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當(dāng)氣體的溫度升高時(shí),是不是每個(gè)氣體分子的溫度都升高

常青樹L 2017-08-09 14:50:57 395  瀏覽
  •  

參與評(píng)論

全部評(píng)論(1條)

  • ouccwaw 2017-08-10 00:00:00
    溫度升高,自由振動(dòng)速率提升,但是宏觀運(yùn)動(dòng)速率基本不變 分布的圖就是麥克斯韋分布,請(qǐng)樓主百度之,中間峰兩邊矮的就是 分布就是說從0到Vmax都有 升溫之后更多的分子V大了,但是還是有V小的 并且,V小的之前可能由于碰撞之前是V很大的 這樣V就有減小的可能 之所以有的會(huì)變小,是因?yàn)?,分布存在?dǎo)致了必然會(huì)有較小的V的分子存在,你看那個(gè)麥克斯韋分布接近左邊始終都有吧,但是這個(gè)小的分子是誰呢?不一定是之前的低速分子,因?yàn)?,之前的高速分子?huì)碰撞低速的,然后低速的就有可能變成高速的,那高速的碰撞中送給別人太多了,就可能是低速的,畢竟可能不止碰撞了一次

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低場核磁共振技術(shù)用于溫度升高時(shí)活化能研究

低場核磁共振技術(shù)用于溫度升高時(shí)活化能研究

什么是活化能?

活化能是指分子從常態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槿菀装l(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活躍狀態(tài)所需要的能量。對(duì)基元反應(yīng),活化能即基元反應(yīng)的活化能。對(duì)復(fù)雜的非基元反應(yīng),反應(yīng)活化能是總包反應(yīng)的的表觀活化能,即各基元反應(yīng)活化能的代數(shù)和。

低場核磁在多孔材料活化能方面的應(yīng)用

低場核磁共振弛豫時(shí)間被證明是飽和液體的多孔材料中吸附質(zhì)-吸附劑相互作用的獨(dú)特探針??v向和橫向弛豫時(shí)間之比(T1/T2)與吸附質(zhì)-吸附劑相互作用能(活化能)有關(guān),可以引入一個(gè)基于弛豫時(shí)間之比的定量度量(ES)來表征這種表面相互作用的強(qiáng)度(活化能)。

多孔介質(zhì)中液體的表面相互作用非常重要,特別是在多相催化領(lǐng)域,理解表面相互作用的能力對(duì)于高效合理的催化劑設(shè)計(jì)至關(guān)重要。探測液體飽和多孔介質(zhì)中的液體-表面相互作用尤其具有挑戰(zhàn)性?,F(xiàn)有方法都有局限性,并且沒有一個(gè)能夠在實(shí)際反應(yīng)條件下無損地探測催化劑表面分子的行為。

使用低場核磁共振弛豫測量的優(yōu)點(diǎn)

相比高場核磁,弛豫測量對(duì)吸附相互作用的表征不依賴于NMR線型和“峰位”(與多孔介質(zhì)中的液體或化學(xué)位移相關(guān)的實(shí)際峰位,可能受吸附質(zhì)-吸附劑相互作用以外的因素影響)。

自旋晶格與自旋-自旋弛豫時(shí)間之比(T1/T2)可直接與脫附活化能有關(guān),脫附活化能表征了吸附劑表面上蕞強(qiáng)的吸附位點(diǎn),可以由程序升溫脫附(TPD)方法確定。

低場核磁共振技術(shù)用于溫度升高時(shí)活化能研究基本原理:

溫度升高時(shí)活化能會(huì)發(fā)生變化。核磁共振弛豫技術(shù)已成為研究飽和多孔介質(zhì)中液體表面相互作用的一種非侵入性、化學(xué)敏感的分析技術(shù)。由于分子運(yùn)動(dòng)性的變化,當(dāng)液體分子吸附在固體表面時(shí),檢測到的T1和T2弛豫時(shí)間都會(huì)縮短;在自由液體中,T1約等于T2。T1和T2都受到被吸附分子(表面水分子)旋轉(zhuǎn)相關(guān)時(shí)間變化的影響。然而,T2進(jìn)一步受到與表面擴(kuò)散相關(guān)的平移相關(guān)時(shí)間的影響。因此,當(dāng)分子吸附在表面上時(shí),其平移和旋轉(zhuǎn)動(dòng)力學(xué)的變化對(duì)T2的影響大于T1,導(dǎo)致T1>T2。

T1/T2值表明了同一催化劑中不同液體表面相互作用的相對(duì)強(qiáng)度。T1/T2比率可以用作表面親和力的定性描述,并可以進(jìn)一步反映出溫度升高時(shí)活化能的變化。

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