在生產(chǎn)生活中，培養(yǎng)箱作為環(huán)境保護(hù)、衛(wèi)生防疫、農(nóng)畜、藥檢、水產(chǎn)等科研、院校實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)部門(mén)等領(lǐng)域中必不可少的重要設(shè)備，一直被看重，發(fā)展至今，培養(yǎng)箱的種類(lèi)也愈發(fā)豐富起來(lái)。其中，霉菌培養(yǎng)箱是眾多類(lèi)別中的一種，它是水體分析和 BOD 測(cè)定細(xì)菌、霉菌、微生物的培養(yǎng)、保存、植物栽培、育種實(shí)驗(yàn)的專(zhuān)用恒溫，恒溫振蕩設(shè)備。

控制特點(diǎn)

1 具有因停電，死機(jī)狀態(tài)數(shù)據(jù)丟失而保護(hù)的參數(shù)記憶，來(lái)電恢復(fù)功能。

2 國(guó)內(nèi)流線圓弧型設(shè)計(jì)，外殼采用冷軋鋼板制造，表面靜電噴塑，工作內(nèi)腔采用鏡面不銹鋼材質(zhì)；

3 微電腦智能控制，液晶顯示控制溫度，時(shí)間，超溫報(bào)警功能；

4 外表采用烤漆亞光鍍層避免光輻射，內(nèi)膽鏡面不銹鋼，隔板可以任意調(diào)節(jié)；

5 幅流送風(fēng)和提升對(duì)流循環(huán)形式，確保每層面空氣的流動(dòng)性和溫度均勻性；

6 觀察窗采用復(fù)門(mén)設(shè)計(jì)：觀察內(nèi)腔培養(yǎng)物品時(shí)可打開(kāi)復(fù)門(mén)觀察，不用觀察時(shí)可關(guān)閉復(fù)門(mén)；

7 采用國(guó)際知名品牌壓縮機(jī)和循環(huán)風(fēng)道，無(wú)氟制冷劑，環(huán)保，GX，節(jié)能；

8 集成式制冷系統(tǒng)，多層保護(hù)，安全運(yùn)行有效自行檢定，采用無(wú)能耗非常規(guī)的自動(dòng)化霜，避免對(duì)溫度的影響和設(shè)備的連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間使用；

9 采用空氣調(diào)節(jié)裝置，保證空氣質(zhì)量。

使用方法

插上主機(jī)電源，將面板右方的電源開(kāi)關(guān)“1”按下，此時(shí)儀器出現(xiàn)數(shù)字顯示，表示設(shè)備進(jìn)入工作狀態(tài)，見(jiàn)控制面板示意圖進(jìn)行各參數(shù)設(shè)置，設(shè)置方法如下：

(一)溫度/時(shí)間鍵可進(jìn)行溫度與時(shí)間切換

1) 溫度設(shè)定：按一下溫度/時(shí)間鍵，儀表的溫度設(shè)定指示燈亮。按設(shè)定鍵進(jìn)入SV狀態(tài)，然后按∨或∧鍵即可改變溫度設(shè)定值到所需溫度(Z小值0℃)，Z后按下設(shè)定鍵將設(shè)定值存入單片機(jī)，此時(shí)左顯示窗顯示測(cè)量溫度，右顯示窗口顯示設(shè)定溫度。

2) 時(shí)間設(shè)定：按一下溫度/時(shí)間鍵，儀表的時(shí)間設(shè)定指示燈亮。按設(shè)定鍵進(jìn)入TV狀態(tài)然后按∨或∧鍵即可改變時(shí)間設(shè)定值，直到所需時(shí)間(Z小值1h)，Z后按下設(shè)定鍵將設(shè)定值存入單片機(jī)，此時(shí)左顯示窗顯示測(cè)量時(shí)間，右顯示窗顯示設(shè)定時(shí)間。

定時(shí)功能：儀器送電時(shí)，定時(shí)功能開(kāi)始啟動(dòng)。定時(shí)結(jié)束后，輸出關(guān)閉。加熱器和制冷壓縮機(jī)停止工作，培養(yǎng)箱內(nèi)溫度將逐漸達(dá)到外界環(huán)境溫度。

