離，等離子體不再被完全限制在靶材表面區(qū)域，而是能夠到達(dá)基體表面，進(jìn)一步增加鍍膜區(qū)域的離子濃度，使襯底離子束流密度提高，通?？蛇_(dá)5 mA/cm2 以上。這樣濺射源同時(shí)又是轟擊基體表面的離子源，基體離子束流密度與靶材電流密度成正比，靶材電流密度提高，沉積速率提高，同時(shí)基體離子束流密度提高，對(duì)沉積膜層表面起到一定的轟擊作用。

非平衡磁控濺射離子轟擊在鍍膜前可以起到清洗工件的氧化層和其他雜質(zhì)，活化工件表面的作用，同時(shí)在工件表面上形成偽擴(kuò)散層，有助于提高膜層與工件表面之間的結(jié)合力。在鍍膜過(guò)程中，載能的帶電粒子轟擊作用可達(dá)到膜層的改性目的。比如，離子轟擊傾向于從膜層上剝離結(jié)合較松散的和凸出部位的粒子，切斷膜層結(jié)晶態(tài)或凝聚態(tài)的優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)，從而生更致密，結(jié)合力更強(qiáng)，更均勻的膜層，并可以較低的溫度下鍍出性能優(yōu)良的鍍層。該技術(shù)被廣泛應(yīng)用于制備各種硬質(zhì)薄膜。

（三）反應(yīng)磁控濺射：以金屬、合金、低價(jià)金屬化合物或半導(dǎo)體材料作為靶陰極，在濺射過(guò)程中或在基片表面沉積成膜過(guò)程中與氣體粒子反應(yīng)生成化合物薄膜，這就是反應(yīng)磁控濺射。反應(yīng)磁控濺射廣泛應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)，這是因?yàn)椋?/p>

（1）反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料 ( 單元素靶或多元素靶 ) 和反應(yīng)氣體 ( 氧、氮、碳?xì)浠衔锏?) 純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。

（2）通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù) , 可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性。

（3）反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板升溫較小，而且制膜過(guò)程中通常也不要求對(duì)基板進(jìn)行高溫加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。

（4） 反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬(wàn)平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。

四、磁控濺射的應(yīng)用：

磁控濺射技術(shù)是一種非常有效的沉積鍍膜方法，非常廣泛的用于薄膜沉積和表面覆蓋層制備?？杀挥糜谥苽浣饘?、半導(dǎo)體、鐵磁材料、絕緣體（氧化物、陶瓷）等多材料，尤其適合高熔點(diǎn)和低蒸汽壓的材料沉積鍍膜在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積所需組分的混合物、化合物薄膜；在濺射的放電氣中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；且設(shè)備簡(jiǎn)單、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)。

磁控濺射目前是一種應(yīng)用十分廣泛的薄膜沉積技術(shù),濺射技術(shù)上的不斷發(fā)展和對(duì)新功能薄膜的探索研究,使磁控濺射應(yīng)用延伸到許多生產(chǎn)和科研領(lǐng)域。

（1）在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長(zhǎng)困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。包括歐姆接觸的Al、Cu、Au、W、Ti等金屬電極薄膜及可用于柵絕緣層或擴(kuò)散勢(shì)壘層的TiN、Ta2O5、TiO、Al2O3、ZrO2、AlN等介質(zhì)薄膜沉積。

（2）磁控濺射技術(shù)在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面也得到應(yīng)用。在透明導(dǎo)電玻璃在玻璃基片或柔性襯底上,濺射制備SiO2薄膜和摻雜ZnO或InSn氧化物(ITO)薄膜，使可見(jiàn)光范圍內(nèi)平均光透過(guò)率在90%以上。透明導(dǎo)電玻璃廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。

（3）在現(xiàn)代機(jī)械加工工業(yè)中,利用磁控濺射技術(shù)制作表面功能膜、超硬膜，自潤(rùn)滑薄膜，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。

磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域,還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽(yáng)能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。

