低阻測(cè)量提供了識(shí)別隨時(shí)間變化的電阻要素的好辦法。通常，這類測(cè)量用于評(píng)估器件或材料是否因環(huán)境因素（如熱量、疲勞、腐蝕、振動(dòng)等）而降級(jí)。對(duì)于許多應(yīng)用而言，這些測(cè)量通常低于10Ω。阻值的變化往往是兩個(gè)觸點(diǎn)之間發(fā)生某種形式降級(jí)的指示。為了評(píng)估高功率電阻器、斷路器、開(kāi)關(guān)、母線、電纜、連接器及其他電阻元件，通常使用大電流進(jìn)行低阻測(cè)量。

大多數(shù)數(shù)字多用表(DMM)不具備通過(guò)大電流進(jìn)行低阻測(cè)量的能力。可通過(guò)數(shù)字多用表(DMM)與電源一起進(jìn)行測(cè)量，但為了實(shí)現(xiàn)測(cè)量過(guò)程自動(dòng)化，這些儀器首先必須集成于系統(tǒng)，然后必須人工計(jì)算電阻。

利用源測(cè)量單元（SMU）儀器或數(shù)字源表儀器，可以簡(jiǎn)化大電流激勵(lì)的低阻測(cè)量。數(shù)字源表儀器能夠源和測(cè)量電流和電壓。吉時(shí)利源表2460型大電流數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU）儀器具有拉/灌大電流并測(cè)量電壓和電流的靈活性，使之成為測(cè)量低阻器件（需要高達(dá)7A激勵(lì)電流）的WM解決方案。2460型儀器可以自動(dòng)計(jì)算電阻，因此無(wú)需人工計(jì)算。其遠(yuǎn)程檢測(cè)和偏移補(bǔ)償?shù)葍?nèi)建特性有助于優(yōu)化低阻測(cè)量。2460型儀器分辨率小于1mΩ。

通過(guò)吉時(shí)利源表2460型儀器前面板或后面板端子，均可進(jìn)行低阻測(cè)量，如圖1和圖2所示。注意，可以分別使用前面板端子或后面板端子，但不能交叉連接混合。

當(dāng)引線與待測(cè)器件(DUT)連接時(shí)，注意FORCE LO與SENSE LO與DUT待測(cè)器件(DUT)引線一端相連，F(xiàn)ORCE HI與SENSE HI與DUT待測(cè)器件(DUT)引線另一端相連。檢測(cè)。連接應(yīng)當(dāng)盡量靠近待測(cè)電阻。這個(gè)4線測(cè)量消除了測(cè)試引線電阻對(duì)測(cè)量的影響。

圖1給出前面板連接，可以通過(guò)額定電流zui大值為7A的4根絕緣香蕉電纜進(jìn)行連接，如兩組吉時(shí)利8608型高性能鱷魚(yú)夾測(cè)試線組。

圖1 進(jìn)行低阻測(cè)量時(shí)2460型儀器前面板連接圖

圖2給出后面板連接，可以通過(guò)2460-KIT型螺絲端子連接器套件(2460型儀器包括該套件)或2460-BAN型香蕉測(cè)試引線/適配器電纜進(jìn)行連接。

圖2 進(jìn)行低阻測(cè)量時(shí)2460型儀器后面板連接

常見(jiàn)的低電阻測(cè)量誤差源

低電阻測(cè)量的誤差源有很多種，包括引線電阻、非歐姆接觸以及器件加熱。

引線電阻   

如圖3所示，所有測(cè)試引線都具有一定的電阻，某些引線電阻高達(dá)數(shù)百毫歐。如果引線電阻足夠高，可能導(dǎo)致不正確的測(cè)量。

熱電電壓

當(dāng)電路的不同部分處在不同的溫度之下，或者當(dāng)不同材料的導(dǎo)體互相接觸時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生熱電動(dòng)勢(shì)或熱電電壓。實(shí)驗(yàn)室溫度波動(dòng)或敏感電路附近的氣流可能引起測(cè)試電路溫度梯度變化，可能產(chǎn)生幾微伏的熱電電壓。

非歐姆接觸

當(dāng)接點(diǎn)兩端的電位差與流過(guò)接點(diǎn)的電流不是線性比例關(guān)系的情況下，出現(xiàn)非歐姆接觸。非歐姆接觸可能發(fā)生在由氧化膜形成的低壓電路或其它非線性連接中。為了避免非歐姆接觸現(xiàn)象，應(yīng)當(dāng)選用適當(dāng)?shù)慕狱c(diǎn)材料，如銦或金。要確保輸入端鉗位電壓足夠的高，以避免由于源接點(diǎn)的非線性而產(chǎn)生的問(wèn)題。為了減少因伏特計(jì)非歐姆接觸帶來(lái)的誤差，采用屏蔽和適當(dāng)?shù)慕拥卮胧越档徒涣鞲蓴_。

器件加熱

進(jìn)行低電阻測(cè)量時(shí)所使用的電流常常要比進(jìn)行高電阻測(cè)量時(shí)所使用的電流大得多。如果測(cè)試電流足夠高，而使器件的電阻值發(fā)生變化時(shí)，就要考慮器件的功率耗散問(wèn)題。電阻器的功率耗散由下式?jīng)Q定：

P = I2R.