3) 狀態(tài)指示：設(shè)定完成后設(shè)備按設(shè)定好的參數(shù)運(yùn)行。當(dāng)測(cè)量溫度低于設(shè)定溫度時(shí)，設(shè)備進(jìn)入加熱狀態(tài)，加熱指示燈亮。反之，當(dāng)測(cè)量溫度高于設(shè)定溫度時(shí)，制冷指示燈亮，設(shè)備進(jìn)入制冷狀態(tài)。當(dāng)測(cè)量溫度高于設(shè)定溫度4℃時(shí)，報(bào)警指示燈亮，蜂鳴器也發(fā)出鳴叫聲。

4) 參數(shù)修改：運(yùn)行中若要修改溫度、時(shí)間參數(shù)，再按程序1、2進(jìn)行修改。

5) 快速設(shè)定：在設(shè)定參數(shù)時(shí)，三個(gè)數(shù)字中有一個(gè)數(shù)閃爍，若按∧鍵則設(shè)定值末位數(shù)加1；若按此鍵不放開(kāi)，約3秒鐘后，設(shè)定值連續(xù)加1；若按∨鍵，則設(shè)定值減1；若按住該健不松開(kāi)，約3秒鐘后，設(shè)定值連續(xù)減1。

(二)濕度設(shè)定

1) 濕度設(shè)定：按一下“濕度設(shè)定”鍵，窗口的“上限設(shè)定”指示燈(紅色)亮，此時(shí)按∨或∧鍵即可改變濕度設(shè)定值到所需濕度，再按下“濕度設(shè)定”鍵，窗口的“下限設(shè)定”指示燈(綠色)亮，此時(shí)按∨或∧鍵即可設(shè)定下限濕度，再按下“濕度設(shè)定”鍵，窗口的“工作”指示燈(紅色)亮，此時(shí)表明微機(jī)進(jìn)入自動(dòng)工作狀態(tài)?！跋孪拊O(shè)定”濕度值與“上限設(shè)定”濕度值相差2%(推薦數(shù)值1%～5%)，用戶也可根據(jù)實(shí)際情況加以設(shè)置。

2) 參數(shù)修改：運(yùn)行中若要修改濕度參數(shù)，再按程序1進(jìn)行修改。

3) 快速設(shè)定：在設(shè)定參數(shù)時(shí)，若按∧鍵則設(shè)定值末位數(shù)加1，若按此鍵不放開(kāi)，約3秒鐘后，設(shè)定值連續(xù)加1；若按∨鍵，則設(shè)定值減1，若按住該健不松開(kāi)，約3秒鐘后，設(shè)定值連續(xù)減1。

4) 狀態(tài)指示：當(dāng)箱內(nèi)濕度未達(dá)到所設(shè)定下限濕度時(shí)，工作和加濕指示燈亮，加濕霧化器工作，濕度上升至所設(shè)定之下限濕度后再間斷加濕，直至上限濕度時(shí)停止加濕。使?jié)穸仍谒枨蟮姆秶鷥?nèi)波動(dòng)。當(dāng)濕度儀表顯示EFF時(shí)，則為溢出顯示，實(shí)際濕度超出濕度儀顯示范圍。此時(shí)可將培養(yǎng)箱外門(mén)打開(kāi)，一般過(guò)一段時(shí)間會(huì)自動(dòng)恢復(fù)顯示。如果濕度顯示低可以加濕。

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ICP刻蝕技術(shù)

電感耦合等離子體刻蝕（ICP，Inductively Couple Plasma）刻蝕工作原理是：用高頻火花引燃時(shí)，部分Ar工作氣體被電離，產(chǎn)生的電子和氬離子在高頻電磁場(chǎng)中被加速，它們與中性原子碰撞，使更多的工作氣體電離，形成等離子體氣體。導(dǎo)電的等離子體氣體在磁場(chǎng)作用下感生出的強(qiáng)大的感生電流產(chǎn)生大量的熱能又將等離子體加熱，使其溫度達(dá)到1×10^4K，形成ICP放電。

