国产三级在线看完整版-内射白嫩大屁股在线播放91-欧美精品国产精品综合-国产精品视频网站一区-一二三四在线观看视频韩国-国产不卡国产不卡国产精品不卡-日本岛国一区二区三区四区-成年人免费在线看片网站-熟女少妇一区二区三区四区

儀器網(wǎng)(yiqi.com)歡迎您!

| 注冊2 登錄
網(wǎng)站首頁-資訊-話題-產(chǎn)品-評測-品牌庫-供應(yīng)商-展會-招標(biāo)-采購-知識-技術(shù)-社區(qū)-資料-方案-產(chǎn)品庫-視頻

問答社區(qū)

水泥制備工藝和性能研究,給飛仔的

代忠寶i 2011-01-19 01:22:07 484  瀏覽
  •  

參與評論

全部評論(1條)

  • 王靜雯viki 2011-01-20 00:00:00
    水泥制備工藝和性能研究 一 水泥的制備 (一)生料制備 一 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1 進(jìn)一步熟悉生料配料計算方法; 2 了解生料均勻性細(xì)度的控制方法 3 了解易燒性實(shí)驗(yàn)中物料成型方法 二 實(shí)驗(yàn)原理 在硅酸鹽水泥熟料燒成過程中,合適的組成、細(xì)度和均勻的生料有利于固相反應(yīng)的進(jìn)行。生料制成大小合適、表觀密度一致的料段,保證加熱時均勻一致。 混合時將顆粒打散,手工拌和時,一邊拌一邊壓。用攪拌機(jī)、球磨混合較好。 三 實(shí)驗(yàn)原料 石灰石、粘土、螢石、鐵粉和石膏 四 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 1 秤 2 攪拌機(jī) 3 球磨機(jī) 4 量筒 5 成型模具 6 烘箱 7 牛角匙、攪拌棒等 五 實(shí)驗(yàn)步驟 1 配料計算 (1) 選擇熟料的率值和礦物組成 (2) 原材料的粉磨 (3) 配料秤量 (4) 均混 (5) 生料成分的檢驗(yàn)和調(diào)整 (6) 加水成型和烘干 (7) 易燒性試驗(yàn)的物料準(zhǔn)備 (二)熟料的煅燒 一 實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 水泥的質(zhì)量主要取決于是你熟料的質(zhì)量,而熟料的質(zhì)量不僅與水泥生料的成分、均勻性有關(guān),而且與煅燒的熱工制度有關(guān)。因此,在水泥研究和生產(chǎn)中往往要通過實(shí)驗(yàn)來了解生料的易燒性和研究熟料的煅燒過程,為水泥生產(chǎn)提供依據(jù)。 1 掌握實(shí)驗(yàn)室常用實(shí)驗(yàn)設(shè)備、儀器的使用方法 2 掌握水泥燒成的實(shí)驗(yàn)方法、了解水泥熟料燒成過程 3 了解生料的易燒性、升溫速率、保溫時間和冷卻制度對不同配料熟料煅燒的影響 二 實(shí)驗(yàn)原理 1礦物組成 硅酸鹽水泥熟料中主要形成四種礦物:硅酸三鈣,3 CaO·SiO2,簡寫C3S,占50~60%,稱阿利特(Alite)或A礦;硅酸二鈣,2 CaO·SiO2,簡寫C2S,占20~25%,稱貝利特(Belite)或B礦;鋁酸三鈣,3CaO·Al2O3,簡寫C3A,占5~10%;鐵相固溶體,通常以鐵鋁酸四鈣表示,4CaO·Al2O3·Fe2O3,簡寫C4AF,占10~15%,稱才利特(Celite)或C礦。 2 水泥熟料的形成過程 (1)水分蒸發(fā): 自由水分隨物料溫度而逐漸蒸發(fā),當(dāng)溫度升高至100~150℃時,生料中自由水分全部被排除。 濕法生產(chǎn)中,料漿可達(dá)32~40%,故此干燥過程對產(chǎn)量、質(zhì)量及熱耗影響極大。 (2)粘土質(zhì)原料脫水: 生料溫度升至450℃時,高嶺土脫去化學(xué)結(jié)合水。 在900℃~950℃時,無定形物質(zhì)又轉(zhuǎn)變?yōu)榫w,同時放出熱量。 (3)碳酸鹽分解: 碳酸鈣與碳酸鎂在600℃都開始分解,碳酸鎂在750℃時分解即劇烈進(jìn)行,而碳酸鈣約在900℃時才快速分解。 MgCO3=MgO+CO2 CaCO3=CaO+CO2 (4)固相反應(yīng): 水泥熟料中的主要礦物在800~1300℃時可以由固相物質(zhì)相互反應(yīng)而生成。 800~900℃時,CaO與Al2O3、Fe2O3反應(yīng),生成CA、CF; 900~1100℃時, 生成C12A7、C2F、C2S; 1100~1300℃時, 生成C3A、C4AF。 以上反應(yīng)進(jìn)行時放出一定熱量,物料本身溫度上升很快。 (5)硅酸三鈣(C3S)的形成和燒成反應(yīng): 硅酸三鈣要在液相中才能大量形成。當(dāng)溫度升高到近1300℃時,C3A、C4AF、R2O等熔劑礦物變成液相,C2S與CaO溶解在高溫液相中,互相反應(yīng)生成C3S;C3S的生成速度與燒成溫度和反應(yīng)時間有關(guān)。其生成溫度范圍一般為1300~1450℃。 熟料燒成后,溫度開始下降,C3S形成速度減慢直至液相凝固。 (6)熟料的冷卻過程: 在冷卻過程中,將有部分熔劑礦物形成晶體析出,另一部分來不及析晶而呈玻璃態(tài)存在。 C3S在1250℃時容易分解,所以要求在1300℃以下熟料要快冷,使C3S來不及分解,越過1250℃以后,C3S就比較穩(wěn)定了。 C2S在<500℃時,由β-C2S轉(zhuǎn)變?yōu)棣茫瑿2S,密度減少而使體積增大10%左右,從而使熟料塊變成粉末狀。