五、磁控濺射的實(shí)用案例：

圖1 磁控濺射制備的MoS2薄膜，相比于CVD法，成功在低溫下制備了垂直片層的MoS2薄膜

圖2 磁控濺射法制備SiC多層薄膜用于鋰電池正極，可得到有均勻調(diào)制周期和調(diào)制比的多層薄膜

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什么是CEMS？

 一、CEMS概要介紹
CEMS概念
英文Continuous Emission Monitoring System的縮寫。煙氣連續(xù)排放監(jiān)測(cè)系統(tǒng)可對(duì)固定污染源長(zhǎng)時(shí)間在線連續(xù)監(jiān)測(cè)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)污染物的排放濃度，計(jì)算排放率、排放總量。＞并將數(shù)據(jù)上傳到上級(jí)（或兒級(jí)》環(huán)保部門的監(jiān)拉ZX，確保排污企業(yè)污染物濃度和排放總量達(dá)標(biāo)。》各種相關(guān)的環(huán)保設(shè)備如脫硫、脫銷等裝置，也衣示CEMS的數(shù)捌進(jìn)行監(jiān)控和管理，以提高環(huán)保設(shè)施的效率。

CEMS的主要測(cè)量參數(shù)
污染物主要付：一氧化洗（S02) 氨氧化物 KNOX) 顆粒物《附生》煙氣參數(shù)主要有 氧合量（02) 煙氣治案（流冊(cè)）煙前運(yùn)及，濕度和在大等＞其他參數(shù)：C0. (2 HCLBF H.SS

煙氣排放連續(xù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)由顆粒物測(cè)量子系統(tǒng)、氣態(tài)污染物測(cè)量子系 統(tǒng)、 煙氣參數(shù)測(cè)量子系統(tǒng)、 數(shù)據(jù)采集與分析子系統(tǒng)組成。 通過(guò)直接測(cè)量分析（顆粒物）和抽取采樣方式（氣態(tài)污染物），測(cè)定煙氣中污染物濃度，同時(shí)測(cè)定煙氣溫度、煙氣壓力、煙氣流速、煙氣含氧量、排放量；顯示各監(jiān)測(cè)參數(shù)的報(bào)表。

系統(tǒng)組成

1、顆植物測(cè)量子系統(tǒng)：

煙塵測(cè)定儀：測(cè)定煙塵 含量。 包括：01主機(jī)、探頭02信號(hào)輸出： 4-20mA

氣態(tài)污染物測(cè)量子系統(tǒng)：

氣體分析儀，具有校準(zhǔn)功能。 校準(zhǔn)時(shí)間及周期根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況確2、取樣探頭，具有自加熱及溫控功能

溫控伴熱取樣營(yíng)線，取樣營(yíng)材質(zhì)為聚四氟乙烯

預(yù)處理系統(tǒng)包括：制冷器、排水泵、防腐取樣泵、精密過(guò)濾器、電磁閥等

煙氣參數(shù)測(cè)量子系統(tǒng)：

1、溫度、壓力、流速等在線監(jiān)測(cè)儀器

系統(tǒng)控制、數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)：

1、數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)硬件

2、煙氣排放連續(xù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)軟件

特點(diǎn)

1、準(zhǔn)確度高：采用紫外光譜分析技術(shù)，水分的影響小，精度和靈敏度高

2、方便實(shí)用：顯示存儲(chǔ)與予敗日里單元集成于體，安裝簡(jiǎn)單，操作方便

3、穩(wěn)定性強(qiáng)：關(guān)鍵器件均選用世界－)M產(chǎn)品，保證了整個(gè)設(shè)備的穩(wěn)定性

CEMS-8000 VOCs 固定污染源揮發(fā)性有機(jī)物連續(xù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)由由在線氣相色譜儀、煙氣采樣探頭子系統(tǒng)、預(yù)處理子系統(tǒng)、供氣子系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集及處理子系統(tǒng)、溫壓流子系統(tǒng)組成。

可實(shí)現(xiàn)管道樣品中粉塵的有效去除，防止煙氣中的粉塵進(jìn)入到分析系統(tǒng)中，對(duì)系統(tǒng)器件造成損壞，影響儀器的使用壽命；樣品傳輸管路加熱至恒定溫度，保證樣品的穩(wěn)定傳輸，有效防止樣品在傳輸過(guò)程中的損失，提高樣品檢測(cè)的準(zhǔn)確度。

