哪個電子元件能Z好的代替電磁繼電器
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電磁繼電器，在被控制端是不分壓的元件，就相當于一跟導線。在三極管，光耦，光耦繼電器，mos管中，哪種元件能Z好的代替電磁繼電器。主要考慮的是在被控制端元件產(chǎn)生的壓降問題，越低越好。就象導線一樣的不分壓Z好。（在控制端無任何要求）除以上元件外還有... 電磁繼電器，在被控制端是不分壓的元件，就相當于一跟導線。在三極管，光耦，光耦繼電器，mos管中，哪種元件能Z好的代替電磁繼電器。主要考慮的是在被控制端元件產(chǎn)生的壓降問題，越低越好。就象導線一樣的不分壓Z好。（在控制端無任何要求）除以上元件外還有沒有更好的開關元件來代替，要求體積小，Z好是貼片的。 展開
全部評論(7條)
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- dmmcpiq14416 2010-12-05 00:00:00
- 我用過一個集成塊降壓應該很小，型號是：ULN2804A Z大的工作電壓是50V 每個腳 Z大的驅(qū)動電流是50mA，價格也便宜。應該可以替代繼電器的。而且還滿足你的集成化要求。一般他都是和光電耦合器同時使用，單獨使用也可以的。
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- Minor的昔年 2010-12-08 00:00:00
- 光耦固態(tài)繼電器繼電器
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- 92667788hkhj 2010-12-08 00:00:00
- 需要信號隔離肯定是不能用三極管了， Mos管與三級管的區(qū)別也就是三極管是電流輸入控制而mos管是電壓輸入控制。 信號隔離可以考慮光耦，但光耦主要是傳輸信號的，壓降那么小還是考慮光耦繼電器吧， 另外，有沒有想過使用SSR，SCR或者Traic，不過Traic什么的都是控制馬達電路的了。 我說你還是試著換換電路設計吧，就實話跟你講吧，你的要求現(xiàn)在應該還沒誰能做的到，你所提供的集成電路需要無觸點都是基于半導體的，那我再普及一下大家都知道的常識，半導體之所有稱為半導體是因為它的單向?qū)ㄅc逆向截止，而它的單向?qū)ㄊ怯袀€順向電壓的，正向電壓達到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后，二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。 試問沒壓降導通的能叫半導體嗎？那叫導體。半導體的門檻就0.2V了。要0.1V？大俠還是穿越好了。
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- 剪貼ALL 2010-12-15 00:00:00
- 那就采用貼片的PMOS吧，估計成本得增加點。壓降很小，我也是經(jīng)常使用PMOS管替代電磁繼電器，主要是考慮體積空間問題。
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- Ailsa以夢為馬 2010-12-13 00:00:00
- 光電偶合固態(tài)開關模塊。 目前的固態(tài)開關模塊中大多采用光電偶合技術(shù)，優(yōu)點；功耗小，動作快。
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- 優(yōu)尼佳紫 2010-12-04 00:00:00
- 控制信號與被控制的是否要隔離啊，不隔離就三極管啊，壓降0.2-0.3吧，要隔離就光耦，光耦的壓降估計大點吧
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- 初心暖哭i 2016-12-01 19:01:43
- 建議你用干簧管繼電器，它不僅隔離。而且比普通繼電器體積小、速度高，導通電阻也很小。 硅半導體元件中只有光耦是隔離的，但是光耦做不到大電流、小壓降，其他類型的三極管輸出和輸入之間都是不隔離的，而且硅半導體元件壓降不可能低到0.1V，Z低也有0.3V，鍺管的導通飽和壓降可以低到0.1V，但是鍺管現(xiàn)在不易買到。
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