粉化后的γ-C2S與水反應(yīng)時,幾乎沒有水硬性,因此在<500℃溫度段時應(yīng)急冷,使其來不及轉(zhuǎn)化。 四 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 1 高溫爐 2 坩堝 3 坩堝鉗 五 實(shí)驗(yàn)步驟 1 檢查高溫爐是否正常。 2 生料易燒性實(shí)驗(yàn),將試件放在105~110℃下烘干,60min以上,取6組相同的試樣煅燒,煅燒時間從放入試樣到取樣止。 3 保溫結(jié)束后取出試樣。 六 思考題 易燒性實(shí)驗(yàn)應(yīng)注意哪些? 二 水泥及粉狀材料細(xì)度的測試 一 試驗(yàn)?zāi)康?1 了解水泥細(xì)度檢測方法的國家標(biāo)準(zhǔn) 2 測定水泥的80μm和45μm的方孔篩篩余量 二 試驗(yàn)原理 本標(biāo)準(zhǔn)是采用45μm方孔篩和80μm方孔篩對水泥試樣進(jìn)行篩析試驗(yàn),用篩上篩余物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)來表示水泥樣品的細(xì)度。 三 原料 水泥 四 設(shè)備 1 試驗(yàn)篩 試驗(yàn)篩由圓形篩框和篩網(wǎng)組成,篩網(wǎng)符合GB/T 6005 R20/3 80μm,GB/T 6005 R20/3 45μm的要求,分負(fù)壓篩、水篩和手工篩三種,負(fù)壓篩和水篩的結(jié)構(gòu)尺寸見圖1和圖2,負(fù)壓篩應(yīng)附有透明篩蓋,篩蓋與篩上口應(yīng)有良好的密封性。手工篩結(jié)構(gòu)符合GB/T 6003.1,其中篩框高度為50mm,篩子的直徑為150mm。 2 負(fù)壓篩析儀 負(fù)壓篩析儀由篩座、負(fù)壓篩、負(fù)壓源及收塵器組成,其中篩座由轉(zhuǎn)速為30 r/min士2 r/min的噴氣嘴、負(fù)壓表、控制板、微電機(jī)及殼體構(gòu)成,見圖3。 五 操作步驟 1 試驗(yàn)準(zhǔn)備 試驗(yàn)前所用試驗(yàn)篩應(yīng)保持清潔,負(fù)壓篩和手工篩應(yīng)保持干燥。試驗(yàn)時,80μm篩析試驗(yàn)稱取試樣25g,45μm篩析試驗(yàn)稱取試樣10g。 2 負(fù)壓篩析法 (1)篩析試驗(yàn)前應(yīng)把負(fù)壓篩放在篩座上,蓋上篩蓋,接通電源,檢查控制系統(tǒng),調(diào)節(jié)負(fù)壓至4000Pa~6000Pa范圍內(nèi)。 (2)稱取試樣精確至0.0lg,置于潔凈的負(fù)壓篩中,放在篩座上,蓋上篩蓋,接通電源,開動篩析儀連續(xù)篩析2min,在此期間如有試樣附著在篩蓋上,可輕輕地敲擊篩蓋使試樣落下。篩畢,用天平稱量全部篩余物。 3 水篩法 (1)篩析試驗(yàn)前,應(yīng)檢查水中無泥、砂,調(diào)整好水壓及水篩架的位置,使其能正常運(yùn)轉(zhuǎn),并控制噴頭底面和篩網(wǎng)之間距離為35mm~75mm。 (2)稱取試樣精確至0.01g,置于潔凈的水篩中,立即用淡水沖洗至大部分細(xì)粉通過后,放在水篩架上,用水壓為0.05MPa士0.02MPa的噴頭連續(xù)沖洗3min,篩畢,用少量水把篩余物沖至蒸發(fā)皿中,等水泥顆粒全部沉淀后,小心倒出清水,烘干并用天平稱量全部篩余物。 4 手工篩析法 (1) 稱取水泥試樣精確至0.01g,倒人手工篩內(nèi)。 (2) 用一只手持篩往復(fù)搖動,另一只手輕輕拍打,往復(fù)搖動和拍打過程應(yīng)保持近于水平。拍打速度每分鐘約120次,每40次向同一方向轉(zhuǎn)動600,使試樣均勻分布在篩網(wǎng)上,直至每分鐘通過的試樣量不超過0.03g為止,稱量全部篩余物。 5 試驗(yàn)篩的清洗 試驗(yàn)篩必須經(jīng)常保持潔凈,篩孔通暢,使用10次后要進(jìn)行清洗。金屬框篩、銅絲網(wǎng)篩清洗時應(yīng)用專門的清洗劑,不可用弱酸浸泡。 六 結(jié)果與處理 水泥試樣篩余百分?jǐn)?shù)按下式計算: F=R/W×100 R 一 水泥試樣的篩余百分?jǐn)?shù),單位為質(zhì)量百分?jǐn)?shù)(%); R — 水泥篩余物的質(zhì)量,單位為克(g); W— 水泥試樣的質(zhì)量,單位為克(g); 結(jié)果計算至0.1% 注:負(fù)壓篩析法、水篩法和手工篩析法測定的結(jié)果發(fā)生爭議時,以負(fù)壓篩析法為準(zhǔn)。 三 水泥標(biāo)準(zhǔn)稠度,凝結(jié)時間和體積安定性測試 一 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1 了解水泥標(biāo)準(zhǔn)稠度用水量的測定方法。 2 掌握凝結(jié)時間的測定方法 二 實(shí)驗(yàn)原理 1 水泥標(biāo)準(zhǔn)神摩凈漿對標(biāo)準(zhǔn)試桿(或試錐)的沉人具有一定阻力。通過試驗(yàn)不同含水量水泥凈漿的穿透性,以確定水泥標(biāo)準(zhǔn)稠度凈漿中所需加人的水量。 2 凝結(jié)時間以試針沉人水泥標(biāo)準(zhǔn)稠度凈漿至一定深度所需的時間表示。 3 安定性 (1)雷氏法是觀測由二個試針的相對位移所指示的水泥標(biāo)準(zhǔn)稠度凈漿體積膨脹的程度。 (2)試餅法是觀測水泥標(biāo)準(zhǔn)稠度凈漿試餅的外形變化程度。 