電感耦合等離子體刻蝕是物理過(guò)程和化學(xué)過(guò)程共同作用的結(jié)果，在真空低氣壓下，ICP射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例混合的氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極RF射頻作用下，這些等離子對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，基片材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

ICP刻蝕的優(yōu)勢(shì)：ICP刻蝕技術(shù)具有刻蝕速率快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大面積均勻性好、刻蝕斷面輪廓可控性高和刻蝕表面平整光滑等優(yōu)點(diǎn)；ICP刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、外形小、操作簡(jiǎn)便、便于自動(dòng)控制、適合大面積基片刻蝕。近年來(lái)，ICP刻蝕技術(shù)被廣泛應(yīng)用在硅、二氧化硅、III-V族化合物、金屬等材料的刻蝕上

ICP刻蝕相比RIE刻蝕的優(yōu)勢(shì)

ICP刻蝕設(shè)備的一般構(gòu)造

電感耦合等離子體（ICP）刻蝕機(jī)包括兩套通過(guò)自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò)控制的13.56MHz 射頻電源，一套連接纏繞在腔室外的螺線圈，使線圈產(chǎn)生感應(yīng)耦合的電場(chǎng)， 在電場(chǎng)作用下， 刻蝕氣體輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體。功率的大小直接影響等離子體的電離率， 從而影響等離子體的密度。第二套射頻電源連接在腔室內(nèi)下方的電極上，主要為等離子提供能量。這樣兩套R(shí)F電源的配置，使得在低離子能量條件下，可以增加離子密度，從而提高刻蝕速率的同時(shí)，保證對(duì)晶片的損傷降到最低。

刻蝕的基本要求

（1）負(fù)載效應(yīng)

刻蝕中還存在負(fù)載效應(yīng)，即發(fā)生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)?？涛g面積很大時(shí)，因?yàn)闅怏w傳輸受限和刻蝕氣體耗盡，刻蝕速率會(huì)較慢，這稱(chēng)為宏觀負(fù)載效應(yīng)。在微細(xì)圖形的局部區(qū)域內(nèi)， 被刻蝕材料的密度過(guò)高造成刻蝕氣體耗盡的情況稱(chēng)為微觀負(fù)載效應(yīng)。

（2）圖形保真度

設(shè)橫向刻蝕速率為V1，縱向刻蝕速率為V2，通常用A 表示刻蝕的各向異性刻蝕的程度，定義如下：

A=1，表示圖形轉(zhuǎn)移中沒(méi)有失真， 刻蝕具有很好的各向異性。A=0，圖形失真情況嚴(yán)重，刻蝕為各向同性。

（3）均勻性

在材料制備時(shí)， 薄膜厚度一般有一定的不均勻性， 而刻蝕時(shí)同一襯底片的不同位置的刻蝕速率也不同。這些都會(huì)造成圖形轉(zhuǎn)移的不均勻。

刻蝕的均勻性在很大程度上依賴(lài)于設(shè)備的硬件參數(shù)， 如反應(yīng)室的設(shè)置， 氣流， 離子濃度等均勻性情況。其次是工藝參數(shù)的影響。

對(duì)于大襯底的刻蝕， 如果刻蝕時(shí)間不夠， 膜厚處沒(méi)有刻蝕完全；但是刻蝕時(shí)間太長(zhǎng)，膜薄處會(huì)造成過(guò)刻蝕，實(shí)際情況中需要綜合考慮。也可以在被刻蝕材料的下層制備截止層，截止層選用和被刻蝕材料有很高選擇比的材料， 這樣可以加長(zhǎng)刻蝕時(shí)間， 保證膜厚處被刻蝕干凈，膜薄處也不會(huì)造成明顯的過(guò)刻蝕。

除了同一樣片不同位置的均勻性問(wèn)題， 同一刻蝕條件不同樣片的刻蝕均勻性（也稱(chēng)重復(fù)性）也很重要。重復(fù)性與反應(yīng)室的狀況有很大的關(guān)聯(lián)性。

（4）表面形貌

一般情況下， 刻蝕后的表面形貌都希望側(cè)壁陡直光滑， 刻蝕地面平滑。但對(duì)于不同的器件有時(shí)也有特殊要求，如需傾斜剖面、微透鏡結(jié)構(gòu)等。