在線氣相色譜儀采用先進(jìn)的色譜分離檢測(cè)技術(shù)，檢測(cè)量程寬、檢測(cè)靈敏度高，可有效監(jiān)測(cè)煙氣排放前非甲烷總烴的濃度變化；測(cè)量信號(hào)送入數(shù)據(jù)采集與處理子系統(tǒng)，通過(guò)模擬信號(hào)傳輸至DCS 系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)工作現(xiàn)場(chǎng)的無(wú)人值守連續(xù)監(jiān)測(cè)運(yùn)行。該系統(tǒng)具有現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)傳輸功能，可通過(guò)DCS 系統(tǒng)監(jiān)控測(cè)試結(jié)果變化趨勢(shì)。

整套系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，動(dòng)態(tài)范圍廣，實(shí)時(shí)性強(qiáng)，組網(wǎng)靈活，運(yùn)行成本低，同時(shí)系統(tǒng)采用模塊化結(jié)構(gòu)，組合方便。并且能夠與企業(yè)內(nèi)部的環(huán)保平臺(tái)和環(huán)保部門的數(shù)據(jù)系統(tǒng)通訊。

　　本生詳解生物細(xì)胞凍存管

　　細(xì)胞培養(yǎng)的傳代及日常維持過(guò)程中，在培養(yǎng)器具、培養(yǎng)液及各種準(zhǔn)備工作方面都需大量的耗費(fèi)，而且細(xì)胞一旦離開(kāi)活體開(kāi)始原代培養(yǎng)，它的各種生物特性都將逐漸發(fā)生變化并隨著傳代次數(shù)的增加和體外環(huán)境條件的變化而不斷有新的變化。因此及時(shí)進(jìn)行細(xì)胞凍存十分必要。細(xì)胞冷凍儲(chǔ)存在-70℃冰箱中可以保存一年之久;細(xì)胞儲(chǔ)存在液氮中，溫度達(dá)-196℃，理論上儲(chǔ)存時(shí)間是無(wú)限的。

　　細(xì)胞凍存步驟說(shuō)明：

　　配制含 10%DMSO 或甘油、10~20% 小牛血清的凍存培養(yǎng)液;

　　取對(duì)數(shù)生的細(xì)胞，去除舊培養(yǎng)液，用 PBS 清洗。

　　去除 PBS，加入適量胰蛋白酶 (覆蓋培養(yǎng)皿表面) 把單層生長(zhǎng)的細(xì)胞消化下來(lái);

　　離心 1000rpm，5min;

　　去除胰蛋白酶，加入適量配制好的凍存培養(yǎng)液，用吸管輕輕吹打使細(xì)胞均勻，計(jì)數(shù)，調(diào)節(jié)凍存液中細(xì)胞的密度為 5×106/ml~1×107/ml;

　　將細(xì)胞分裝入凍存管中，每管 1~1.5 ml;

　　在凍存管上標(biāo)明細(xì)胞的名稱，凍存時(shí)間及操作者;

　　凍存:標(biāo)準(zhǔn)的凍存程序?yàn)榻禍厮俾?1~-2℃/   min;當(dāng)溫度達(dá)-25℃以下時(shí)，可增至-5℃~-10℃/min;到-100℃時(shí)，則可迅速浸入液氮中。也可將裝有細(xì)胞的凍存管放入-20℃冰箱 2h  ，然后放入-70℃冰箱中過(guò)夜，取出凍存管，移入液氮容器內(nèi)。

　　生物細(xì)胞凍存管—生物提供的細(xì)胞凍存管由透明高分子材料聚丙烯(PP)制成，經(jīng)特殊工藝制造，使其能耐受超低溫，并無(wú)泄漏，適用于細(xì)胞和組織的低溫冷藏。

　　4 種規(guī)格：0.5ml、1.5ml、2.0ml 、5.0ml

　　無(wú) DNase/RNase 、無(wú)熱原，無(wú)內(nèi)毒素

　　管壁均勻，透明，帶可立式裙邊

　　管體有模刻刻度方便實(shí)驗(yàn)過(guò)程的記錄

　　凍存管請(qǐng)放置液氮?dú)庀鄬又斜４?，放置液相中存在爆管風(fēng)險(xiǎn)

　　關(guān)于細(xì)胞凍存的注意事項(xiàng)：

　　1. 為保持細(xì)胞存活率，一般都采用慢凍存融的方法。

　　2. 凍存物距液氮面越近溫度越低。標(biāo)準(zhǔn)的低凍速度為-1℃~12℃/ 分鐘，當(dāng)溫度下降達(dá)-25℃時(shí)，下降速度可增至-5~-10℃/   分鐘，到-100℃時(shí)則可迅速凍入液氮中。因此要適當(dāng)掌握凍存物下降入液氮中的速度，過(guò)快能影響細(xì)胞內(nèi)水分透出，太慢則促冰晶形成。