三 實(shí)驗(yàn)原料 水泥 水 四 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 1 水泥凈漿攪拌機(jī) 2 標(biāo)準(zhǔn)法維卡儀 如圖1所示,標(biāo)準(zhǔn)稠度測定用試桿〔見圖lc〕有效長度為50mm±1mm、由直徑為φ10mm±0.05mm的圓柱形耐腐蝕金屬制成。測定凝結(jié)時間時取下試桿,用試針[見圖1d)、e]代替試桿。試針由鋼制成,其有效長度初凝針為50mm±1mm、終凝針為30mm±1mm,直徑為φ1.13mm±0.05mm的圓柱體?;瑒硬糠值目傎|(zhì)量為300g±1g。與試桿、試針聯(lián)結(jié)的滑動桿表面應(yīng)光滑,能靠重力自由下落,不得有緊澀和晃動現(xiàn)象。 盛裝水泥凈漿的試?!惨妶Dla)〕應(yīng)由耐腐蝕的、有足夠硬度的金屬制成。試模為深40mm±0.2mm、頂內(nèi)徑φ65mm±0.5mm、底內(nèi)徑φ75mm±0.5mm的截頂圓錐體。每只試模應(yīng)配備一個大于試模、厚度≥2.5mm的平板玻璃底板。 3 代用法維卡儀 4 雷氏夾 由銅質(zhì)材料制成,其結(jié)構(gòu)如圖2。當(dāng)一根指針的根部先懸掛在一根金屬絲或尼龍絲上,另一根指針的根部再掛上300g質(zhì)量的砝碼時,兩根指針針尖的距離增加應(yīng)在17.5mm±2.5mm范圍內(nèi),即2x=17.5mm±2.5mm(見圖3),當(dāng)去掉砝碼后針尖的距離能恢復(fù)至掛砝碼前的狀態(tài)。 5 沸煮箱 有效容積約為410mm×240mm×310mm,蓖板的結(jié)構(gòu)應(yīng)不影響試驗(yàn)結(jié)果,蓖板與加熱器之間的距離大于5Omm。箱的內(nèi)層由不易銹蝕的金屬材料制成,能在30min±5min內(nèi)將箱內(nèi)的試驗(yàn)用水由室溫升至沸騰狀態(tài)并保持3h以上,整個試驗(yàn)過程中不需補(bǔ)充水量。 6雷氏夾膨脹測定儀 如圖4所示,標(biāo)尺Z小刻度為0.5mm。 7 量水器:Z小刻度0.1mL,精度1%。 8 天平:Z大稱量不小于1000g,分度值不大于lg 五 實(shí)驗(yàn)步驟 1標(biāo)準(zhǔn)稠度用水量的測定(標(biāo)準(zhǔn)法) (1)試驗(yàn)前必須做到 a) 維卡儀的金屬棒能自由滑動; b)調(diào)整至試桿接觸玻璃板時指針對準(zhǔn)零點(diǎn); c)攪拌機(jī)運(yùn)行正常。 (2)水泥凈漿的拌制 用水泥凈漿攪拌機(jī)攪拌,攪拌鍋和攪拌葉片先用濕布擦過,將拌和水倒人攪拌鍋內(nèi),然后在5s~10s內(nèi)小心將稱好的500g水泥加人水中,防止水和水泥濺出;拌和時,先將鍋放在攪拌機(jī)的鍋?zhàn)?,升至攪拌位置,啟動攪拌機(jī),低速攪拌120s,停15s,同時將葉片和鍋壁上的水泥漿刮人鍋中間,接著高速攪拌120s停機(jī)。 (3)標(biāo)準(zhǔn)稠度用水量的測定步驟 拌和結(jié)束后,立即將拌制好的水泥凈漿裝人已置于玻璃底板上的試模中,用小刀插搗,輕輕振動數(shù)次,刮去多余的凈漿;抹平后迅速將試摸和底扳移到維卡儀上,并將其ZX定在試桿下,降低試桿直至與水泥凈漿表面接觸,擰緊螺絲1s~2s后,突然放松,使試桿垂直自由地沉入水泥凈漿中。在試桿停止沉人或釋放試桿30s時記錄試桿距底板之間的距離,升起試桿后,立即擦凈;整個操作應(yīng)在攪拌后1.5min內(nèi)完成。以試桿沉人凈漿并距底板6mm±1mm的水泥凈漿為標(biāo)準(zhǔn)稠度凈漿。其拌和水量為該水泥的標(biāo)準(zhǔn)稠度用水量(P),按水泥質(zhì)量的百分比計。 2 凝結(jié)時間的測定 (1)測定前準(zhǔn)備工作:調(diào)整凝結(jié)時間測定儀的試針接觸玻璃板時,指針對準(zhǔn)零點(diǎn)。 (2)試件的制備:以標(biāo)準(zhǔn)稠度用水量按7.2條制成標(biāo)準(zhǔn)稠度凈漿一次裝滿試模,振動數(shù)次刮平,立即放人濕氣養(yǎng)護(hù)箱中。記錄水泥全部加人水中的時間作為凝結(jié)時間的起始時間。 (3)初凝時間的測定:試件在濕氣養(yǎng)護(hù)箱中養(yǎng)護(hù)至加水后30min時進(jìn)行diyi次測定。測定時,從濕氣養(yǎng)護(hù)箱中取出試模放到試針下,降低試針與水泥凈漿表面接觸。擰緊螺絲1s~2s后,突然放松,試針垂直自由地沉人水泥凈漿。觀察試針停止下沉或釋放試針30s時指針的讀數(shù)。當(dāng)試針沉至距底板 4mm±1mm時,為水泥達(dá)到初凝狀態(tài);由水泥全部加人水中至初凝狀態(tài)的時間為水泥的初凝時間,用 “min”表示。 (4)終凝時間的測定:為了準(zhǔn)確觀測試針沉人的狀況,在終凝針上安裝了一個環(huán)形附件〔見圖1e)。 在完成初凝時間測定后,立即將試模連同漿體以平移的方式從玻璃板取下,翻轉(zhuǎn)大端向上,小端向下放在玻璃板上,再放人濕氣養(yǎng)護(hù)箱中繼續(xù)養(yǎng)護(hù),臨近終凝時間時每隔15min一測定一次,當(dāng)試針沉人試體0.5mm時,即環(huán)形附件開始不能在試體上留下痕跡時,為水泥達(dá)到終凝狀態(tài),由水泥全部加人水中至終凝狀態(tài)的時間為水泥的終凝時間,用“min”表示。 (5)測定時應(yīng)注意,在Z初測定的操作時應(yīng)輕輕扶持,金屬柱,使其徐徐下降,以防試針撞彎,但結(jié)果以自由下落為準(zhǔn);在整個測試過程中試針沉人的位置至少要距試模內(nèi)壁l0mm。臨近初凝時,每隔5min測定一次,臨近終凝時每隔15min測定一次,到達(dá)初凝或終凝時應(yīng)立即重復(fù)測一次,當(dāng)兩次結(jié)論相同時才能定為到達(dá)初凝或終凝狀態(tài)。每次測定不能讓試針落人原針孔,每次測試完畢須將試針擦凈并將試模放回濕氣養(yǎng)護(hù)箱內(nèi),整個測試過程要防止試模受振。 3安定性的測定 標(biāo)準(zhǔn)法 (1) 測定前的準(zhǔn)備工作 每個試樣需成型兩個試件,每個雷氏夾需配備質(zhì)量約75g~85g的玻璃板兩塊,凡與水泥凈漿接觸的玻璃板和雷氏夾內(nèi)表面都要稍稍涂上一層油。 (2) 雷氏夾試件的成型 將預(yù)先準(zhǔn)備好的雷氏夾放在已稍擦油的玻璃板上,并立即將已制好的標(biāo)準(zhǔn)稠度凈漿一次裝滿雷氏夾,裝漿時一只手輕輕扶持雷氏夾,另一只手用寬約lOmm的小刀插搗數(shù)次,然后抹平,蓋上稍涂油的玻璃板,接著立即將試件移至濕氣養(yǎng)護(hù)箱內(nèi)養(yǎng)護(hù)24h±12h。 (3)沸煮 調(diào)整好沸煮箱內(nèi)的水位,使能保證在整個沸煮過程中都超過試件,不需中途添補(bǔ)試驗(yàn)用水,同時又能保證在30min±5min內(nèi)升至沸騰。 脫去玻璃板取下試件,先測量雷氏夾指針間的距離(A),精確到0. 5mm,接著將試件放入沸煮箱水中的試件架上,指針朝上,然后在30min±5min內(nèi)加熱至沸并恒沸180min±5min。 (4) 結(jié)果判別 沸煮結(jié)束后,立即放掉沸煮箱中的熱水,打開箱蓋,待箱體冷卻至室溫,取出試件進(jìn)行判別。測量雷氏夾指針的距離(C),準(zhǔn)確至0.5,當(dāng)兩個試件煮后增加距離(C-A)的平均值不大于5.0mm時,即認(rèn)為該水泥安定性合格,當(dāng)兩個試件的(C-A)值相差超過4.0mm時,應(yīng)用同一樣品立即重做一次試驗(yàn)。再如此,則認(rèn)為該水泥為安定性不合格。 代用法 (1)測定前的準(zhǔn)備工作 每個樣品需準(zhǔn)備兩塊約l00mm×l00mm的玻璃板,凡與水泥凈漿接觸的玻璃板都要稍稍涂上一層油。 (2)試餅的成型方法 將制好的標(biāo)準(zhǔn)稠度凈漿取出一部分分成兩等份,使之成球形,放在預(yù)先準(zhǔn)備好的玻璃板上,輕輕振動玻璃板并用濕布擦過的小刀由邊緣向ZY抹,做成直徑70mm~80mm、ZX厚約10mm、邊緣漸薄、表面光滑的試餅,接著將試餅放人濕氣養(yǎng)護(hù)箱內(nèi)養(yǎng)護(hù)24h±2h. 六 思考題 1 水泥凝結(jié)時間的影響因素有哪些? 2 水泥沸煮法安定性試驗(yàn)測出水泥安定性不良的原因是什么?為什么? 四 水泥膠砂強(qiáng)度測試 一 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1 掌握水泥膠砂強(qiáng)度的測定方法 2 掌握強(qiáng)度的計算方法 二 實(shí)驗(yàn)原理 制作成試塊養(yǎng)護(hù)一定時間后用壓力機(jī)進(jìn)行試驗(yàn),測試它的抗壓強(qiáng)度,得知水泥膠砂的強(qiáng)度。 三 實(shí)驗(yàn)原料 水泥、砂、水 四 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 1 攪拌機(jī) 2 壓力機(jī) 3 振動臺 五 實(shí)驗(yàn)步驟 1成型前將試模擦凈,四周的模板與底座的接觸面上應(yīng)涂黃干油,緊密裝配,防止漏漿,內(nèi)壁均勻刷一層機(jī)油。 2 配料 水泥450g、砂1350g和水225ml 3 攪拌 4 試件制備 在攪拌膠砂的同時將試模及下料漏斗卡緊在振動臺臺面ZX。將攪拌好的全部膠砂均勻地裝人下料漏斗中,開動振動臺。振動完畢,取下試模,用刮平刀輕輕刮去高出試模的膠砂并抹平。接著在試體上編號。編號后,將試模放人養(yǎng)護(hù)箱養(yǎng)護(hù)。養(yǎng)護(hù)箱內(nèi)篦板必須水平。24±3h后取出脫模,脫模時應(yīng)防止試體損傷。硬化較慢的水泥允許延期脫模,但須記錄脫模時間。 5 強(qiáng)度計算 各齡期的試體必須在下列時間內(nèi)進(jìn)行強(qiáng)度試驗(yàn):齡期3d 時間3d±2h (1)抗折強(qiáng)度試驗(yàn) 試驗(yàn)前須擦去試體表面的附著水分和砂粒,清除夾具上圓柱表面粘著的雜物,試體放入抗折夾具內(nèi),應(yīng)使側(cè)面與圓柱接觸??拐墼囼?yàn)加荷速度為5±0.5kgf/s。 計算: Rf=(1.5P*L)/(b3) 式中: Rf-抗折強(qiáng)度,Mpa; P-破壞荷重,N; L-支撐圓柱ZX距,即10cm; b-試體斷面邊長,mm。 (2)抗壓強(qiáng)度試驗(yàn) 抗折試驗(yàn)后的二個斷塊應(yīng)立即進(jìn)行抗壓試驗(yàn)。 Rc=(Fc/S) 式中: Rc-抗壓強(qiáng)度,Mpa; Fc -破壞荷重,N; S——受壓面積,mm2。 六 思考題 水泥膠砂強(qiáng)度測定的試件養(yǎng)護(hù)時為什么要規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)?

