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usb總線的連接器為多少個(gè)芯連機(jī)器

hntvz0mu2 2017-06-13 02:17:21 356  瀏覽
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參與評(píng)論

全部評(píng)論(1條)

  • 6zzqzzq 2017-06-14 00:00:00
    由于多媒體技術(shù)的發(fā)展對(duì)外設(shè)與主機(jī)之間的數(shù)據(jù)傳輸率有了更高的需求,因此,USB總線技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。USB(UniversalSerialBus),翻譯為中文就是通用串行總線,是由Conpaq,DEC,IBM,Inter,Microsoft,NEC和NorthenTelecom等公司為簡化PC與外設(shè)之間的互連而共同研究開發(fā)的一種免費(fèi)的標(biāo)準(zhǔn)化連接器,它支持各種PC與外設(shè)之間的連接,還可實(shí)現(xiàn)數(shù)字多媒體集成。USB接口的主要特點(diǎn)是:即插即用,可熱插拔。USB連接器將各種各樣的外設(shè)I/O端口合而為一,使之可熱插拔,具有自動(dòng)配置能力,用戶只要簡單地將外設(shè)插入到PC以外的總線中,PC就能自動(dòng)識(shí)別和配置USB設(shè)備。而且?guī)捀?,增加外設(shè)時(shí)無需在PC內(nèi)添加接口卡,多個(gè)USB集線器可相互傳送數(shù)據(jù),使PC可以用全新的方式控制外設(shè)。USB可以自動(dòng)檢測和安裝外設(shè),實(shí)現(xiàn)真正的即插即用。而USB的另一個(gè)顯著特點(diǎn)是支持“熱”插拔,即不需要關(guān)機(jī)斷電,也可以在正運(yùn)行的電腦上插入或拔除一個(gè)USB設(shè)備。隨著時(shí)間的推移,USB將成為PC的標(biāo)準(zhǔn)配置。基于USB的外設(shè)將逐漸增多,現(xiàn)在滿足USB要求的外設(shè)有:調(diào)制解調(diào)器,鍵盤,鼠標(biāo),光驅(qū),游戲手柄,軟驅(qū),掃描儀等,而非獨(dú)立性I/O連接的外設(shè)將逐漸減少。即主機(jī)控制式外設(shè)減少,智能控制控制外設(shè)增多。USB總線標(biāo)準(zhǔn)由1.1版升級(jí)到2.0版后,傳輸率由12Mbps增加到了240Mbps,更換介質(zhì)后連接距離由原來的5米增加到近百米?;谶@點(diǎn),USB也可以做生產(chǎn)ISDN以及基于視頻的產(chǎn)品。如數(shù)據(jù)手套的數(shù)字化儀提供數(shù)據(jù)接口。USB總線結(jié)構(gòu)簡單,信號(hào)定義僅由2條電源線,2條信號(hào)線組成?;咎匦?.USB的硬件結(jié)構(gòu)USB采用四線電纜,其中兩根是用來傳送數(shù)據(jù)的串行通道,另兩根為下游(Downstream)設(shè)備提供電源,對(duì)于高速且需要高帶寬的外設(shè),USB以全速12Mbps的傳輸數(shù)據(jù);對(duì)于低速外設(shè),USB則以1.5Mbps的傳輸速率來傳輸數(shù)據(jù)。USB總線會(huì)根據(jù)外設(shè)情況在兩種傳輸模式中自動(dòng)地動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換。USB是基于令牌的總線。類似于令牌環(huán)網(wǎng)絡(luò)或FDDI基于令牌的總線。USB主控制器廣播令牌,總線上設(shè)備檢測令牌中的地址是否與自身相符,通過接收或發(fā)送數(shù)據(jù)給主機(jī)來響應(yīng)。USB通過支持懸掛/恢復(fù)操作來管理USB總線電源。USB系統(tǒng)采用級(jí)聯(lián)星型拓?fù)?,該拓?fù)溆扇齻€(gè)基本部分組成:主機(jī)(Host),集線器(Hub)和功能設(shè)備。主機(jī),也稱為根,根結(jié)或根Hub,它做在主板上或作為適配卡安裝在計(jì)算機(jī)上,主機(jī)包含有主控制器和根集線器(RootHub),控制著USB總線上的數(shù)據(jù)和控制信息的流動(dòng),每個(gè)USB系統(tǒng)只能有一個(gè)根集線器,它連接在主控制器上。集線器是USB結(jié)構(gòu)中的特定成分,它提供叫做端口(Port)的點(diǎn)將設(shè)備連接到USB總線上,同時(shí)檢測連接在總線上的設(shè)備,并為這些設(shè)備提供電源管理,負(fù)責(zé)總線的故障檢測和恢復(fù)。集線可為總線提供能源,亦可為自身提供能源(從外部得到電源),自身提供能源的設(shè)備可插入總線提供能源的集線器中,但總線提供能源的設(shè)備不能插入自身提供能源的集線器或支持超過四個(gè)的下游端口中,如總線提供能源設(shè)備的需要超過100mA電源時(shí),不能同總線提供電源的集線器連接。功能設(shè)備通過端口與總線連接。USB同時(shí)可做Hub使用。2.USB的軟件結(jié)構(gòu)每個(gè)USB只有一個(gè)主機(jī),它包括以下幾層:(1)USB總線接口USB總線接口處理電氣層與協(xié)議層的互連。從互連的角度來看,相似的總線接口由設(shè)備及主機(jī)同時(shí)給出,例如串行接口機(jī)(SIE)。USB總線接口由主控制器實(shí)現(xiàn)。(2)USB系統(tǒng)USB系統(tǒng)用主控制器管理主機(jī)與USB設(shè)備間的數(shù)據(jù)傳輸。它與主控制器間的接口依賴于主控制器的硬件定義。同時(shí),USB系統(tǒng)也負(fù)責(zé)管理USB資源,例如帶寬和總線能量,這使客戶訪問USB成為可能。USB系統(tǒng)還有三個(gè)基本組件:主控制器驅(qū)動(dòng)程序(HCD)這可把不同主控制器設(shè)備映射到USB系統(tǒng)中。HCD與USB之間的接口叫HCDI,特定的HCDI由支持不同主控制器的操作系統(tǒng)定義,通用主控制器驅(qū)動(dòng)器(UHCD)處于軟結(jié)構(gòu)的Z底層,由它來管理和控制主控制器。UHCD實(shí)現(xiàn)了與USB主控制器通信和控制USB主控制器,并且它對(duì)系統(tǒng)軟件的其他部分是隱蔽的。系統(tǒng)軟件中的Z高層通過UHCD的軟件接口與主控制器通信。US