從這個(gè)關(guān)系式可以看出，當(dāng)電流增加一倍時(shí)，器件的功率耗散會(huì)增加到4倍。因此，把器件加熱效應(yīng)降至zui低的一個(gè)辦法是，在保持待測(cè)器件（DUT）兩端期望電壓的同時(shí)，盡可能使用zui低的電流。如果電流電平不能降低，可以考慮使用窄電流脈沖而非直流信號(hào)。

怎樣成功實(shí)施低阻、大電流測(cè)量

引線電阻和4線（開(kāi)爾文）方法   

電阻的測(cè)量常常使用圖3所示的兩線方法來(lái)進(jìn)行。我們迫使測(cè)試電流流過(guò)測(cè)試引線和被測(cè)電阻（R）。然后儀表通過(guò)同一套測(cè)試引線來(lái)測(cè)量電阻兩端的電壓，并計(jì)算出相應(yīng)的電阻數(shù)值。

圖3 利用源測(cè)量單元（SMU）儀器進(jìn)行2線電阻測(cè)量

兩線測(cè)量方法用于低阻測(cè)量時(shí)的主要問(wèn)題是測(cè)量結(jié)果中增加了引線的總電阻（RLEAD）。由于測(cè)試電流（I）在引線電阻上產(chǎn)生了一個(gè)小的、但是很重要的電壓降，所以儀表測(cè)量的電壓（VM）就不會(huì)和被測(cè)電阻（R）上的電壓完全相同，于是產(chǎn)生了相當(dāng)?shù)恼`差。典型的引線電阻在1mΩ～10mΩ范圍內(nèi)，所以當(dāng)被測(cè)電阻小于10Ω～100Ω時(shí)，就很難用兩線測(cè)量方法來(lái)獲得準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果（取決于引線電阻的數(shù)值）。   

由于兩線方法的局限性，所以對(duì)低阻測(cè)量來(lái)說(shuō)，人們一般都喜歡采用如圖4所示的四線連接方法（開(kāi)爾文法）。在這種配置下，迫使測(cè)試電流（I）經(jīng)過(guò)一套測(cè)試引線流過(guò)被測(cè)電阻（R）；而待測(cè)器件（DUT）兩端電壓則是通過(guò)稱為檢測(cè)引線的第二套引線來(lái)測(cè)量的。雖然在檢測(cè)引線中有小的電流流過(guò)，但是這些電流在所有實(shí)際測(cè)量工作中都是可以忽略的。

圖4 利用源測(cè)量單元（SMU）儀器進(jìn)行4線電阻測(cè)量

由于檢測(cè)引線電壓降可以忽略不計(jì)，所以儀表測(cè)量出的電壓（VM）和電阻（R）上的電壓實(shí)際上是相同的。這樣，就能以比兩線方法高得多的準(zhǔn)確度來(lái)確定電阻的數(shù)值。注意，應(yīng)當(dāng)把電壓取樣引線連到盡可能接近被測(cè)電阻的地方，以避免在測(cè)量中計(jì)入測(cè)試引線的電阻。

 ?熱電電壓(熱電動(dòng)勢(shì))和偏置補(bǔ)償歐姆法

偏置補(bǔ)償歐姆法是實(shí)現(xiàn)熱電動(dòng)勢(shì)zui小化的一種技術(shù)。如圖5a所示，只在測(cè)量周期的一部分時(shí)間里將源電流加到被測(cè)電阻上。當(dāng)源電流接通時(shí)，儀器測(cè)量出的總電壓包括電阻器上的電壓降和熱電動(dòng)勢(shì)（圖5b）。在測(cè)量周期的后一半時(shí)間內(nèi)，將源電流關(guān)閉。這時(shí)儀表測(cè)量出的總電壓就只是電路中出現(xiàn)的熱電動(dòng)勢(shì)（圖5c）。如果在測(cè)量周期的后一半時(shí)間內(nèi)，能夠?qū)EMF準(zhǔn)確地測(cè)出，就可以從測(cè)量周期前一半所測(cè)量出的電壓中將其減去，這樣偏置補(bǔ)償電壓測(cè)量結(jié)果就成為:

VM = VM1 – VM2

VM = (VEMF + IR) – VEM

FVM = IR

于是，

R = VM / I

同樣，我們注意到，該測(cè)量過(guò)程消除了熱電動(dòng)勢(shì)項(xiàng)（VEMF）。儀器局限性

即使像源測(cè)量單元（SMU）儀器這種可提供高達(dá)7A直流電流的儀器在總輸出功率方面也具有局限性，這可能影響測(cè)量得到的電阻阻值。這個(gè)局限性源自設(shè)備設(shè)計(jì)，而且通常取決于設(shè)計(jì)參數(shù)，如儀器內(nèi)部電源的zui大輸出、設(shè)備中使用分立器件的安全工作區(qū)、儀器內(nèi)部電路板上的金屬線間隔等。有些設(shè)計(jì)參數(shù)受到zui大電流極限的限制，有些設(shè)計(jì)參數(shù)受到zui大電壓極限的限制，還有一些設(shè)計(jì)參數(shù)受到zui大功率極限(I×V)的限制。

圖6給出2460型儀器在不同工作點(diǎn)的zui大直流電流和zui大功率。例如，源測(cè)量單元（SMU）功率包絡(luò)zui大電流為7A(圖中的A點(diǎn))，zui大電壓為100V(D點(diǎn))。源測(cè)量單元（SMU）可以輸出地zui大功率是100W，在D點(diǎn)時(shí)達(dá)到該功率 (1A×100V)。在A點(diǎn)，其功率低于49W。

圖5 偏置補(bǔ)償歐姆方法

圖6 2460型大電流源測(cè)量單元（SMU）儀器功率包絡(luò)

以上就是安泰測(cè)試為大家介紹的如何利用吉時(shí)利源表2460進(jìn)行大電流進(jìn)行低阻器件測(cè)量，如需了解吉時(shí)利產(chǎn)品更多應(yīng)用案例歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)，C-V 測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

C-V測(cè)試方法

進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般這類測(cè)量中使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到10MHz 之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過(guò)程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。

C-V測(cè)試系統(tǒng)

LCR表與待測(cè)件連接圖

MOS電容的C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在 0.1Hz~30MHz。源表(SMU) 負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)偏置夾具盒CT8001 加載在待測(cè)件上。以PCA1000LCR表和吉時(shí)利2450源表組成的C-V 測(cè)試系統(tǒng)為例，可以滿足精確測(cè)量的要求：

吉時(shí)利2450系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

吉時(shí)利2450型觸摸屏數(shù)字源表是一款集I—V特性測(cè)試、曲線追蹤儀和半導(dǎo)體分析儀功能于一體的低成本數(shù)字源表。吉時(shí)利2450豐富的功能也讓它非常適合集成到自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)中：

●嵌入式測(cè)試腳本處理器 (TSP)：它將完整的測(cè)度程序加載到儀器的非易失性存儲(chǔ)器，無(wú)需依賴外部PC控制器，產(chǎn)能更高。

●TSP-Link通信總線：支持測(cè)試系統(tǒng)擴(kuò)展，實(shí)現(xiàn)多臺(tái)2450儀器和其他基于TSP技術(shù)儀器的系統(tǒng)拓展，拓展的測(cè)試系統(tǒng)最多可連接32臺(tái)2450，在一臺(tái)主儀器的TSP控制下進(jìn)行多點(diǎn)或多通道并行測(cè)試。

●兼容的2400工作模式：除了2450 SCPI工作模式， 2450還支持2400 SCPI工作模式，并兼容現(xiàn)有的2400 SCPI程序。這保護(hù)了用戶的軟件投資，避免儀器升級(jí)換代所帶來(lái)測(cè)試軟件的轉(zhuǎn)換工作。

●PC連接和自動(dòng)化：后面板三同軸電纜連接端口、儀器通信接口（GPIB、USB 2.0和LXI/Ethernet）、D型9針數(shù)字I/O端口（用于內(nèi)部/外部觸發(fā)信號(hào)及機(jī)械臂控制）、儀器安全互鎖裝置及TSP-Link連接端口簡(jiǎn)化多儀器測(cè)試系統(tǒng)的集成。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長(zhǎng)期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，為西安多家企業(yè)和院校提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，如果您想了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用方案，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

光電二極管是一種將光轉(zhuǎn)換成電流或電壓的二極管或光電探測(cè)器， 這取決于它是否在光伏 (zero-bi-as）或光電導(dǎo) ( 反向偏置 ) 模式。當(dāng)光電二極管是在反向偏置模式下，輸出電流與施加在光電二極管結(jié)的光強(qiáng)度成正比。因此，光電二極管可以探測(cè)到非常柔弱小量的光，具有寬泛的應(yīng)用范圍：包括攝影，光探測(cè)器，醫(yī)學(xué)成像儀器和光通信。 當(dāng)光電二極管反向偏置時(shí)，產(chǎn)生的電流為光電流(光獲得) 和暗電流(沒(méi)有光)的組合結(jié)果。光電流通常和施加電壓成一個(gè)恒定函數(shù)關(guān)系。然而，暗電流則是施加電壓引起的微小泄露電流。暗電流是由PN熱效應(yīng)激發(fā)的泄露，經(jīng)常作為溫度的函數(shù)來(lái)測(cè)量。光電流和暗電流的測(cè)量可以用吉時(shí)利源表進(jìn)行，其能在很大范圍內(nèi)掃描電壓和測(cè)量電流。