    贊(17)

    回復(fù)(0)

    評論

熱門問答

水泥制備工藝和性能研究,給飛仔的
 
2011-01-19 01:22:07 484 1
熱水瓶的結(jié)構(gòu)和性能的研究
誰知道熱水瓶的內(nèi)膽是用什么材料做的嗎? 內(nèi)膽又有什么性能呢? 請大家詳細(xì)介紹一下! 拜托拜托拜托拜托拜托拜托拜托拜托了啊! 在次謝過!?。。。。。。。。。。。。。。?!1
2006-09-30 14:43:04 378 5
ATRP法改性氮化硅納米粉體及其復(fù)合涂料的制備和性能研究

HS-DSC-101差示掃描量熱儀是一種測量參比端與樣品端的熱流差與溫度參數(shù)關(guān)系的熱分析儀器,主要應(yīng)用于測量物質(zhì)加熱或冷卻過程中的各種特征參數(shù):玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、氧化誘導(dǎo)期OIT、熔融溫度、結(jié)晶溫度、比熱容及熱焓等.

ATRP法改性氮化硅納米粉體及其復(fù)合涂料的制備和性能研究【武漢理工大學(xué) 黃李曉研】


ATRP法改性氮化硅納米粉體及其復(fù)合涂料的制備和性能研究
上海和晟 HS-DSC-101 差示掃描量熱儀


2023-07-10 15:23:02 177 0
研究生想研究碳納米管、石墨烯材料制備或者性能分析,選哪個研究方向?
 
2016-07-26 19:16:09 585 1
水泥的比表面積影響水泥什么性能?
 
2010-04-10 10:41:17 580 4
單糖漿的制備工藝過程
 
2017-09-20 15:11:09 421 1
GaN材料及其制備工藝

GaN材料及其制備工藝

 

