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- DNF郭健 2015-07-18 00:00:00
- 可以根據(jù)英語意思來記,常見的: Computer Vocabulary In Common Use 一、硬件類(Hardware) 二、軟件類(Software) 三、網(wǎng)絡類(Network) CPU(Center Processor Unit)ZY處理單元 mainboard主板 RAM(random access memory)隨機存儲器(內存) ROM(Read Only Memory)只讀存儲器 Floppy Disk軟盤 Hard Disk硬盤 CD-ROM光盤驅動器(光驅) monitor監(jiān)視器 keyboard鍵盤 mouse鼠標 chip芯片 CD-R光盤刻錄機
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- 碧水的天空藍 2008-11-08 00:00:00
- 太多了,不知道你是哪一個不懂,還是……
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- *和春人 1970-01-01 08:00:00
- 桌面、窗口、Z大化、Z小化、前端總線、主頻、超頻、MB、GB、KB、總線、帶寬......
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馬弗爐是一種通用的加熱設備,呈箱式,電阻絲藏于箱體中,箱體壁厚,內有保溫材料,溫度可升至1200度,常用于馬弗爐堿融某些難溶金屬及礦物質,以及重量法分析中,將濾紙無焰灰化、灼燒分解有機物、驅趕無機物中可揮發(fā)成份等。
產(chǎn)品應用范圍為
(1)熱加工、工業(yè)工件處理、水泥、建材行業(yè),進行小型工件的熱加工或處理。
(2)醫(yī)藥行業(yè):用于藥品的檢驗、醫(yī)學樣品的預處理等。
(3)分析化學行業(yè):作為水質分析、環(huán)境分析等領域的樣品處理。也可以用來進行石油及其分析。
(4)煤質分析:用于測定水分、灰分、揮發(fā)分、灰熔點分析、灰成分分析、元素分析。也可以作為通用灰化爐使用。
馬弗爐相關術語解釋
(1) 過程變量。在過程控制中,過程變量是指需要控制或檢測的物理量,如溫度控制中的溫度、壓力控制中的壓力、流量控制中的流量等都屬于過程變量。
(2) 硅鉬棒。硅鉬棒阻性電熱元件,以二硅化鉬為基礎制成,耐高溫、抗氧化的。在高溫氧化性氣氛下使用時,表面生成一層光亮致密的石英玻璃膜,能夠保護硅鉬棒內層不再氧化,硅鉬棒元件具有獨特的高溫抗氧化性。
(3)設定值。設定值又稱設置點或給定值,是控制器實時控制過程變量的目標值,也就是程序編程值,常用SP或sv表示。
(4)正向作用。實測值PV與設定值SP比較,當在PV SP時,控制輸出量增加,就是控制器的正向作用。正向作用通常用于制冷控制。
(5)比值控制。比值控制是指有兩路控制輸人量的情況下,控制量是兩者的比率。例如燃氣爐控制,為了獲得高的燃燒效率,燃氣和空氣的需要保持一定的比率。(6)實際值。實際值又稱實測值,是控制器測量到的,被控對象過程變量的實時變化值,常用Pv表示。在程序控制中,過程變量的實際值要跟隨設定值變化。
(7)反向作用。實測值PV與設定值SP比較,當在PV SP時,控制輸出量增加,就是控制器的反向作用。反向作用通常用于加熱控制。(8)控制回路??刂苹芈肥侵缚刂破魍瓿梢粋€過程變量的控制,所包含的全部閉環(huán)控制環(huán)節(jié)。
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垂直燃燒性測試儀適用于有阻燃要求的醫(yī)用防護服、服裝織物、裝飾織物、帳篷織物等紡織品續(xù)燃、阻燃及炭化傾向的阻燃性能測定。
適用標準:
GB/T 5455-1997《紡織品燃燒性能試驗垂直法》
主要參數(shù):
1、試樣尺寸:80mm×300mm;
2、點火方式:自動;
3、點火時間:12秒;
4、點火器口徑:Φ11mm;
5、續(xù)燃時間及陰燃時間:0~999.9秒;
6、火焰高度:高40mm;
7、使用氣體:丙烷或丁烷或石油液化氣;
8、工作電源:AC220V,50Hz。
技術特點:
1、點火方式:電子點火機構;
3、燃燒位置和時間自動調節(jié);