　　3.  初次凍存者在下降凍存時(shí)，宜先用細(xì)木棒伸入罐中探測(cè)液面位置，然后需用溫度計(jì)與凍存物并行的辦法，以觀測(cè)下降凍存物的速度、凍存物與液氮液面距離和溫度三者關(guān)系，當(dāng)已掌握以上各參數(shù)和凍存技術(shù)熟練后，僅按下降時(shí)間和下降距離便可獲理想凍存效果。

　　4. 各種細(xì)胞對(duì)凍存速度的要求也不一樣;上皮細(xì)胞和成纖維細(xì)胞耐受性可能大些，干細(xì)胞-2~-3℃/  分鐘合適;胚胎細(xì)胞耐受性較小，不宜太快?？傊谝婚_(kāi)始時(shí)，下降速度不能超過(guò)-10℃/ 分鐘。

　　5. 用什么防護(hù)劑合適和用量多大，要依細(xì)胞而定，初代培養(yǎng)細(xì)胞用 DMSO 較好，一般細(xì)胞可用甘油;用量以較小為好。有人認(rèn)為人皮膚上皮細(xì)胞貯存在  20%-30% 甘油中很好。

　　6. 原則上細(xì)胞在液氮中可貯存多年，但為妥善起見(jiàn)，凍存一年后，應(yīng)再?gòu)?fù)蘇培養(yǎng)一次，然后再繼續(xù)凍存。

　　7. 將凍存管放入液氮容器或從中取出時(shí)，要做好防護(hù)工作，以免凍傷

　　8. 注意自身的安全，對(duì)于來(lái)自人源性或病毒感染的細(xì)胞株應(yīng)特別小心。操作過(guò)程中，應(yīng)避免引起氣溶膠的產(chǎn)生，小心有毒性試劑例如  DMSO，并避免尖銳物品傷人等。

　　本生詳解生物細(xì)胞凍存管，本生一直視質(zhì)量控制為企業(yè)的生命，追求企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的不斷提升。公司在經(jīng)營(yíng)中始終秉承：遵紀(jì)守法，嚴(yán)于律己，寬仁以待，敢于承擔(dān)的企業(yè)精神作為標(biāo)準(zhǔn)，以過(guò)硬的質(zhì)量和優(yōu)良的服務(wù)來(lái)維護(hù)和拓展市場(chǎng)，較大限度的滿足客戶的需求。與客戶的共贏，是我們的發(fā)展目標(biāo)。本生!您信任的合作伙伴。我們?cè)概c您真誠(chéng)合作，共創(chuàng)美好的未來(lái)。

為了提高產(chǎn)品的防水檢測(cè)效率和頻率，選擇在生產(chǎn)過(guò)程中添加氣密性檢測(cè)儀，以便對(duì)所有產(chǎn)品進(jìn)行無(wú)損防水檢測(cè)。

氣密性檢測(cè)儀采用氣壓代替水壓，在不損傷產(chǎn)品的前提下，能夠有效地檢測(cè)產(chǎn)品的密封性能，判斷產(chǎn)品是否泄漏。

氣密性檢測(cè)儀的使用方法實(shí)際上也很簡(jiǎn)單，采用智能檢漏檢測(cè)系統(tǒng)，為了提高檢測(cè)效率，降低人工成本，在檢測(cè)前設(shè)定各檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，保存為相應(yīng)的檢測(cè)程序，以后方便隨調(diào)隨用。

連接氣密性檢測(cè)儀的氣源和電源，確保氣源穩(wěn)定、純凈、無(wú)雜質(zhì)。

其次，將氣密性檢測(cè)儀與工裝治具的電源數(shù)據(jù)線連接起來(lái)，測(cè)試氣管連接到氣密性檢測(cè)儀的背面接口處。

然后，打開(kāi)氣密性檢測(cè)儀的電源開(kāi)關(guān)，使用技術(shù)人員的賬戶密碼登錄程序界面，設(shè)定充壓時(shí)間、穩(wěn)定時(shí)間、測(cè)試時(shí)間、泄壓時(shí)間，同時(shí)根據(jù)產(chǎn)品的容積大小和檢查標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整充氣氣壓值。