在理論上,GaN 材料的擊穿電場強(qiáng)度(約3×106V/cm)與SiC 材料接近,但受半導(dǎo)體工藝、材料晶格失配等因素影響,GaN 器件的電壓耐受能力通常在1000V 左右,安全使用電壓通常在650V 以下。隨著各項技術(shù)難點(diǎn)的攻克和先進(jìn)工藝的開發(fā),GaN 必將作為新一代GX電源器件的制備材料。
(一)GaN 材料結(jié)構(gòu)及特性
GaN 是Ⅲ-V 族直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體,室溫下纖鋅礦結(jié)構(gòu)的禁帶寬度為3.26eV。GaN 有3 種晶體結(jié)構(gòu)形式,分別為纖鋅礦結(jié)構(gòu)、閃鋅礦結(jié)構(gòu)和巖鹽礦(Rocksalt)結(jié)構(gòu)。其中,纖鋅礦結(jié)構(gòu)是Ⅲ族氮化物中Z穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),閃鋅礦結(jié)構(gòu)以亞穩(wěn)相形式存在,而巖鹽礦結(jié)構(gòu)是在高壓條件下產(chǎn)生的。纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN 材料具有其他半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)異物理性能,如耐化學(xué)穩(wěn)定性、chao強(qiáng)硬度、超高熔點(diǎn)等,所以,GaN 基半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的耐壓、耐熱、耐腐蝕特性。圖4 為GaN 的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)和GaN 單晶。
圖4 GaN的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)(a)與GaN單晶(b)
(二)GaN 晶體的制備
GaN 的共價鍵鍵能較大(E=876.9kJ/mol),在2500℃熔點(diǎn)下,分解壓大約為4.5GPa, 當(dāng)分解壓低于4.5GPa 時,GaN 不熔化直接分解。所以一些典型的平衡方法(如提拉法和布里奇曼定向凝固法等),不再適用于GaN 單晶的生長。目前,只能采用一些特殊的方法來制備單晶,主要包括升華法、高溫高壓法、熔融結(jié)晶法和氫化物氣相外延法。其中,前3 種方法對設(shè)備和工藝都有嚴(yán)格要求,難以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的單晶生產(chǎn),不能滿足商業(yè)化的要求,而氫化物氣相外延(Hydride Vapor-phaseEpitaxy,HVPE)方法是目前研究的主流。大多數(shù)可以商業(yè)化方式提供GaN 的均勻襯底都是通過這種方法生產(chǎn)的。該技術(shù)具有設(shè)備簡單、成本低、發(fā)展速度快等優(yōu)點(diǎn)。利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技術(shù)可以生長出均勻、大尺寸的厚膜作為襯底。目前,該技術(shù)已經(jīng)成為制備外延厚膜Z有效的方法,并且生長的厚膜可以通過拋光或激光剝離襯底,作為同質(zhì)外延生長器件結(jié)構(gòu)的襯底。
氫化物氣相外延層的位錯密度隨外延層厚度的增加而減小,因此,只要外延層的厚度達(dá)到一定值,就可以提高晶體質(zhì)量。通過HVPE 和空隙輔助分離法(Void-assisted Separation,VAS)可以制備具有高晶體質(zhì)量和良好再現(xiàn)性的大直徑獨(dú)立GaN 晶片,如圖5所示。采用表面覆蓋氮化鈦(TiN )納米網(wǎng)的多孔GaN 模板,通過HVPE 生長了厚GaN 層,在 HVPE 生長過程中,這種生長技術(shù)在 GaN層和模板之間產(chǎn)生了許多小空隙,當(dāng)GaN層在生長以后容易與模板分開,并且獲得獨(dú)立的GaN 晶片,這些晶片直徑較大,表面呈鏡面狀,無裂縫,位錯密度低。
圖5 HVPE+VAS法制備具有高晶體質(zhì)量和大直徑獨(dú)立的GaN 晶片
此外,可以采用MOCVD-GaN / 藍(lán)寶石襯底預(yù)處理工藝來制備GaN 厚膜。主要過程為采用等離子體化學(xué)氣相沉積法在MOCVD-GaN/ 藍(lán)寶石襯底上沉積一層厚度約500nm 的SiO2,然后用電子蒸氣機(jī)在襯底上蒸鍍和鍛造一層厚度約20nm 的Ti。退火后在SiO2 表面形成自組裝的Ni 納米團(tuán)簇,作為光刻掩模。光刻后,將基體置于熱HNO3 和氧化腐蝕劑中。去除Ti 和SiO2 后,通過反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)沉積一層SiO2,去除表面的SiO2,形成一層SiO2 包裹在邊緣的GaN 納米柱。Z后用HVPE 法在表面生長GaN,在冷卻過程中,GaN 發(fā)生自剝離。圖6 為HVPE 和納米簇自剝離技術(shù)制備GaN 單晶的過程示意圖。
圖6 HVPE+納米簇自剝離技術(shù)制備GaN單晶
上述方法不僅可以實(shí)現(xiàn)襯底的自剝離,而且可以形成一種特殊的結(jié)構(gòu),可以緩沖晶體的生長速度,從而提高晶體的質(zhì)量,減少內(nèi)部缺陷。但這些預(yù)處理方法相對復(fù)雜,會浪費(fèi)大量時間,并且增加GaN 單晶的成本。
(三)GaN 異質(zhì)襯底外延技術(shù)
由于GaN 在高溫生長時N 的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN 單晶材料,因此,制備異質(zhì)襯底上的外延GaN 膜已成為研究GaN 材料和器件的主要手段。目前,GaN的外延生長方法有:HVPE、分子束外延(MBE)、原子束外延(ALE)和MOCVD。其中,MOCVD 是Z廣泛使用的方法之一。