4、點火時間:0~99.99秒,在試驗過程中,續(xù)燃時間、陰燃時間均自動記錄,數(shù)碼顯示;
5、火焰高度:使用火焰高度測量裝置手動調節(jié);
6、試樣夾:“推拉式”試樣架固定裝置;
7、報警裝置:配有可燃氣體泄露報警裝置。
專用術語:
續(xù)燃——在規(guī)定的試驗條件下,移開(點)火源后材料持續(xù)的有焰燃燒。
續(xù)燃時間——在規(guī)定的試驗條件下,移開(點)火源后材料持續(xù)有焰燃燒的時間。
陰燃——當有焰燃燒終止后,或如為無焰燃燒者移開(點)火源后,材料持續(xù)的無焰燃燒。
陰燃時間——在規(guī)定的試驗條件下,當有焰燃燒終止后,或者移開(點)火源后,材料持續(xù)無焰燃燒的時間。
炭化——高溫分解或不完全燃燒形成的碳質殘渣。
炭化長度——在測量紡織品的耐火性能,施加規(guī)定的撕裂力從直接暴露于火焰中織物邊緣至織物可見損毀zui遠點的距離。
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電阻特性定義
種絕緣材料的電阻特性是在一定時間范圍內用直流電壓測量出的綜合材料特性。
GB/T31838.1-2015/IEC62631-1:201
1
絕緣電阻 insulation resistance
在規(guī)定條件下,由絕緣材料隔開的兩導體之間存在的電阻
注:絕緣電阻包括在給定試樣幾何形狀下的體積電阻和表面電阻。
2
體積電阻 volume resistance
施加在與絕緣介質表面接觸的兩個電極間的直流電壓與給定時間流過介質的電流之比。
注:本定義不包含沿表面的電流,并忽略可能在電極間產(chǎn)生的極化現(xiàn)象。
3
體積電阻率
volume re
esistivity
直流電場強度與在給定時間電壓下絕緣介質內電流密度之比。
注1:根據(jù)IEC60050-212,“電導率”被定義為標量或矩陣,它與電場強度的乘積是傳導電流密度;“電阻率”是“電導率”的倒數(shù)。體積電阻率是在測量時單位體積內可能存在的各向異性的數(shù)量的平均值,還包括在電極間可能產(chǎn)生的極化現(xiàn)象
注2:在實際中,體積電阻率通常被視為單位體積內的體積電阻
4
表面電阻 surface resistance
取決于沿表面導電的那部分絕緣電阻。
注:表面電流通常主要取決于施加電壓的時間;表面電流還通常以不穩(wěn)定的方式變動。
5
表面電阻率 surface resistivit!y
單位面積內的表面電阻。
注:表面電阻率的數(shù)值不受面積大小的影響。
3介電性能的定義
種絕緣材料的介電特性是指在給定頻率范圍內用交流電壓測量出的綜合材料特性。
3.1
介電常數(shù) absolute permittivity
電通密度除以電場強度。
注:一種絕緣材料的測量介電常數(shù)c等于它的相對介電常數(shù)e,和真空介電常數(shù)c。的乘積,見式(1):
介電常數(shù)的單位是法拉每米(F/m),真空介電常數(shù)ε。的值按式(2)確定:
3.2
相對介電常數(shù) relative permittivity
介電常數(shù)與真空介電常數(shù)ε。的比值。
注1:在恒定電場或頻率很低的交變電場中,各向同性及準各向同性介質的相對介電常數(shù)等于充滿該介質的電容器的電容與相同結構電極的真空電容器的電容之比。
注2:在實際工程中,“介電常數(shù)”這一術語常用來指代“相對介電常數(shù)”。
注3:絕緣材料的相對介電常數(shù)ε,是電容量Cx與C。之比。其中,C是置于電極之間和周圍完全由考慮中絕緣材料填充的電容試樣(電容器)的電容值;C。則是真空下相同構造電極的電容值。
在標準大氣壓下,不含二氧化碳的干燥空氣的相對介電常數(shù)是1.00053,因此在實踐中,常用電極構造相同的空氣電容值C代替真空電容值C。來測定介質的相對介電常數(shù)ε,的精度是足夠的。
3.3
相對復合介電常數(shù) relative complex permittivity
穩(wěn)定的正弦場條件下用復數(shù)表示介電常數(shù),見式(4):聲
其中ε,"與ε,"為正值。
注1:習慣上,相對復介電常數(shù)E可用c和e,"中的任意一個表示,或者用c,和tan表示。若e,>e,",則e≈e,';
此時這兩者都被稱為相對介電常數(shù)。
注2:c,"被稱為損耗指數(shù)。