（5）刻蝕的清潔

刻蝕中防止玷污是非常重要的。如果在接觸孔的位置出現(xiàn)重金屬沾污也會(huì)造成漏電。對(duì)于干法刻蝕，刻蝕表面還會(huì)出現(xiàn)聚合物的再淀積。

等離子刻蝕的基本過(guò)程

等離子體刻蝕有四種基本的過(guò)程，他們分別是物理濺射刻蝕（Sputtering）、純化學(xué)刻蝕（Chemical）、離子增強(qiáng)刻蝕（Ion enhanced energetic）、側(cè)壁抑制刻蝕（Ion enhanced inhibitor）。

1) 物理濺射刻蝕（Sputtering）

濺射工藝是以一定能量的粒子（離子或中性原子、分子）轟擊固體表面，使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。等離子體所提供的離子能量約為幾百eV，一般來(lái)說(shuō)會(huì)高于濺射產(chǎn)生的閾值（幾十eV）。在等離子提供的能量范圍內(nèi)，濺射率隨著離子本身能量的增大而急劇增加。不同材料的濺射速率在離子能量一定的情況下相差不大，因此濺射是純物理的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程選擇性差，速率低。

但是物理濺射刻蝕，離子轟擊具有很強(qiáng)的方向性，使得被刻蝕材料具有很好的各向異性。

2) 純化學(xué)刻蝕（Chemical）

在純化學(xué)刻蝕中，等離子體提供中性的活性基團(tuán)，這些活性基團(tuán)與薄膜表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成相應(yīng)的氣相產(chǎn)物。如刻蝕Si材料常用F基氣體，因?yàn)闀?huì)生成易揮發(fā)的SiF4.

化學(xué)刻蝕是各項(xiàng)同性的，活性基團(tuán)會(huì)以近似角分布到達(dá)被刻蝕材料表面，反應(yīng)過(guò)程中反應(yīng)產(chǎn)物必須是可揮發(fā)的。一般來(lái)說(shuō)化學(xué)刻蝕可以獲得高的速率以及選擇比。

3) 離子增強(qiáng)刻蝕（Ion enhanced energetic）

離子增強(qiáng)刻蝕是物理濺射和化學(xué)刻蝕互相結(jié)合的工藝方式。物理濺射中物理轟擊的作用可以大大增強(qiáng)薄膜表面的化學(xué)反應(yīng)的活性，刻蝕的效果相較單一的物理和化學(xué)刻蝕，效果顯著。等離子體既提供了粒子通量又賦予離子能量。

4) 側(cè)壁抑制刻蝕（Ion enhanced inhibitor）

這種刻蝕方式主要應(yīng)用于深刻蝕，如Bosch工藝，深硅刻蝕運(yùn)用分子量較大的鈍化氣體C4F8與SF6搭配，刻蝕和鈍化交替進(jìn)行，實(shí)現(xiàn)側(cè)壁垂直的深刻蝕工藝。

影響刻蝕效果的因素

ICP 工藝中影響刻蝕效果的因素很多。工藝參數(shù)里包括源功率、偏壓功率、刻蝕氣體及流量、工作氣壓和溫度等。此外，掩膜的制備和反應(yīng)室內(nèi)壁的情況對(duì)刻蝕結(jié)果也有很重要的影響。

1.掩膜的影響

ICP 刻蝕是圖形轉(zhuǎn)移的過(guò)程，因此掩膜的制備對(duì)刻蝕非常重要。最常見(jiàn)的掩膜是光刻膠(Photoresist.PR)、SiO2和金屬(如A1、Ni等)。一個(gè)好的掩膜要求陡直度較高，邊緣光滑。底部去除干凈無(wú)殘留，抗高溫和抗轟擊能力強(qiáng)。

掩膜的陡直度和邊緣的光滑程度直接影響刻蝕剖面的陡直度和側(cè)壁的光滑程度。雖然可以通過(guò)工藝參數(shù)的調(diào)整改善刻蝕形貌，但是效果遠(yuǎn)不如掩膜質(zhì)量的改善。因此高質(zhì)量的光刻技術(shù)對(duì)刻蝕非常重要。