當(dāng)前,大多數(shù)商業(yè)器件是基于異質(zhì)外延的,主要襯底是藍(lán)寶石、AlN、SiC 和Si。但是,這些基板和材料之間的晶格失配和熱失配非常大。因此,外延材料中存在較大的應(yīng)力和較高的位錯密度,不利于器件性能的提高。圖7 為襯底材料的晶格失配和熱失配關(guān)系示意圖。
圖7 襯底材料的晶格失配和熱失配關(guān)系
1. SiC 襯底上GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長
由于SiC 的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于GaN、Si和藍(lán)寶石,所以SiC 與GaN 的晶格失配很小。SiC 襯底可以改善器件的散熱特性,降低器件的結(jié)溫。但GaN 和SiC 的潤濕性較差,在SiC 襯底上直接生長GaN 很難獲得光滑的膜。AlN 在SiC 基體上的遷移活性小,與SiC 基體的潤濕性好。因此,通常在SiC 基板上用AlN 作為GaN 外延薄膜的成核層,如圖8 所示。許多研究表明,通過優(yōu)化AlN 成核層的生長條件可以改善CaN 薄膜的晶體質(zhì)量。但生長在GaN 成核層上的GaN 薄膜仍然存在較大的位錯密度和殘余應(yīng)力。AlN的熱膨脹系數(shù)遠(yuǎn)大于GaN,在AlN 上生長的GaN 薄膜在冷卻過程中存在較大的殘余拉應(yīng)力。拉伸應(yīng)力會在一定程度上積累,并以裂紋的形式釋放應(yīng)力。另外,AlN 的遷移活性較低,難以形成連續(xù)的膜,導(dǎo)致在AlN 上生長的GaN 薄膜位錯密度較大。GaN 薄膜中的裂紋和位錯會導(dǎo)致器件性能下降甚至失效。由于晶格失配較小,一旦潤濕層和裂紋問題得到解決,SiC 襯底上的GaN 晶體質(zhì)量要優(yōu)于Si 和藍(lán)寶石襯底上的GaN晶體,因此,SiC 襯底上的GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)2DEG 的輸運(yùn)性能更好。
圖8 AlN作為過渡層的微觀形貌
2. Si 襯底上GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長
目前,GaN 基電力電子器件的成本與Si 器件相比仍然非常昂貴。解決成本問題的唯yi途徑是利用Si 襯底外延制備GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu),然后利用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)技術(shù)制備GaN 基器件,使器件的性價比超過Si 器件。但與SiC 和藍(lán)寶石襯底相比,Si 襯底外延GaN 要難得多。GaN(0001)與Si(111)的晶格失配率高達(dá)16.9%,熱膨脹系數(shù)失配(熱失配)高達(dá)56%。因此,Si 襯底上GaN 的外延生長及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)在應(yīng)力控制和缺陷控制方面面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。
外延層材料的晶格常數(shù)差異,會導(dǎo)致Si 和GaN 外延層界面處的高密度位錯缺陷。在外延生長過程中,大多數(shù)位錯會穿透外延層,嚴(yán)重影響著外延層的晶體質(zhì)量。但由于兩層熱膨脹系數(shù)不一致,高溫生長后冷卻過程中整個外延層的內(nèi)應(yīng)力積累很大,發(fā)生翹曲并導(dǎo)致外延層開裂。隨著襯底尺寸的增大,這種翹曲和開裂現(xiàn)象會越來越明顯。
目前,插入層和緩沖層被廣泛應(yīng)用于解決Si 襯底上GaN 異質(zhì)外延的應(yīng)力問題,目前主流的3 種應(yīng)力調(diào)節(jié)方案如圖9 所示。
圖9 目前主流的3種應(yīng)力調(diào)節(jié)方案(a)低溫AlN插入層結(jié)構(gòu);(b)GaN/AlN超晶格結(jié)構(gòu);(c)AlGaN緩沖層結(jié)構(gòu)
插入層技術(shù)是引入一個或多個薄層插入層來調(diào)節(jié)外延層的內(nèi)應(yīng)力狀態(tài),平衡在冷卻過程中由熱失配和晶格失配引起的外延層的拉應(yīng)力,目前采用低溫AlN 作為插入層來調(diào)節(jié)應(yīng)力狀態(tài),如圖9(a)所示。
緩沖層技術(shù)提供了壓縮應(yīng)力來調(diào)整外延膜中的應(yīng)力平衡,目前常用的是AlGaN 梯度緩沖和AlN/(Al)GaN 超晶格緩沖,如圖9(b)、(c) 所示。上述方法都能提供壓應(yīng)力來平衡Si 基GaN 的拉應(yīng)力,使整個系統(tǒng)趨于應(yīng)力平衡。當(dāng)然,這些方法不能完全解決應(yīng)力問題。緩沖層的應(yīng)力調(diào)節(jié)機(jī)制尚不明確,有待于進(jìn)一步探索和優(yōu)化。
另外,還有報道采用表面活化鍵合(SAB)的低溫鍵合工藝將GaN 層轉(zhuǎn)移到SiC 和Si 襯底上,在室溫下直接鍵合制備GaN-on-Si 結(jié)構(gòu)和GaN-on-SiC 結(jié)構(gòu), 通過氬(Ar)離子束源對晶圓表面進(jìn)行活化。在表面活化后,兩片晶圓將被結(jié)合在一起。與Al2O3(藍(lán)寶石)和SiC 襯底上生長的異質(zhì)外延層的質(zhì)量相比,Si 襯底上GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的質(zhì)量和電性能仍有很大差異。特別是Si 襯底上GaN 外延層存在殘余應(yīng)力和局域陷阱態(tài)。這些應(yīng)力和缺陷控制問題沒有從根本上得到解決,導(dǎo)致材料和器件的可靠性問題尤為突出。因此,如何在高質(zhì)量的Si 襯底上制備GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)仍是該領(lǐng)域的核心問題之一。