圖 1. SMU 源表測(cè)量光電二極管 I-V 特性

測(cè)量配置：

圖 1 顯示了吉時(shí)利源表2635B 型測(cè)量反向偏置光電二極管的光電流。 該儀器可以掃描電壓，測(cè)量電流，具有 < 1fA 的分辨率。它也可以測(cè)量 正向偏置 I-V 特性。在這種情況下，使 Kelvin 連接到 DUT，以防止不 必要的電壓下降從而影響測(cè)量精度。

圖 2：由 吉時(shí)利源表2635B 測(cè)得基于不同的光感度下 PIN 光電二極管的光電導(dǎo)電流反向偏置電壓曲線

吉時(shí)利源表2635B廣泛應(yīng)用于激光二極管 (VCSEL) 生產(chǎn)測(cè)試、LED 簡(jiǎn)化的 I/V 檢定、IDDQ 測(cè)試與待機(jī)電流等測(cè)試，是廣大院校、研究所及研發(fā)型企業(yè)的“新寵”，安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利產(chǎn)品的長(zhǎng)期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供及售后維修，如您想了解吉時(shí)利源表更多產(chǎn)品應(yīng)用，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

如今，消費(fèi)者要求電子產(chǎn)品更小、更輕、更便宜、功能更強(qiáng)大、運(yùn)行時(shí)間更長(zhǎng)。 為了解決這些相互沖突的的需求，研究人員需要開(kāi)發(fā)新材料，使現(xiàn)有設(shè)備小型化并提高設(shè)備效率。 人們努力降低功耗并提高設(shè)備密度和性能，推動(dòng)了對(duì)具有高載流子遷移率的石墨烯和其他二維 (2-D) 固體及有機(jī)半導(dǎo)體和納米級(jí)設(shè)備的研究。

基于新型電解質(zhì)和電極材料的GX電池對(duì)延長(zhǎng)設(shè)備工作時(shí)間至關(guān)重要。 人們還正在研究中旨在使下一代電動(dòng)汽車更GX更經(jīng)濟(jì)的先進(jìn)燃料電池技術(shù)。 對(duì)更環(huán)保的發(fā)電解決方案的渴望促進(jìn)了對(duì)高溫超導(dǎo)體及功率轉(zhuǎn)換過(guò)程所需功率半導(dǎo)體的研究。 砷化鎵 (GaAs)和碳化硅 (SiC) 等材料對(duì)未來(lái)的電力傳輸技術(shù)至關(guān)重要。 材料研究也是提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率和功率輸出的關(guān)鍵。 要提高激光二極管的效率以增強(qiáng)數(shù)據(jù)傳輸能力，必須研究新的材料和結(jié)構(gòu)。

超靈敏測(cè)量（從測(cè)量飛秒級(jí)泄漏電流到用于評(píng)估高載流子遷移率材料的電阻率的微歐姆級(jí)電阻測(cè)量）是材料表征應(yīng)用中的核心。 另一方面，要表征Z新的絕緣體，往往需要進(jìn)行垓歐級(jí)測(cè)量。 在 0°K 附近進(jìn)行的超導(dǎo)體或納米材料研究需要降低施加的功率水平以防止自熱（自熱會(huì)影響設(shè)備或材料的響應(yīng)或損壞）。 這就要求發(fā)出非常低的直流電流或電流脈沖。

吉時(shí)利提供了豐富的產(chǎn)品可供客戶選擇，今天安泰測(cè)試就給大家推薦幾款廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)的吉時(shí)利產(chǎn)品，希望對(duì)大家在選型過(guò)程中有所幫助：

吉時(shí)利產(chǎn)品因其無(wú)與倫比的多功能性受到政府、研究所、院校及研發(fā)生產(chǎn)單位的青睞。如果大家在選型中有什么問(wèn)題，歡迎咨詢安泰測(cè)試，安泰測(cè)試為您提供選型、產(chǎn)品演示、銷售、培訓(xùn)、維修等一站式服務(wù)。

近期有很多用戶在網(wǎng)上咨詢I-V特性測(cè)試， I-V特性測(cè)試是很多研發(fā)型企業(yè)和高校研究的對(duì)象，分立器件I-V特性測(cè)試可以幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

I-V特性測(cè)試難點(diǎn)：

種類多

微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相同，此外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

尺寸小

隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求越來(lái)越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微鏡性能都提出了更高的要求。

I-V特性測(cè)試方案： 

針對(duì)I-V 特性測(cè)試難點(diǎn)，安泰測(cè)試建議可采用keithley高精度源測(cè)量單元（SMU）為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡(jiǎn)便靈活、功能豐富的 CycleStar 測(cè)試軟件，及穩(wěn)定的探針臺(tái)。