在所有標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)設(shè)置完成后，將其保存為相應(yīng)產(chǎn)品的檢測(cè)程序，方便以后檢測(cè)同一產(chǎn)品時(shí)直接調(diào)用。

所有準(zhǔn)備工作完成后，手動(dòng)打開(kāi)氣密性檢測(cè)儀工裝治具兩邊的啟動(dòng)按鈕，測(cè)試開(kāi)始。測(cè)試過(guò)程中請(qǐng)注意不要用手觸摸氣密性檢測(cè)儀中的測(cè)試樣品，因?yàn)闅饷苄詸z測(cè)儀工裝治具兩側(cè)安裝有光柵保護(hù)裝置，這將直接導(dǎo)致測(cè)試停止。

MFY-CM密封試驗(yàn)儀專業(yè)適用于產(chǎn)品的密封試驗(yàn)，通過(guò)試驗(yàn)可以有效地比較和評(píng)價(jià)軟包裝件的密封工藝及密封性能，是用于對(duì)食品、塑料軟包裝、濕巾、制藥、日化等行業(yè)理想的密封試驗(yàn)檢測(cè)儀器。

濟(jì)南賽成儀器一直致力于為大部分國(guó)家客戶提供高性價(jià)比的整體解決方案，公司的核心宗旨就是持續(xù)創(chuàng)新，打造高精尖檢測(cè)儀器，滿足行業(yè)內(nèi)不同客戶的品控需求，期待與行業(yè)內(nèi)的企事業(yè)單位增進(jìn)交流和合作。

賽成儀器，賽出品質(zhì)，成就未來(lái)！

　　96孔微孔過(guò)濾板詳解!

　　96 孔微孔過(guò)濾板為高通量樣本處理而設(shè)計(jì)，過(guò)濾板由聚苯乙烯精密注塑而成，配合多種不同類型和材質(zhì)的濾膜，如聚偏氟乙烯(PVDF)、混合纖維素(MCE)、聚四氟乙烯(PTFE)等微孔濾膜，每個(gè)板孔都單獨(dú)密封，配合可取下的導(dǎo)流板及收集板，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫整合。新穎的多孔設(shè)計(jì)對(duì)要求將濾膜浸入測(cè)定皿的許多應(yīng)用特別有價(jià)值。以下

　　特點(diǎn)：

　　適合微米以下級(jí)別過(guò)濾

　　可用于高通量樣本處理

　　無(wú)死腔體積，高回收率

　　各個(gè)微孔分別封裝濾膜，孔 / 板間穩(wěn)定性好，無(wú)相互干擾

　　尺寸符合 ANSI/SBS 標(biāo)準(zhǔn)，便于自動(dòng)化

　　可取下的導(dǎo)流板和獨(dú)特的過(guò)濾板設(shè)計(jì)

　　可配合負(fù)壓法或離心法使用

　　配套的收集板和蓋子

　　應(yīng)用：

　　蛋白質(zhì)激酶 / 磷酸酶分析、蛋白純化、受體結(jié)合作用分析、蛋白結(jié)合測(cè)定、ELISPOT 分析、樣品制備、質(zhì)譜分析前樣本過(guò)濾處理、熒光染料的去除等。

　　配有 MCE 微孔濾膜的微孔過(guò)濾板，應(yīng)用于 DNA 雜交，ELISPOT 及蛋白質(zhì)結(jié)合測(cè)定。

　　96孔微孔過(guò)濾板，50-250μL，親水性MCE，0.45μm

　　96孔微孔過(guò)濾板，50-250μL，親水性MCE，0.22μm

　　96孔微孔過(guò)濾板詳解!本生一直視質(zhì)量控制為企業(yè)的生命，追求企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的不斷提升。公司在經(jīng)營(yíng)中始終秉承：遵紀(jì)守法，嚴(yán)于律己，寬仁以待，敢于承擔(dān)的企業(yè)精神作為標(biāo)準(zhǔn)，以過(guò)硬的質(zhì)量和優(yōu)良的服務(wù)來(lái)維護(hù)和拓展市場(chǎng)，較大限度的滿足客戶的需求。與客戶的共贏，是我們的發(fā)展目標(biāo)。本生!您信任的合作伙伴。我們?cè)概c您真誠(chéng)合作，共創(chuàng)美好的未來(lái)。