一、需求目的：1、熱達標；2、故障少 1KJ[&jS ]
二、細化需求，怎么評估樣品：1、設(shè)計方面；2、測試方面 ): r'IR
三、具體到芯片設(shè)計有哪些需要關(guān)注： MW=rX>tE
1、頂層設(shè)計 k\ZU%"^J
2、仿真 Ppx4#j
3、熱設(shè)計及功耗 B<~BX[
4、資源利用、速率與工藝 -&QpQ7q1
5、覆蓋率要求 ytV4qU82G
6、 t~Ic{%bdA
四、具體到測試有哪些需要關(guān)注： SW HiiF@
1、可測試性設(shè)計 W=,]#Z+M;
2、常規(guī)測試：晶圓級、芯片級 8Z 0@-8vi
3、可靠性測試 c{jTCkzq
4、故障與測試關(guān)系 K=dG-
+B~}
5、 W@~a#~1O
+V#dJ[,8;.
測試有效性保證； |Lc.XxBkc
設(shè)計保證？測試保證？篩選？可靠性？  x![ut  
設(shè)計指標？來源工藝水平，模塊水平，覆蓋率 cn'rBY

晶圓測試：接觸測試、功耗測試、輸入漏電測試、輸出電平測試、全面的功能測試、全面的動態(tài)參數(shù)測試、   模擬信號參數(shù)測試。 Nh6!h%
晶圓的工藝參數(shù)監(jiān)測dice， Vj[,o Vt$
:/;;|lGw
Ul|htB<1:
芯片測試：ATE測試項目來源，邊界掃描 `L.nj6F
=8DS~J{
  a!;K+wL>
故障種類： :n oZ p:a
缺陷種類： 0|(6q=QK
針對性測試： fc%C!^7
~Ecx>f4nX
性能功能測試的依據(jù)，可測試性設(shè)計：掃描路徑法scan path、內(nèi)建自測法BIST-built in self-test YKa9]Q
|PLWF[+t8
t;lK=m|
芯片資源、速率、功耗與特征尺寸的關(guān)系； szy2"~hm
仿真與誤差， {z8wFL\
n 預(yù)研階段 Vc "+|^
n 頂層設(shè)計階段 !Ee&e~"
n 模塊設(shè)計階段 e`%<D[-
n 模塊實現(xiàn)階段 Bv}nG|
n 子系統(tǒng)仿真階段 oh >0}Gc8
n 系統(tǒng)仿真,綜合和版面設(shè)計前門級仿真階段 r6}-EYq=
n 后端版面設(shè)計 LLwC*)#
n 測試矢量準備 <*djtO
n 后端仿真 mB*;> 
n 生產(chǎn) eo4v[V&
n 硅片測試 N1'$;9 c
頂層設(shè)計： @Y+9")?
n 書寫功能需求說明 _MUSXB'
n 頂層結(jié)構(gòu)必備項 <7J\8JR&=
n 分析必選項-需要考慮技術(shù)靈活性、資源需求及開發(fā)周期 !Bb^M3iA  
n 完成頂層結(jié)構(gòu)設(shè)計說明 -2y>X`1Y
n 確定關(guān)鍵的模塊（盡早開始） ~6Hi"
w
n 確定需要的第三方IP模塊 W/
n 選擇開發(fā)組成員 IsB=G-s
n 確定新的開發(fā)工具 6ieP` bct
n 確定開發(fā)流程/路線 >3y:cPTM5
n 討論風險 GhY MO6Q4
n 預(yù)計硅片面積、輸入/輸出引腳數(shù)  開銷和功耗 AJ85[~(lX
n 國軟檢測 芯片失效分析ZX

晶圓代工迎來新的黃金期

近期，以臺積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關(guān)注，原因在于它們2020年diyi季度的財報。與各大IDM和Fablessdiyi和第二季度低迷的財報或財測不同，臺積電、聯(lián)電和中芯國際這三大晶圓代工廠的業(yè)績十分亮眼，與當下疫情給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的負面影響形成了鮮明的對比?？磥?，晶圓代工（Foundry）這種商業(yè)模式確有其過人之處。

2019年10月，DIGITIMES Research預(yù)估 2019至2024年晶圓代工產(chǎn)值年復(fù)合增長率(CAGR)有望達到5.3%。而突如其來的疫情肯定會拉低這一預(yù)估，不過，臺積電對外展現(xiàn)出了較為樂觀的態(tài)度，該公司認為，2019至2024年，不含存儲器的半導(dǎo)體業(yè)年復(fù)合增長率有望達到5%，而晶圓代工業(yè)的增長幅度將比整個半導(dǎo)體業(yè)要高一些。不過，受到疫情影響，2020年半導(dǎo)體業(yè)將呈現(xiàn)同比負增長，這已經(jīng)成為行業(yè)普遍共識。而在這樣低迷的經(jīng)濟環(huán)境下，臺積電預(yù)計其全年的營收將實現(xiàn)同比增長15%左右，這是一個很亮眼的數(shù)字了。
晶圓代工業(yè)之所以能夠逆勢增長，首先是由其自身的商業(yè)模式?jīng)Q定的。
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，是不存在IC設(shè)計和制造分工的，只有一種IDM模式，隨著市場和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，一些規(guī)模較小的廠商，因為財力有限，無法負擔自有晶圓廠，因此，就會把設(shè)計的芯片交給實力較為雄厚的IDM制造，這是Z早的代工模型。然而，早期在ZL保護意識缺乏的情況下，將設(shè)計出來的芯片交給其他IDM制造，存在著較大的產(chǎn)品安全風險，即競爭對手很可能會掌握你的芯片信息。
這樣，晶圓代工模式應(yīng)運而生，1987年，臺積電創(chuàng)建，開創(chuàng)了一個新的時代。自那以后，隨著市場和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，無晶圓廠的Fabless數(shù)量逐年增加，給晶圓代工廠帶來了滾滾財源，也因此，更多的Foundry涌現(xiàn)出來，不過，與越來越多的Fabless數(shù)量相比，F(xiàn)oundry的數(shù)量還是相對有限的，直到今天依然如此。畢竟，由于重資產(chǎn)和高技術(shù)密集的特點，籌建一家Foundry的難度要遠大于Fabless。
對于Foundry來說，由于長期專注于晶圓代工業(yè)務(wù)，且給自己的定位明確，并能持之以恒；另外，這種商業(yè)模式的多客戶、多產(chǎn)品線、多制程特點，比IDM和Fabless更加厚重且多元，某種程度上，其抗風險能力更強。
除了自身特點之外，晶圓代工廠能夠交出亮眼的業(yè)績，且在未來幾年內(nèi)的年復(fù)合增長率大概率會高于全行業(yè)平均水平，還有多種市場因素，主要包括以下三點：終端設(shè)備的芯片元器件用量逐年提升；IDM芯片制造外包業(yè)務(wù)增加；設(shè)備和互聯(lián)網(wǎng)廠商自研芯片增加。這三大增量市場內(nèi)的芯片大都需要交給晶圓代工廠生產(chǎn)，因此，未來幾年Foundry的業(yè)績很值得期待。