圖：系統(tǒng)配置連接示意圖

測(cè)試功能：

這是一個(gè)簡(jiǎn)單易用的I-V特性測(cè)試方案，無(wú)論對(duì)于雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管都很適用。

? 二極管特性的測(cè)量與分析

? 雙極型晶體管 BJT 特性的測(cè)量與分析

? MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

? MOS器件的參數(shù)提取 

吉時(shí)利源表簡(jiǎn)介及熱門(mén)型號(hào)推薦：

吉時(shí)利源表將數(shù)字萬(wàn)用表 (DMM)、電源、實(shí)際電流源、電子負(fù)載和脈沖發(fā)生器的功能集成在一臺(tái)儀器中。通過(guò)吉時(shí)利源表進(jìn)行分立器件 I-V 特性測(cè)試時(shí)，支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，輕松完成三端口器件測(cè)試。此外，因?yàn)榧獣r(shí)利源表兼顧高精度和通用性，廣泛適用于教育、科研、產(chǎn)業(yè)等眾多行業(yè)。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長(zhǎng)期合作伙伴，為多家院校，研究所提供了I-V特性測(cè)試方案，并提供了吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，如果您也有相關(guān)應(yīng)用，歡迎關(guān)注安泰測(cè)試網(wǎng)。

吉時(shí)利源表廣泛應(yīng)用于高校和研發(fā)型企業(yè)，很多客戶在使用吉時(shí)利源表時(shí)，在進(jìn)行兩端器件測(cè)試接線的時(shí)候，容易出現(xiàn)錯(cuò)誤，今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表三同軸測(cè)試兩端器件接線的方法，以吉時(shí)利源表2600B系列為例：

首先介紹一下263X型源表背板上的三同軸接口構(gòu)造。

三同軸轉(zhuǎn)成鱷魚(yú)夾的話，三個(gè)夾子的顏色對(duì)應(yīng)的是：紅色是最內(nèi)部的芯線。黑色的是中間的一圈，綠色是最外的一圈。對(duì)2636的通道上的三個(gè)三同軸接口來(lái)說(shuō)，綠色的都是機(jī)箱地。所有的測(cè)試一定要從Hi進(jìn)從Lo出才能形成測(cè)試回路。

在進(jìn)行兩端器件測(cè)試接線的時(shí)候，一共有兩種方式可以接，一種是需要用到2根三同軸轉(zhuǎn)三鱷魚(yú)夾的線，另一種只需用到一根三同軸線，但在儀器背板上需要做適當(dāng)短接。

方法1：

兩根線，兩根線都要接紅的。注意看儀器背板的指示。這樣是用兩根線，通道A中間的那根圖示里芯線是Hi, 下面的指示芯線是Lo,所以我們要連這兩根線。

方法2：

用一根線，要把中間的跳線用導(dǎo)線把三個(gè)口都短接，就把Lo短接到地了，這樣，我們就可以接通道A上的中間的紅與綠間接測(cè)試樣品了。

此常見(jiàn)問(wèn)題適用于： Keithley 2000 系列：配有掃描功能的 6?位萬(wàn)用表， 吉時(shí)利源表2600B 系列，如果大家在使用吉時(shí)利源表過(guò)程中有什么問(wèn)題，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

Keithley 2600B 系列系統(tǒng) SMU 儀器是業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)電流-電壓源和測(cè)量解決方案，適用于高度自動(dòng)化生產(chǎn)測(cè)試應(yīng)用。 雙通道和單通道型號(hào)都緊密集成一個(gè)精密電源、真正電流源、數(shù)字萬(wàn)用表和具有脈沖生成功能的電子負(fù)載。 另外，TSP? 技術(shù)可運(yùn)行完整測(cè)試程序，適用于自動(dòng)化系統(tǒng)應(yīng)用，TSP-鏈路?技術(shù)允許菊花式鏈接最多 64 條通道，適用于大容量并行測(cè)試。吉時(shí)利源表2602B能做哪些測(cè)試呢？今天安泰測(cè)試給大家分享一下：

調(diào)制輸入

激光二極管模組常常是配備了調(diào)制或衰減控制輸入引腳，因而在LIV測(cè)試掃描中，可能需要加入2400型或2601型源表對(duì)衰減輸入端施加偏置。

正向電壓測(cè)試

正向電壓由多子電流流動(dòng)形成，因而是半導(dǎo)體材料和結(jié)溫的函數(shù)。

正向電壓測(cè)試可以在激光二極管和背光探測(cè)器上進(jìn)行，用以確定半導(dǎo)體結(jié)的正向操作電壓。一般地，2602型源表用以提供足夠小的源電流（以防器件損傷），然后測(cè)量半導(dǎo)體結(jié)上的電壓。鑒于探測(cè)器所用的半導(dǎo)體材料的溫度系數(shù)一般為2mV/℃，半導(dǎo)體結(jié)的溫度必須事前獲知或進(jìn)行控制。