(1)幾乎所有的掩膜制備都需要由光刻制備，光刻膠掩膜的制備最容易，精度也最高。但是，光刻膠的抗高溫和抗轟擊能力很差，只能用于低溫工藝，通常選擇比也較低。

(2)硬掩膜

SIO2 和金屬等硬掩膜一般需要光刻膠圖形的二次轉(zhuǎn)移，圖形精度會(huì)有所損失。但是它們的抗高溫和抗轟擊能力很好，選擇比高，可以刻蝕更深的深度。

2.工藝參數(shù)的影響

(1)ICP Power 源功率

這個(gè)功率源的主要作用是產(chǎn)生高密度等離子體，控制離子通量。功率增加時(shí)，離子和活性基密度增加，刻蝕速率也增加。一般情況下，選擇比也會(huì)增加。但過(guò)高時(shí)，均勻性會(huì)下降。

同時(shí)，源功率增加會(huì)帶給襯底更多的熱負(fù)荷，襯底溫度會(huì)明顯升高，對(duì)于需要低溫的工藝影響較大，需要更好的溫控系統(tǒng)。

(2)RF Power 偏壓功率

偏壓功率源主要作用是控制離子轟擊能量。對(duì)刻蝕速率和臺(tái)階角度影響很大。偏壓功率增加，刻蝕速率明顯增加。但是同時(shí)對(duì)掩膜的刻蝕也明顯增加，可能導(dǎo)致選擇比下降，臺(tái)階形貌變差。偏壓功率過(guò)高有時(shí)會(huì)在臺(tái)階底部形成“trenching”溝槽。

(3)工作氣壓

ICP 刻蝕的工作氣壓一般都小于 50mTorr，典型值在幾個(gè) mTorr 至十幾mTorr。在這樣的低氣壓條件下，粒子的平均自由程很長(zhǎng)，方向性好，離子轟擊作用也較強(qiáng)。同時(shí)，低氣壓也有利于揮發(fā)性刻蝕產(chǎn)物的解吸附，易獲得好的刻蝕結(jié)果。氣壓對(duì)均勻性影響很大，氣壓減小時(shí)均勻性更好。因此，氣壓減小，刻蝕的各向異性增加，均勻性和臺(tái)階角度會(huì)更好。

氣壓對(duì)刻蝕速率的影響隨刻蝕材料和氣體的不同而有明顯的差異。對(duì)于化學(xué)作用較強(qiáng)的工藝，如 GaAs 的刻蝕，氣壓較大時(shí)因?yàn)榛钚曰碗x子密度增加，刻蝕速率和選擇比會(huì)有較大增加。而對(duì)物理作用較強(qiáng)的工藝，如 SiO2 的刻蝕，氣壓增加時(shí)刻飩速率變化不大。

(4)氣體成分和流量

等離子體刻蝕中經(jīng)常使用含多種成分的混合氣體。這些氣體大體可分為三類(lèi)。第一類(lèi)是

主要刻蝕反應(yīng)氣體，與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)性產(chǎn)物。如 CI2、CF4、SF6 等。

第二類(lèi)是起抑制作用的氣體,可以在側(cè)壁形成阻擋層,實(shí)現(xiàn)高的各向異性刻蝕,如 CHF3、 BCl3、SiCI4、CH4等。

第三類(lèi)是起稀釋或特殊作用的惰性氣體，如 Ar、He、N2 等?？梢栽鰪?qiáng)等離子體的穩(wěn)定性，改善刻蝕均勻性，或增加離子轟擊作用在(如 Ar)來(lái)提高各向異性和提高選擇比(如 H2、O2)等。

為了實(shí)現(xiàn)不同的刻蝕結(jié)果，平衡每一類(lèi)氣體的作用(選用合適的流量比)非常重要。如果需要獲得較高的刻鐘速率,應(yīng)選擇和被刻蝕材料反應(yīng)積極并目生成物非常易干揮發(fā)的反應(yīng)類(lèi)氣體，同時(shí)可以適當(dāng)提高其百分比濃度。但是，如果是被刻蝕層偏薄，對(duì)下層材料的選擇出又較低的情況，常常提高抑制氣體和稀釋氣體的比例來(lái)降低刻蝕速露，以實(shí)現(xiàn)對(duì)刻鐘終點(diǎn)的精確控制。

