某機構(gòu)采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽光控制功能, 很好的解決了普通窗簾或百葉窗隔熱效果不明顯的問題.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

在柔性基材 PET 上沉積 AgCu 合金制備的 NSN 系列隔熱膜, 繼承了單 Ag 隔熱膜良好的光譜選擇性, 同時能有效的解決 Ag 易硫化的難題, 還具有抗氧化功能, 以防止隔熱膜長期放置透射率指標變化過大.

NSN70 隔熱膜是沉積 AgCu 合金的金屬膜系結(jié)構(gòu)產(chǎn)品, 它生產(chǎn)效率高、隔熱性好.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

河北某大學實驗室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導體 IGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

試驗采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學性質(zhì)的透明氧化物半導體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對薄膜進行X線衍射（XRD）、生長速率、電阻率和透光率的測試與表征.

結(jié)果表明:

實驗所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學性能測試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強吸收, 在 400～900nm 的可見光波段的透過率為75％～97％.

相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點：

更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕??；全透明, 對可見光不敏感, 能夠大大增加元件的開口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

某科研機構(gòu)在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助鍍膜設(shè)備濺射沉積 ZrB2 涂層.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

研究利用金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀、膠帶粘附性剝離等方法測定了沉積 ZrB2 涂層的厚度、形貌、物相結(jié)構(gòu)、成分、附著力以及沉積速率等性能參數(shù), 研究了各濺射工藝條件如芯塊表面清潔度、濺射氣體壓力、濺射功率密度和轉(zhuǎn)鼓轉(zhuǎn)速對ZrB 涂層沉積率和附著力的影響.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

上海某大學實驗室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

實驗室通過 XRD 和 SEM 對薄膜的物相結(jié)構(gòu)和表面形貌進行分析,通過紫外可見分光光度計和霍爾效應測試儀對薄膜透過率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進行研究.

實驗結(jié)果:

通過與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內(nèi), NGZO 薄膜平均透過率在80%以上,符合透明導電薄膜透過率的要求.

在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據(jù) O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產(chǎn)生電子空穴, 使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.

隨著氮氣流量的變化, 發(fā)現(xiàn)在 25 mL/min 時, 薄膜具有好的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測器等需較大電阻率的應用中, 并有望實現(xiàn) n-p 型轉(zhuǎn)化. 

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

WS2 作為一種固體潤滑材料, 有著類似“三明治”層狀的六方晶體結(jié)構(gòu), 由于通過微弱范德華力結(jié)合的S—W—S層間距較大, 在發(fā)生摩擦行為時易于滑動而達到優(yōu)異的潤滑效果. WS2對金屬表面吸附力強, 且摩擦系數(shù)較低, 在高溫高壓、高真空、高輻射等嚴苛環(huán)境也能保持潤滑, 不易失效, 在航空航天領(lǐng)域有著良好的發(fā)展前景.

河南某大學研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對磁控濺射 WS2 薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學性能和摩擦學性能的影響.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

在磁控濺射沉積薄膜的實驗中, 工藝參數(shù)（如沉積壓力、沉積溫度、濺射功率等）對 WS2 薄膜的結(jié)構(gòu)和性能影響很大. 為制備摩擦磨損性能優(yōu)良的 WS2 薄膜, 需要系統(tǒng)研究磁控濺射沉積 WS2 薄膜的工藝方法.

磁控濺射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄氣體在低壓真空環(huán)境中發(fā)生輝光放電, 如果薄膜沉積時工作氣壓過低（<0.1 Pa）, 靶材不能正常起輝；沉積壓力過高（>10 Pa）, 真空室內(nèi)等離子體密度高, 濺射粒子向基體運動中發(fā)生碰撞多, 平均自由程減小, 以致無法到達基體表面進行沉積.

因此, 合適的沉積壓力是磁控濺射沉積 WS2 薄膜的一個重要工藝參數(shù).

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

河北某大學實驗室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導體 IGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

試驗采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學性質(zhì)的透明氧化物半導體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對薄膜進行X線衍射（XRD）、生長速率、電阻率和透光率的測試與表征.

結(jié)果表明:

實驗所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學性能測試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強吸收, 在 400～900nm 的可見光波段的透過率為75％～97％.

相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點：

更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕?。蝗该? 對可見光不敏感, 能夠大大增加元件的開口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

沈陽某大學課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對其成分及表面形貌的影響.

采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 磁控濺射沉積的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均勻, 使薄膜致密, 并且附著性好.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

實驗室材料:

實驗采用 55mm x 3mm 的高純度鋅靶 (含量wt%>99.99) 和純鎳片 (含量wt%>99.95) 組成的鑲嵌靶. 調(diào)整鑲嵌靶 Zn 與 Ni 的面積比, 以獲得不同成分的 ZnNi 合金膜. 濺射基底采用石英玻璃片.

研究結(jié)果表明：

在單靶濺射沉積ZnNi合金薄膜中, 通過調(diào)節(jié)靶材鋅鎳面積比可以獲得不同成分且分布均勻的ZnNi薄膜. 經(jīng)過600℃、60 min、真空度為4×10-3Pa, 真空熱處理之后的薄膜中的鋅完全蒸發(fā), 剩下的鎳薄膜呈多孔結(jié)構(gòu), 微孔尺寸在100 nm至500 nm之間. 隨著薄膜鋅含量的增加, 真空熱處理后薄膜表面孔隙率增大. 隨著真空熱處理溫度的升高, 微孔尺寸增大.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

因此,  該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,   檢漏儀,   質(zhì)譜儀,   真空計,   美國 KRI 考夫曼離子源,   美國HVA 真空閥門,   美國 inTEST 高低溫沖擊測試機,   美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

云南某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子點 SiN 薄膜的光譜特性. 該實驗目的是優(yōu)化含硅量子點的 SiNx 薄膜的制備參數(shù), 在硅基光電子器件的應用方面有重要意義.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

實驗室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發(fā)光光譜對退火后的薄膜樣品進行了表征.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

因此,  該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

國內(nèi)某大學采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140  作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導薄膜. 用這種方法所獲得的超導薄膜的原子組分的調(diào)整比較方便,對于 Nb3Sn 的研究較為有利. 實驗測量了樣品的超導參數(shù)和晶格參數(shù).

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

Nb3Sn 超導薄膜樣品的實驗研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進行的, 采用鈮濺射源和錫濺射源交替對樣品進行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因為錫的熔點低. 退火采用電爐絲.

濺射沉積的過程是, 首先在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然后以固定速度旋轉(zhuǎn)樣品固定板,使得樣品交替面對鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結(jié)構(gòu), 后再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.