反向擊穿電壓測(cè)試

隨著反向偏壓增加，少子穿過(guò)半導(dǎo)體結(jié)的速度增加。在一定的反向偏壓下，載流子所攜帶的能量足以通過(guò)碰撞引起電離作用。這時(shí)的反向偏壓稱為反向擊穿電壓。通過(guò)很好的控制反向擊穿電壓下的電流，可以避免半導(dǎo)體結(jié)被毀壞。

反向擊穿電壓測(cè)試可以在激光二極管和背光探測(cè)器上進(jìn)行。無(wú)損反向擊穿電壓測(cè)試可以通過(guò)提供-10μA源電流并測(cè)量相應(yīng)的半導(dǎo)體結(jié)電壓實(shí)現(xiàn)。2602源表是這一測(cè)量的理想選擇。

漏電流測(cè)試

反偏的半導(dǎo)體結(jié)（略低于擊穿電壓的偏置電壓下）會(huì)出現(xiàn)由少子渡過(guò)耗盡區(qū)產(chǎn)生的漏電流。漏電流的大小由電子電荷、摻雜濃度、半導(dǎo)體結(jié)面積和溫度決定。激光二極管和背光探測(cè)器的漏電流測(cè)試由2602源表系統(tǒng)進(jìn)行。一般，在半導(dǎo)體結(jié)上施加反向擊穿電壓的80%，然后測(cè)量相應(yīng)的漏電流。

對(duì)于光電二極管，這項(xiàng)測(cè)試同時(shí)可用于暗電流測(cè)量。將激光二極管的偏置電壓設(shè)置到零，通過(guò)在半導(dǎo)體結(jié)上施加一個(gè)電壓偏置并測(cè)量流過(guò)的電流，可得到暗電流的值。在這項(xiàng)測(cè)量中，關(guān)鍵在于確保雜散光子不會(huì)碰撞到激光二極管或背光探測(cè)器上。

吉時(shí)利源表2602B還能做哪些測(cè)試呢？歡迎大家留言討論，如需了解吉時(shí)利源表更多產(chǎn)品應(yīng)用，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

上一期安泰測(cè)試為大家分享了吉時(shí)利源表2602B在調(diào)制輸入、正向電壓測(cè)試、反向擊穿電壓測(cè)試、漏電流測(cè)試的應(yīng)用，那么吉時(shí)利源表2602B還能做哪些測(cè)試呢？安泰測(cè)試為您接著分享：

熱敏電阻測(cè)試

典型的激光二極管模組中，熱敏電阻在25℃下的標(biāo)稱阻值為10kΩ。在常規(guī)工作模式中，整個(gè)模組的熱穩(wěn)定性要比其jeudui溫度值更為關(guān)鍵。

一系列測(cè)試熱敏電阻的技術(shù)如下：

1、維持激光二極管模組的溫度在一個(gè)已知溫度上，簡(jiǎn)單測(cè)量熱敏電阻的阻值；

2、將一個(gè)特性已經(jīng)測(cè)出的熱敏電阻熱耦合到激光二極管模組上，使整個(gè)組裝體達(dá)到熱平衡，比較特性已知熱敏電阻與激光二極管熱敏電阻的阻值；

3、在制造過(guò)程中，設(shè)定一個(gè)足以包含激光二極管模組溫度的阻值范圍。為了避免熱敏電阻的自加熱效應(yīng)，需要保持最小的功耗。一般地，提供10μA~100μA的恒定電流，測(cè)得的電壓用于推導(dǎo)電阻值。

晶圓測(cè)試

VCSEL是一種進(jìn)行晶圓級(jí)測(cè)試的激光器件。圖1示出了片上VCSEL測(cè)試的簡(jiǎn)單測(cè)試系統(tǒng)。晶圓探針臺(tái)通過(guò)探針卡與每個(gè)器件實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。探針臺(tái)也可直接定位器件上的光學(xué)探測(cè)器。隨后，使用單臺(tái)2602雙通道源表進(jìn)行特性測(cè)量。

圖1. 2602 VCSEL片上測(cè)試典型框圖

如果探針卡可以同時(shí)與多個(gè)器件連接，每次探針卡與晶圓接觸，類似于圖1所示的系統(tǒng)可以測(cè)試片上的所有器件。由于片上器件數(shù)量巨大，采用掃描測(cè)試方案會(huì)非常耗時(shí)。對(duì)于要求高吞吐量的應(yīng)用，用多個(gè)設(shè)備并行進(jìn)行多個(gè)器件的測(cè)試往往是不錯(cuò)的測(cè)試方案。對(duì)于擴(kuò)展的測(cè)試方案，可以參考下面小節(jié)中討論的多路技術(shù)以及并行設(shè)備配置。

如需了解吉時(shí)利源表2602B更多測(cè)試應(yīng)用，歡迎關(guān)注安泰測(cè)試網(wǎng)，且看下回繼續(xù)介紹。

電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。

四探針?lè)ㄊ悄壳皽y(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率的常用方法，因?yàn)榇朔ㄔO(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高且對(duì)樣品形狀無(wú)嚴(yán)格要求。