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案例介紹 |(USB連接器)污染物和底層基材的快速視覺和化學(xué)分析


本報(bào)告中介紹了一種視覺和化學(xué)分析二合一解決方案,可以更高效、更完整地分析材料污染物。除了同步的視覺和化學(xué)檢測,還可以使用光學(xué)顯微鏡和激光誘導(dǎo)擊穿光譜(LIBS)二合一解決方案,快速清除污染物并檢測底層基材。


檢測組件或部件時(shí),例如印刷電路板(電子)或車輛金屬板(汽車和運(yùn)輸)上的釬焊和引線,了解污染物的影響非常重要。2合1解決方案可以大幅節(jié)省材料分析的成本和時(shí)間。在生產(chǎn)、質(zhì)量控制、故障分析或研發(fā)過程中,如果材料數(shù)據(jù)足夠相關(guān)、準(zhǔn)確、可靠,那么決策者就能更快、更有信心地作出決策。


介紹

金屬合金、汽車、航空航天、運(yùn)輸和電子等行業(yè)的產(chǎn)品和應(yīng)用,以及金相學(xué)、地球科學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域都離不開材料分析[1]。面對(duì)日益激烈的競爭和日益嚴(yán)苛的國際、區(qū)域或組織標(biāo)準(zhǔn),市場必須選擇經(jīng)濟(jì)高效的方式來保障產(chǎn)品的質(zhì)量或研究結(jié)果的可靠性,以進(jìn)行后續(xù)創(chuàng)新。


采用多種技術(shù)對(duì)材料進(jìn)行目視檢查,然后確定其局部成分的方法,需耗費(fèi)大量的時(shí)間和成本[1]。按照一般的工作流程,首先是使用具備不同放大倍率和對(duì)比技術(shù)的光學(xué)顯微鏡檢測樣本。然后通過定性化學(xué)/元素光譜分析確定樣本成分。對(duì)于具體的應(yīng)用,通常要先了解材料的微觀結(jié)構(gòu)和成分的可靠數(shù)據(jù),然后再?zèng)Q定進(jìn)一步的行動(dòng)。如果時(shí)間和預(yù)算有限,迫使人們必須采取有效的方法來迅速做出正確決策時(shí),快速獲取這些數(shù)據(jù)就顯得尤其重要了。