(5)溫度

溫度對(duì)刻蝕速率的影響主要體現(xiàn)在化學(xué)反應(yīng)速率的變化。因此為了保證刻蝕速率的均勻性和重復(fù)性，必須精確的控制襯底溫度。

高溫可以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，同時(shí)也有利于揮發(fā)性產(chǎn)物的解吸附。對(duì)于刻蝕生成物揮發(fā)溫度較高的工藝，如 InP的刻蝕，高溫會(huì)帶來(lái)有利的影響，但是對(duì)于以光刻膠為掩膜的低溫工藝來(lái)說(shuō)，溫度必須控制在較低的水平。溫度過(guò)高時(shí)光刻膠會(huì)軟化變形，造成刻蝕圖形的偏差。嚴(yán)重時(shí)光刻膠會(huì)碳化，導(dǎo)致刻蝕后很難去除。如果必須使用較高的襯底溫度，需要改為 SiO2、金屬等硬掩膜。

外加功率在很大程度上會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量。對(duì)于ICP 這種等離子體，功率一般很高，反應(yīng)中襯底溫升很快。如果工藝對(duì)溫度非常敏感，在參數(shù)設(shè)置時(shí)應(yīng)更加注意。

即將要和2019年說(shuō)再見(jiàn)了，光陰荏苒，日月如梭；在2019年12月僅剩余的十多天里，潤(rùn)揚(yáng)儀器有限公司為加強(qiáng)市場(chǎng)建設(shè)，打造民族品牌，樹(shù)立企業(yè)優(yōu)良形象，抽調(diào)部分技術(shù)骨干分頭即將逐一對(duì)新老客戶進(jìn)行回訪活動(dòng)，通過(guò)征集用戶市場(chǎng)需求、匯集客戶對(duì)產(chǎn)品要求，以“客戶為ZX”建立個(gè)性化的服務(wù)方案。公司通過(guò)服務(wù)加深對(duì)市場(chǎng)的認(rèn)識(shí)，加強(qiáng)企業(yè)對(duì)市場(chǎng)前瞻性認(rèn)識(shí)和對(duì)用戶需求的準(zhǔn)確把握，為2020年度進(jìn)一步實(shí)施“三提升”即提升產(chǎn)品質(zhì)量、提升服務(wù)質(zhì)量、提升服務(wù)品牌，為打造企業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)穩(wěn)定創(chuàng)新發(fā)展打下良好的基礎(chǔ)。

作為產(chǎn)品售后服務(wù)工作的一部分，潤(rùn)揚(yáng)儀器堅(jiān)持對(duì)新老客戶進(jìn)行定期的實(shí)時(shí)上門(mén)拜訪，面對(duì)面的直接聽(tīng)取客戶對(duì)于氣相色譜儀、棒狀薄層色譜儀、熱裂解氣相色譜儀、液相色譜儀、VOCs揮發(fā)性有機(jī)物監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及氣體檢測(cè)儀等相關(guān)產(chǎn)品使用的感受和建議，并提出改進(jìn)方案，交流使用心得，已經(jīng)成為我們潤(rùn)揚(yáng)儀器公司每年的一項(xiàng)例行工作任務(wù)。

另外，本次活動(dòng)的內(nèi)容主要是對(duì)客戶的氣相色譜儀、棒狀薄層色譜儀、熱裂解氣相色譜儀、液相色譜儀等產(chǎn)品提供維修、保養(yǎng)、使用、技術(shù)升級(jí)等方面的常規(guī)性的服務(wù)；走訪中做好走訪時(shí)間、整機(jī)編號(hào)、購(gòu)買(mǎi)日期、用戶姓名、單位及聯(lián)系方式、用戶對(duì)公司服務(wù)和產(chǎn)品質(zhì)量的評(píng)價(jià)等內(nèi)容；搜集用戶反饋包括技術(shù)改進(jìn)建議、產(chǎn)品質(zhì)量、服務(wù)改進(jìn)的問(wèn)題，為技術(shù)改進(jìn)、生產(chǎn)制造、市場(chǎng)銷(xiāo)售、服務(wù)改進(jìn)等方面提供一攬子的前手資料；更主要的是增加了技術(shù)服務(wù)，使客戶充分了解企業(yè)在技術(shù)、產(chǎn)品方面的優(yōu)勢(shì)，提前培育了市場(chǎng)，以老客戶口口相傳贏得新客戶信任和支持。