3.4
介質損耗因數(shù)tan6(損耗正切) dielectric dissipation factor tan6( loss tagent)
復合介電常數(shù)的虛部與實部的比值,見式(5):
注1:絕緣材料的介質損耗因數(shù)tanδ就是角δ的正切值。當固體絕緣材料在電容試樣(電容器)中專門用作電介質時,損耗角是弧度減去施加電壓與產(chǎn)生電流的相位差(如圖1)。
介質損耗因數(shù)也可用等價的電路圖表示。該電路圖中,一個理想電容器與一個電阻器進行串聯(lián)或并聯(lián)(如圖2)此時tano見式(6):
tan=oC,×R,
注2:R,和R,并不與絕緣材料的體積和表面電阻直接相連,但會受到它們的影響。因此,介質損耗因數(shù)也可能會受到這些電阻材料性質的影響。
GB/T31838.1-2015/IEC62631-1:201
3.4
電容 capacitance
當導體間存在電勢差時,導體和電介質的裝置能夠儲存電荷的特性。
注:C是電荷數(shù)量q與電勢差U之間的比率,見式(9)。電容值永遠為正,當電荷量與電勢差的單位分別為庫侖和伏特時,電容單位為法拉
3.5
電壓施加 voltage application
電極之間施加的電壓。
注:電壓施加有時也被稱作充電。
3.6
電壓施加后的電流 current after voltage application
當直流電壓施加在與絕緣介質接觸的兩電極之間時產(chǎn)生的電流。
注:電壓施加后電流與時間聯(lián)系緊密,通常在電壓施加1min后測定電流。
3.7
傳導電流 conduction current
電壓施加后電流的穩(wěn)定部分
3.8
充電電流 charging current
電壓施加后,流動在試樣充電期間的電流的瞬態(tài)部分。
3.9
電場強度 electric field strength
作用于靜止帶電粒子上的力F與電荷Q之比,為矢量,用E表示,見式(10)
3.10
電通密度 electric flux density
在給定點上真空介電常數(shù)ε。和電場強度E的乘積與極化P之和,為矢量,用D表示,見式(11):
3.11
極化 polarization
P
描述橫截電場方向的材料現(xiàn)象。在給定準無限小體積V內,極化等于電偶極矩除以體積V,極化
為矢量,見式(12):
注1:極化P滿足式(11)。
注2:極化可能導致帶電粒子遷移或偶極子取向,它可能在界面處出現(xiàn),如在電極和在電氣絕緣材料的內邊界處所有極化效應都依賴時間、顆率和溫度,因此極化效應對電介質和電阻特性產(chǎn)生強烈影響。因此,時間依賴于極化發(fā)生的過程(也就是電氣絕緣材料經(jīng)歷電壓施加的過程),當一種電氣絕緣材料的電阻特性被測定時通常
被表達為極化。
3.12
去極化 depolarization
從電氣絕緣材料上移去極化直到去極化電流忽略不計的過程。
注:通常建議在測量電氣絕緣材料的電阻特性前進行去極化。
3.13
極化電流 polarization current
施加電壓后產(chǎn)生電流的暫態(tài)部分,可能會被充電電流大大減弱。
注:極化電流通常在電極的初次短路后進行測量,為有足夠時間使短路電流可忽略不計。
3.14
去極化電流 depolarization current
在施加直流電壓一段時間后,流經(jīng)與絕緣介質相接觸的兩電極間短路的電流
注:去極化電流通常在電壓施加后進行測量,為有足夠時間使極化電流可忽略不計。
3.15
測量電極 measuring electrodes
貼附于材料表面或者埋入材料內部的導體,以接觸材料來測量其介電或電阻特性。
注:這個設計取決于試樣或者測試的目的。
北京冠測精電儀器設備有限公司,成立至今已經(jīng)和國內多家知名教育機構,全國各地多家企業(yè)有過長期的合作關系,專注于新型材料試驗機的研究,長期聘請清華大學精密儀器系的專家為技術顧問,并成立新型材料檢測儀器研發(fā)ZX。
北京冠測精電儀器設備有限公司是集專業(yè)設計、開發(fā)、生產(chǎn)與銷售于一體的高新技術股份制企業(yè),專注于新型材料試驗機的研制、材料檢測技術的提高及材料試驗方法的創(chuàng)新,是國內lingxian的材料試驗檢測儀器的生產(chǎn)企業(yè)。
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