在一些檢測中,如質(zhì)量控制(QC)和故障分析(FA),還需要確定污染物并了解其對(duì)基材的影響。例如,電子行業(yè)(印刷電路板上的釬焊和電子引線)、汽車/運(yùn)輸行業(yè)和建筑(金屬板)行業(yè)[2-4]。


下文中介紹了如何使用一種二合一解決方案高效分析污染物和底層基材,即來自徠卡顯微系統(tǒng)的DM6 M LIBS材料分析系統(tǒng)。


污染物和基材分析

LIBS方法通過激光燒蝕鉆孔至污染層中和下方,抵達(dá)基材底層。通過微鉆孔,可以清潔表面,即清除污染物,并將基材暴露在外。同時(shí)還可以研究污染物對(duì)基材的影響。圖1為在銅合金上進(jìn)行微鉆孔的示例。



圖1:A)示意圖中顯示了存在污染層(1、2和3表示激光沖擊)的材料截面。微鉆孔暴露了污染物下面的基材。B)銅材上有直徑約15微米的微鉆孔(每個(gè)孔上方標(biāo)注了受到的激光沖擊次數(shù))。


電子行業(yè)應(yīng)用

檢測表面污染物的影響


使用DM6 M LIBS二合一解決方案檢測USB驅(qū)動(dòng)連接器(表面鍍銀的銅[Cu]合金)。組件上存在污染物(灰色圓圈部分,圖2A)。電子組件的飾面有嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。生產(chǎn)過程或當(dāng)?shù)丨h(huán)境造成的表面污染會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量下降,甚至造成故障。


檢測目的是確定僅組件表面(圖2b)存在污染,還是污染物已經(jīng)損壞了組件下面的銀金屬層(圖2C)。


目錄

檢測組件或部件時(shí),例如印刷電路板(電子)或車輛金屬板(汽車和運(yùn)輸)上的釬焊和引線,了解污染物的影響非常重要。2合1解決方案可以大幅節(jié)省材料分析的成本和時(shí)間。


在生產(chǎn)、質(zhì)量控制、故障分析或研發(fā)過程中,如果材料數(shù)據(jù)足夠相關(guān)、準(zhǔn)確、可靠,那么決策者就能更快、更有信心地作出決策。



圖2:A)檢測USB連接器樣品時(shí),發(fā)現(xiàn)存在污染(灰色圓圈部分)。B)可以看到表面上的污染物。C)檢測目的是確定污染物是否損壞了銀鍍層,以及是否對(duì)下面的銅金屬層有任何影響。


目視檢查后,發(fā)現(xiàn)連接器上存在污染區(qū)域,如圖2A所示。為進(jìn)一步查看詳細(xì)情況,使用徠卡顯微系統(tǒng)DM6 M 顯微鏡在五倍物鏡放大率下對(duì)目標(biāo)區(qū)域(灰色圓圈標(biāo)注的部分)。


檢測過程中,使用了不同的對(duì)比方法,以確定污染物的形狀和顏色。在明場模式下,發(fā)現(xiàn)了單點(diǎn)和其它異常區(qū)域(圖3A)。在暗場模式下,可以看到不同的顏色(圖3B)。



圖3:使用DM6 M顯微鏡搭載的5x Plan Fluotar物鏡在USB連接器(圖2A中灰色圓圈標(biāo)注的部分)上發(fā)現(xiàn)并記錄的污染物的圖片:A) 明場(BF)和B)暗場(DF)照明。


因此,通過視覺檢測,可以檢測到污染物表面,但卻無法看到污染物接觸面和銀金屬層的狀況。


使用LIBS,可以分析污染物,然后通過激光燒蝕清除。使用激光多次沖擊相同位置,可以獲得底層材料的化學(xué)信號(hào)。根據(jù)具體的材料,每次沖擊可以在直徑大約15微米的區(qū)域燒蝕2-5微米深。


通過在未污染表面(圖2A中的白色X部分)使用LIBS,可以獲得一個(gè)參考信號(hào),光譜(圖4A)中會(huì)出現(xiàn)不同的發(fā)射峰。將標(biāo)準(zhǔn)光譜與參考信號(hào)進(jìn)行對(duì)比,可以發(fā)現(xiàn)存在的元素,例如銅和銀(圖4B)。



圖4:連接器“清潔”參考區(qū)域(圖2A中的白色X區(qū)域)的LIBS光譜:A)顯示不同波長的完整LIBS光譜,和B)與獲得的樣本光譜(紅色)對(duì)比下的元素光譜。樣本光譜中的發(fā)射峰清楚地顯示了銅(綠色)和銀(藍(lán)色)。