今后，潤(rùn)揚(yáng)儀器公司每個(gè)季度還會(huì)開(kāi)展一至兩次這樣的售后回訪活動(dòng)，同時(shí)，公司還將不定期開(kāi)展氣相色譜儀及相關(guān)儀器設(shè)備的ZT培訓(xùn)，覆蓋范圍涉及主要的石油煉化企業(yè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、精細(xì)化工企業(yè)、第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、食品安檢、電力輸變電站及煤炭開(kāi)采集中片區(qū)。

另外，針對(duì)近期非洲豬瘟檢測(cè)，潤(rùn)揚(yáng)儀器制定一攬子整體優(yōu)選分析方案，ZD進(jìn)駐各級(jí)畜牧獸醫(yī)服務(wù)ZX或農(nóng)業(yè)農(nóng)村發(fā)展服務(wù)ZX，以精誠(chéng)貼心的售前咨詢(xún)、售中論證、售后服務(wù)，保障飲食食品安全，讓國(guó)民吃上放心肉。

如欲了解本次回訪活動(dòng)的詳細(xì)信息或有其他相關(guān)要求，請(qǐng)直接聯(lián)系山東潤(rùn)揚(yáng)儀器有限公司，我們將根據(jù)具體事項(xiàng)為你針對(duì)性提供產(chǎn)品的技術(shù)支持與周到服務(wù)。

從事口罩微生物檢測(cè)的朋友都知道，在菌落總數(shù)檢測(cè)時(shí)，經(jīng)常添加TTC這種物質(zhì)，哪什么是TTC？添加TTC又有什么作用？

TTC：俗稱(chēng)紅四氮唑，學(xué)名2,3,5-三苯基氯化四氮唑，化學(xué)式如下：

在菌落總數(shù)檢測(cè)時(shí)，添加TTC可以起到兩方面的作用：

其一，TTC可以使菌落顯紅色，便于區(qū)分菌落和雜質(zhì)，更利于計(jì)數(shù)；

其二，TTC可以有效的防止平板上的菌落蔓延情況。這兩種作用的原理是不同的，TTC溶于水是無(wú)色的，而嗜中溫性需氧菌在新陳代謝過(guò)程中產(chǎn)生的琥珀脫氫酶可以使無(wú)色的TTC被還原成紅色的TPF，使菌落顯色，這是顯色的原理；同時(shí)TTC還具有YZ某些革蘭氏陽(yáng)性菌生長(zhǎng)的作用，因此會(huì)防止菌落蔓延。但既然會(huì)YZ細(xì)菌的生長(zhǎng)，那會(huì)不會(huì)造成檢測(cè)誤差呢？其實(shí)只要合理使用，注意添加量，對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響并不是很大，是可以忽略不計(jì)的。

有專(zhuān)家對(duì)此做過(guò)實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明培養(yǎng)基內(nèi)TTC濃度在0.0003%-0.001%（w/v）的范圍內(nèi)對(duì)菌落生長(zhǎng)YZ作用不顯著，但濃度太低菌落的顯色效果并不是很好，因此推薦大家按照TTC濃度為0.0005%的量來(lái)添加就不會(huì)對(duì)檢測(cè)結(jié)果產(chǎn)生較大影響，還會(huì)使菌落顯色方便計(jì)數(shù)。為了方便大家在檢測(cè)過(guò)程中方便添加，潤(rùn)揚(yáng)儀器小科特意做了一個(gè)表格，方便大家查詢(xún)：