四探針?lè)ú僮饕?guī)范：要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面；在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí)，測(cè)試中間兩根探針的電壓差；通過(guò)樣品的幾何參數(shù)，輸出電流源和測(cè)到的電壓值來(lái)計(jì)算得出電阻率。

1、 四探針?lè)y(cè)試系統(tǒng)需要哪些設(shè)備？

四探針?lè)y(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

今天給大家介紹的四探針?lè)y(cè)試系統(tǒng)主要由吉時(shí)利源表、四探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。四探針可以通過(guò)前面板香蕉頭或后面板排線接口連接到源表上。

2、 吉時(shí)利源表為何能被應(yīng)用于四探針?lè)兀?/p>

吉時(shí)利源表智能觸屏界面提供I-V示圖功能

很多工程師都選吉時(shí)利公司開(kāi)發(fā)的高精度源表，源于它能夠簡(jiǎn)化測(cè)試連接，得到準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果。吉時(shí)利源表既可以在輸出電流時(shí)測(cè)試電壓，也可以在輸出電壓時(shí)測(cè)試電流。輸出電流范圍從皮安級(jí)到安培級(jí)可控，測(cè)量電壓分辨率高達(dá)微伏級(jí)。吉時(shí)利源表支持四線開(kāi)爾文模式，因此很適合四探針?lè)y(cè)試。這里配置的是吉時(shí)利2400系列的源表（2450/2460）。

3、四探針?lè)y(cè)試方案能帶來(lái)哪些好處？

讀數(shù)便捷：系統(tǒng)提供上位機(jī)軟件，內(nèi)置電阻率計(jì)算公式，符合國(guó)標(biāo)硅單晶電阻率測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試結(jié)束后直接從電腦端讀取計(jì)算結(jié)果，方便后續(xù)數(shù)據(jù)的處理分析

精度高：提供正向/反向電流換向測(cè)試，可以通過(guò)電流換向消除熱電勢(shì)誤差影響，提高測(cè)量精度值

適用性強(qiáng)：四探針頭采用碳化鎢材質(zhì)，間距 1 毫米，探針位置穩(wěn)定。采用懸臂式結(jié)構(gòu)，探針具有壓力行程。針對(duì)不同材料的待測(cè)件，提供多種不同間距，不同針尖直徑的針頭選項(xiàng)

靈活性好：探針臺(tái)具備粗/細(xì)兩級(jí)高度調(diào)整，細(xì)微調(diào)整時(shí)，高度分辨率高達(dá) 2 微米，精密控制探針頭與被測(cè)物之間的距離，防止針頭對(duì)被測(cè)物的損害

誤差更?。狠d物盤(pán)表面采用絕緣特氟龍圖層，降低漏電流造成的測(cè)試誤差

以上內(nèi)容由西安安泰測(cè)試整理，如想了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用，歡迎咨詢安泰測(cè)試網(wǎng)。

概述：

某一維線性尺度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于它的其他二維尺度的材料成為薄膜材料，理論上薄膜材料厚度介于單原子到幾毫米，但由于厚度小于100nm的薄膜已經(jīng)被稱為二維材料，因此薄膜材料通常指厚度介于微米到毫米的薄金屬或有機(jī)物層。

薄膜材料可以分為非電子薄膜材料和電子薄膜材料，非電子薄膜材料需要對(duì)其電學(xué)特性進(jìn)行分析，不是本方案針對(duì)的對(duì)象。電子薄膜又可以分為導(dǎo)電薄膜，介質(zhì)薄膜，半導(dǎo)體薄膜，電阻薄膜，磁性薄膜，壓電薄膜，光電薄膜，熱電薄膜，超導(dǎo)薄膜等，表面電阻率是電子薄膜電學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。

電子薄膜材料表面電阻測(cè)試：

表面電阻率測(cè)試常用方法是四探針?lè)ê头兜卤し?，但?duì)電子薄膜材料，范德堡法很少應(yīng)用。多數(shù)情況下，電子薄膜材料電阻率測(cè)試對(duì)測(cè)試儀器的要求沒(méi)有二維材料/石墨烯材料高，用源表加探針臺(tái)即可手動(dòng)或編寫(xiě)軟件自動(dòng)完成測(cè)試。

電子薄膜材料電阻率測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)：

●電子薄膜種類多，電阻率特性不同

 需選擇適合的SMU進(jìn)行測(cè)試

●被測(cè)樣品形狀復(fù)雜，需選擇適當(dāng)?shù)男拚齾?shù)