污染物分析

在污染區(qū)的相同點(diǎn)施加了不超過3次激光沖擊,以進(jìn)行LIBS測量。對(duì)材料層進(jìn)行微鉆孔所需的沖擊次數(shù)在很大程度上取決于層厚和材料硬度。


在第 一個(gè)光譜中,在430nm和590nm處可以看到兩個(gè)顯著的信號(hào)。將這些信號(hào)與元素參考光譜[5]進(jìn)行對(duì)比,可以確定是鈣(Ca)和鈉(Na)(圖5)。



圖5:A)連接器表面(第一次沖擊)污染區(qū)的LIBS光譜顯示了鈣和鈉的發(fā)射峰。B)比較污染區(qū)(第一次沖擊)(紅色)LIBS光譜和鈣(橙色)以及鈉(灰色)的光譜。


由于在第一個(gè)光譜(圖6A)中僅看到了鈣和鈉的信號(hào),激光燒蝕尚未觸及底層的銀和銅。比較第一次激光沖擊(圖6A)和第二次沖擊(圖6B)記錄的光譜,可以看出,第二次沖擊后,光譜中出現(xiàn)了銅和銀的發(fā)射峰。在進(jìn)一步的分析中,銅和銀信號(hào)的強(qiáng)度持續(xù)增強(qiáng)。



圖6:USB連接器樣本的污染區(qū)域的LIBS光譜:A)第一次激光沖擊后,和B)第二次激光沖擊(微鉆孔)后,顯露出了污染物下方的基材。 


這一結(jié)果表明,激光微鉆孔穿過污染物,成功暴露了基材。光譜顯示,污染物下方存在銀金屬層。因此,污染物未損壞底層的銀金屬層。在這一案例中,使用了2次激光沖擊穿透污染物層并暴露基材,因此污染物相對(duì)較薄。


小 結(jié)   

本報(bào)告介紹了一種使用徠卡顯微系統(tǒng)的二合一解決方案DM6 M LIBS材料分析系統(tǒng)分析USB連接器污染物和底層基材的高效工作流程。


在很多種產(chǎn)品開發(fā)(研發(fā))、檢測鑒定(IQ)、質(zhì)量控制(QC)、失效分析(FA)和技術(shù)應(yīng)用中,材料分析都十分重要。它是多個(gè)行業(yè)和領(lǐng)域中使用的常規(guī)方法。盡管為這種分析所分配的時(shí)間和費(fèi)用通常有限,但始終要獲得可靠的結(jié)果和預(yù)期的產(chǎn)品質(zhì)量。


對(duì)于組件的檢測、QC或FA,需要識(shí)別污染物并了解其對(duì)基材的影響。例如,印刷電路板上的釬焊和電子引線。


本文中所示的顯微鏡和LIBS數(shù)據(jù)表明,污染物層相對(duì)較薄,未對(duì)USB連接器的基材造成氧化或腐蝕等顯著的不可逆影響。


參考文獻(xiàn):

1. J. DeRose, Dr. K. Scheffler, See the Structure with Microscopy - Know the Composition with Laser Spectroscopy: Rapid, Complete Materials Analysis with a 2-Methods-In-1 Solution, Science Lab.

2. T. Kim, C-T. Lin, Laser-Induced Breakdown Spectroscopy, Chapter 5 in Advanced Aspects of Spectroscopy, M.A. Farrukh, Editor, IntechOpen (2012) DOI: 10.5772/48281.

3. R. Kohli, Methods for Monitoring and Measuring Cleanliness of Surfaces, Ch. 3, Developments in Surface Contamination and Cleaning, Volume 4: Detection, Characterization, and Analysis of Contaminants, Eds. R. Kohli & K.L. Mittal (Elsevier, 2012) pp. 154-155,?DOI: ?10.1016/C2009-0-64375-0.

4. D.W. Merdes, J.M. Suhan, J.M. Keay, D.M. Hadka, W.R. Bradley, The Investigation of Laser-Induced Breakdown Spectroscopy for Detection of Biological Contaminants on Surfaces, Spectroscopy (April, 2007) vol. 23, iss. 4.

5. R.R. Hark, R.S. Harmon, Geochemical Fingerprinting Using LIBS, Ch. 12, Laser-Induced Breakdown Spectroscopy: Theory and Applications, Eds. S. Musazzi, U. Perini, Springer Series in Optical Sciences (2014) vol. 182, p. 334, DOI: 10.1007/978-3-642-45085-3.


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