除了添加量之外，菌落總數(shù)檢測(cè)時(shí)使用TTC過(guò)程中我們還應(yīng)該注意以下幾點(diǎn)：

要點(diǎn)1：TTC的配制過(guò)程，一定要在無(wú)菌條件下進(jìn)行。因?yàn)槲覀兣渲坪玫腡TC溶液在檢測(cè)時(shí)是直接加入到培養(yǎng)基中的，必須保證TTC溶液時(shí)無(wú)菌的，配制用水也必須是無(wú)菌水。

要點(diǎn)2：TTC具有比較強(qiáng)的光敏性，見(jiàn)光易分解，因此無(wú)論是TTC粉末還是配制好的TTC溶液都要注意避光冷藏保存，配制好的溶液一定要放在棕色的試劑瓶里。

要點(diǎn)3：TTC溶液要在菌落總數(shù)檢測(cè)過(guò)程中直接加入滅菌完的培養(yǎng)基中，即在傾倒平皿之前加入培養(yǎng)基然后搖勻使用。盡量不要將TTC溶液加入培養(yǎng)基后一起滅菌，這樣操作會(huì)使培養(yǎng)基顏色加深，不利于顯色和計(jì)數(shù)。

要點(diǎn)4：若顯色效果不是很好，可以考慮提高一下TTC濃度，但不要超過(guò)0.001%的濃度，否則會(huì)使檢測(cè)結(jié)果出現(xiàn)比較大的偏差。

要點(diǎn)5：加TTC溶液還可以有效的控制平板培養(yǎng)基上的菌落蔓延情況，若是添加試劑的主要目的是為了控制菌落蔓延，建議增加培養(yǎng)基中TTC的濃度，濃度大約0.0008%時(shí)就會(huì)起到比較好的效果，并且不會(huì)影響結(jié)果。

任何方法都會(huì)是雙刃劍，添加TTC顯色當(dāng)然也是如此，添加TTC蕞主要的問(wèn)題就是它的YJ作用，會(huì)造成檢測(cè)結(jié)果偏低，因此很多人不愿使用。其實(shí)若是不存在雜質(zhì)干擾或者一些特殊情況可以比較準(zhǔn)確的計(jì)數(shù)，潤(rùn)揚(yáng)儀器小科也建議大家不要一昧因?yàn)轱@色之后容易計(jì)數(shù)就進(jìn)行添加，畢竟這只是在一些特殊情況下采用的非常規(guī)手段。

在2020年新春佳節(jié)之際，不斷更新的新型冠狀病毒肺炎疫情數(shù)據(jù)讓各地不少民眾產(chǎn)生了焦慮，武漢等城進(jìn)入“封城”狀態(tài)也給大家的生活帶來(lái)諸多不便，這場(chǎng)來(lái)勢(shì)洶洶的疫情給經(jīng)濟(jì)影響也只能等疫情結(jié)束以后才能有較準(zhǔn)確的評(píng)估。據(jù)國(guó)家衛(wèi)生健康委報(bào)道，截至1月25日24時(shí)，累計(jì)報(bào)告新型冠狀病毒肺炎確診1975例，現(xiàn)有重癥病例324例。累計(jì)死亡病例56例，累計(jì)治愈出院病例49例?，F(xiàn)有疑似病例2684例。目前累計(jì)追蹤到密切接觸者23431人，當(dāng)日解除醫(yī)學(xué)觀察325人，現(xiàn)有21556人正在接受醫(yī)學(xué)觀察。此時(shí)，一場(chǎng)沒(méi)有硝煙的防控新冠病毒的戰(zhàn)役在全國(guó)各地打響！

作為分析檢測(cè)儀器生產(chǎn)商潤(rùn)揚(yáng)儀器時(shí)刻準(zhǔn)備著，“若有戰(zhàn)，招必應(yīng)，戰(zhàn)必勝”！如果需要我司的氣相色譜儀、液相色譜儀檢測(cè)任務(wù)，隨時(shí)待命！同時(shí)，潤(rùn)揚(yáng)儀器全體同仁向Z美逆行者–辛苦在戰(zhàn)斗一線的醫(yī)護(hù)工作人員表示衷心感謝，致以崇高的致敬！為國(guó)排憂、為民解難，潤(rùn)揚(yáng)儀器義不容辭，只要需要將全力以赴為疫情防控貢獻(xiàn)自己的力量！