NANO-MASTER的微波PECVD系統(tǒng)產(chǎn)品應(yīng)用于中科院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院，該系統(tǒng)即將配套遠(yuǎn)程微波等離子源，帶直流偏壓，支持高達(dá)900度的樣品臺加熱，提供精確的控溫，該系統(tǒng)可以支持石墨烯和CNT碳納米管陣列。
 
根據(jù)客戶要求，配套的遠(yuǎn)程微波源將真正實現(xiàn)對所沉積薄膜的無損傷。高溫可以支持碳類薄膜的應(yīng)用，在等離子作用下，實際的應(yīng)用溫度將得以大大降低。系統(tǒng)將采用計算機全自動的工藝控制，配套的軟件將方便用戶實現(xiàn)高重復(fù)性地沉積應(yīng)用。該系統(tǒng)所采用的緊湊設(shè)計，將大大節(jié)省實驗室的空間，并可以支持百級的超凈間使用。

揭秘遠(yuǎn)程微波PECVD系統(tǒng)

Nano-Master的遠(yuǎn)程微波等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，包含：

• 基片或粉體的等離子誘導(dǎo)表面改性

• 等離子清洗

• 粉體或顆粒表面等離子聚合

• SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜

• CNT和石墨烯的選擇性生長

• 單晶或多晶金剛石生長

微波模塊：NANO-MASTER獨J專利技術(shù)的高質(zhì)量長壽命遠(yuǎn)程微波源，頻率為2.45GH，微波發(fā)射功率可以自主調(diào)節(jié)，微波反射功率可通過調(diào)節(jié)降低至發(fā)射功率的千分之一以內(nèi)。遠(yuǎn)程微波源，可實現(xiàn)無損傷缺陷的沉積或生長。

設(shè)備腔體：水冷側(cè)壁，確保在高溫工藝下腔體外表面溫度控制在60℃內(nèi)；在高溫工藝進(jìn)行過程中，等離子體被束縛在有限的體積內(nèi)，不會對腔體造成刻蝕。

樣品臺：可自動加熱到最高1200℃，PID精確控制，精度±1℃，跟微波電源的加熱獨立。高溫工藝下可持續(xù)旋轉(zhuǎn)，主動冷卻。具有自動升降功能，可針對自動Load Unload下降樣品臺便于片托自動取出。

溫度模塊：通過系統(tǒng)參數(shù)實現(xiàn)襯底溫度精確控制,在穩(wěn)定的工藝過程中溫度浮動不超過±10℃。利用雙波長高溫計實現(xiàn)對襯底的非接觸式溫度測量；樣品臺內(nèi)部通過熱電偶測量。

氣體控制：根據(jù)需求最多可配置8路工藝氣體，配備吹掃氣路，利用氮氣或是氬氣對管路吹掃。淋浴頭和氣體環(huán)均勻設(shè)計，使得氣體在高溫工作狀態(tài)下成分均一，流速穩(wěn)定，不會對襯底造成擾動。

真空模塊：腔室的極限真空度可達(dá)1*10-5Pa

樣品傳送模塊：系統(tǒng)可以支持自動Load Lock實現(xiàn)計算機控制的自動進(jìn)樣和出片

控制模塊：配備計算機控制系統(tǒng)，詳細(xì)記錄工藝過程中各項參數(shù)。具備安全互鎖功能及4級密碼授權(quán)訪問控制。

                 金剛石膜                          較大微晶金剛石膜                        精細(xì)紋理納米結(jié)晶金剛石膜

                                                             SEM圖像                                            SEM圖像

以遠(yuǎn)程微波PECVD系統(tǒng)沉積金剛石薄膜為例，從甲烷、氫氣或氬氣的氣體混合物中將多晶金剛石薄膜沉積到襯底上。沉積過程中的基片溫度通常為800~900°C，通過雙波長高溫計測量。甲烷、氫氣和氬氣的濃度、功率和壓力值可以改變，以產(chǎn)生各種金剛石膜紋理。因金剛石的許多特性：如化學(xué)惰性和穩(wěn)定性，高導(dǎo)熱性，高聲速，高斷裂強度，疏水性，耐磨性，生物惰性，其表面可功能化，并涂覆保形性等，使其成為許多應(yīng)用的獨特選擇。應(yīng)用包括MEMS/NEMS器件、摩擦學(xué)（機械和生物部件涂層）、熱（散熱器/擴散器）、切割工具、輻射傳感器（電離輻射探測器/劑量計）、電化學(xué)應(yīng)用（生化傳感器）、光學(xué)（紅外窗口、透鏡、X射線窗口）和離子束剝離箔。

In order to make the most effective use of your thin film deposition system; it is necessary to understand some of the basic parameters involved in creating thin films using the plasma source. Plasma deposition systems typically consist of a parallel plate configuration where the upper electrode is RF and the lower electrode is ground. Gas comes through the showerhead. In such configuration activating two species with substantially different activation energy is difficult, and both stoichiometry and thickness can not be uniform over large substrate areas. Here the secondary gas input line allows difficult to activate species to enter plasma from the source and easier to activate species are provided at a through the primary line of the source. Then best uniformity can be achieved by optimizing flows at different pressures.
 
It is imperative that a deep base pressure be achieved in order to get the adhesion and cleanliness necessary for high quality thin film deposition.  The lowest RF power at which discharge can be initiated depends on the type of gas used; however typically these pressures are around 0.1 Torr. RF power can be increased when auto tuning is capable of real time tuning with reflected powers in the range of 1% of total. At high powers, the plasma may display instabilities, which may be removed by increasing pressure. At lower pressures more uniform and diffused plasma can be obtained at lower power levels. Typical operational pressure range is 0.1 to 1 Torr, 100-200W. Below is a graph of the operating power limits for the plasma source. Any values in the shaded region should produce consistent plasma.
 
 
Uniformity of the deposition would be function of the flow rates, substrate temperature and the spacing between the electrodes. The substrate can be heated to a maximum 400C.
 
Biasing the platen can control ion acceleration energy through the plasma sheet. Plasma potential can also be affected by controlling electron loss through the plasma. Therefore, through biasing and heating, denser and harder films can be produced.

微波水分檢測儀微波頻率是多少？

近日，NANO-MASTER工程師至浙江中寧硅業(yè)有限公司，順利安裝驗收NPE-3500型PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備！

NANO-MASTER的PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2、Si3N4、CNT、DLC和SiC等薄膜?？蓱?yīng)用于等離子誘導(dǎo)表面改性、等離子清洗、等離子聚合等。根據(jù)不同應(yīng)用，可選用RF、HCP、ICP或MW微波等多種規(guī)格的離子源。標(biāo)準(zhǔn)樣品臺尺寸有6”和8”可選，最高可定制到16”或者其他更大的尺寸，樣品臺可提供RF、Pulse DC或DC偏壓。樣品臺可提供電阻加熱或紅外燈加熱。

系統(tǒng)標(biāo)配渦輪分子泵和機械泵，極限真空到5*10-7Torr，腔體壓力調(diào)節(jié)通過PC自動控制渦輪速度而全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。

工藝過程通過觸摸監(jiān)控屏幕和Labview軟件，可實現(xiàn)全自動的PC控制，具有高度的可重復(fù)性。系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級密碼授權(quán)訪問保護(hù)。能直接研發(fā)和量產(chǎn)應(yīng)用。

NANO-MASTER的PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積選配項

驗收培訓(xùn)