結(jié)束語

 

高頻、大功率、抗輻射、高密度集成寬禁帶半導(dǎo)體電子器件的研制,需要優(yōu)良的材料作基礎(chǔ)支撐。高品質(zhì)的SiC和GaN 器件需要利用外延材料制備有源區(qū),因此,低缺陷襯底和高質(zhì)量外延層對器件性能起著至關(guān)重要的作用。近年來,SiC 和GaN功率器件的制造要求和耐壓等級不斷提高,對襯底和異質(zhì)結(jié)構(gòu)(GaN-on-SiC、GaN-on-Si)的缺陷密度及外延薄膜內(nèi)部的應(yīng)力平衡狀態(tài)都提出了更高的要求,目前通過利用AlN 作為過渡層、超晶格緩沖層等提供壓應(yīng)力,進(jìn)而調(diào)節(jié)外延層的內(nèi)部應(yīng)力以平衡狀態(tài),未來對應(yīng)力調(diào)控尚有大量的工作需要進(jìn)行探索和優(yōu)化。


2020-05-09 16:27:16 1511 0
防輻射面料的性能研究
因?yàn)楫厴I(yè)論文需要,求大家盡量多的為我提供與此課題有關(guān)的資料,越多越好!如果回答的滿意,分?jǐn)?shù)可以加!我有16000分... 因?yàn)楫厴I(yè)論文需要,求大家盡量多的為我提供與此課題有關(guān)的資料,越多越好!如果回答的滿意,分?jǐn)?shù)可以加!我有16000分 展開
2013-06-08 12:11:34 452 3
那有研究玻璃棉工藝配方的
那有研究玻璃棉工藝配方的
2016-09-26 05:30:08 398 1
飛灰固化為什么同時使用水泥和螯合劑
 
2016-02-28 17:18:50 394 3
水泥抗腐蝕性檢測的是水泥的什么性能
 
2014-05-20 23:04:18 251 1
如何制備用于掃描電鏡的水泥樣品
請問各位同學(xué),我想做水泥試塊斷面的掃描電鏡,這個斷面是自己切的呢,還是掰斷的,還有怎么從斷面上去比較平的部分呢。由于頭一次弄這個,請有經(jīng)驗(yàn)的同學(xué),告知一下,多謝了。
2013-12-22 01:58:36 465 4
聚合氯化鋁硅的制備及其研究?
 
2013-12-15 20:10:43 473 1
怎么制備超級電容器,以及怎么測試所制備的電容器的性能
 
2016-07-26 15:12:11 449 1
高內(nèi)相乳液模板法制備聚合物基多孔碳及其電化學(xué)性能的研究

HS-STA-002同步熱分析儀將熱重分析 TG 與差示掃描量熱 DSC 結(jié)合為一體,在同一次測量中利用同一樣品可同步得到熱重與差熱信息。

高內(nèi)相乳液模板法制備聚合物基多孔碳及其電化學(xué)性能的研究【福州大學(xué) 張靜】


高內(nèi)相乳液模板法制備聚合物基多孔碳及其電化學(xué)性能的研究
上海和晟 HS-STA-002 同步熱分析儀


2023-08-10 14:19:11 232 0
1.槐米中蕓香苷的提取工藝研究?
2.槲皮素的中藥理作用研究? 3.槐米中槲皮素的提取分離工藝研究? 上面的3個問題,選其中一個,10--20年間的一些報告文章,請知道的幫幫忙吧,謝謝啦
2018-11-29 13:32:53 583 0
化學(xué)合成藥物工藝研究的主要內(nèi)容有哪些
 
2017-01-01 05:35:46 613 1

4月突出貢獻(xiàn)榜

推薦主頁

最新話題