厚度修正系數(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果的營(yíng)銷F（W/S）

原片直徑修正系數(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果的營(yíng)銷

溫度修正系數(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響

●環(huán)境對(duì)測(cè)試結(jié)果有影響

利用電流換向測(cè)試消除熱電勢(shì)誤差

●利用多次平均提高測(cè)試精度

需考慮測(cè)試成本

吉時(shí)利電子薄膜材料測(cè)試方案：

1、  通用配置

a.吉時(shí)利源表2450/2460/2461

b.四探針臺(tái)（間距1mm）

c.測(cè)試軟件（安泰測(cè)試系統(tǒng)集成可開(kāi)發(fā)）

2、高阻電子薄膜材料測(cè)試方案

a.6221/2182A+6514X2+2000DMM

b.第三方探針臺(tái)

c.手動(dòng)或軟件編程

方案優(yōu)勢(shì)：

1、  不同配置滿足不同電子薄膜材料電阻率測(cè)試需求

2、  高精度源表，即可手動(dòng)測(cè)試，也可以編程自動(dòng)測(cè)試

3、  高性價(jià)比

吉時(shí)利源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾乎都能看到，源表集多表合一、配上專業(yè)軟件可以實(shí)現(xiàn)各種定制測(cè)量，使用非常廣泛。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長(zhǎng)期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，為西安多家企業(yè)和院校提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，如果您想了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用方案，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

I-V測(cè)試是二級(jí)管測(cè)試必不可少的項(xiàng)目。二極管I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。吉時(shí)利源表2450是二極管特性分析的理想選擇，提供四象限精密電壓和電流源/負(fù)載，可精確地發(fā)起電壓或電流以及同時(shí)測(cè)量電壓和/或電流，其電壓和電流測(cè)量分辨率分別達(dá)到10 nV和10 fA。

選擇一臺(tái)可靠的儀器是測(cè)試的基礎(chǔ)，正確的操作方法也會(huì)讓測(cè)試更加可靠，安泰測(cè)試就給大家分享一下使用吉時(shí)利源表進(jìn)行測(cè)試的小妙招。

Q1 消除引線電阻引起的誤差

I-V測(cè)試時(shí)，使用4線連接法，可以消除引線電阻的影響。當(dāng)引線與二極管連接時(shí)，注意Force HI和Sense HI引線與二極管陽(yáng)極端相連，F(xiàn)orce LO和Sense LO引線與二極管陰極端相連。盡可能使連接靠近二極管，以消除引線電阻對(duì)測(cè)量準(zhǔn)確度的影響。特別是在源或測(cè)量大電流或低電壓時(shí)，這一點(diǎn)很重要。

Q2 減少電磁干擾的小技巧

如果測(cè)量低電平電流(<1μa)，推薦使用后面板的三軸同軸連接器和三軸同軸電纜，不建議使用前面板的香蕉插孔。三軸同軸電纜具有屏蔽功能，能減少電磁干擾效應(yīng)（電磁干擾效應(yīng)可能會(huì)干擾讀數(shù)）。

另外，為減少電磁干擾還需要把二極管放置在避光的金屬屏蔽箱內(nèi)。

Q3 生成、執(zhí)行和瀏覽I-V曲線的步驟

吉時(shí)利源表2450具有直觀、多點(diǎn)觸控用戶界面。通過(guò)吉時(shí)利源表2450，只需幾個(gè)簡(jiǎn)單的按鍵步驟，便可生成和瀏覽I-V曲線，快速完成二極管I-V測(cè)試。操作如下：

以上就是安泰測(cè)試給大家分享的如何利用吉時(shí)利源表進(jìn)行二級(jí)管測(cè)試，如果大家在使用吉時(shí)利源表過(guò)程中有什么問(wèn)題，歡迎咨詢安泰測(cè)試，我們有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)提供免費(fèi)技術(shù)支持服務(wù)。

吉時(shí)利功率數(shù)字源表2657A為吉時(shí)利2600A系列高速、精密源測(cè)量單元數(shù)字源表系列產(chǎn)品增加了高電壓功能。此系列儀器能幫助吉時(shí)利客戶分析范圍更寬的功率半導(dǎo)體器件和材料。2657A內(nèi)建3,000V、180W源，支持以極低的成本向被測(cè)器件輸出5倍于接近競(jìng)爭(zhēng)系統(tǒng)的功率，并且，構(gòu)建至2657A的精密、高速6位半測(cè)量引擎的1fA（飛安）電流測(cè)量分辨率滿足了下一代功率半導(dǎo)體器件的低漏電要求。

2657A專門(mén)做了這些優(yōu)化：二極管、FETs和IGBTs等功率半導(dǎo)體器件的高壓測(cè)試應(yīng)用以及氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等新材料及其它復(fù)合半導(dǎo)體材料和器件的特性分析。而且，2657A還適于高速瞬態(tài)分析以及在高達(dá)3000V的各種電子器件上進(jìn)行故障測(cè)試和漏電測(cè)試。

類似于2600A系列的其它產(chǎn)品，2657A提供了極高的靈活性、四象限電壓和電流源/負(fù)載，外加精密電壓計(jì)和電流計(jì)。2657A在一個(gè)全機(jī)架機(jī)箱中整合了多種儀器功能：半導(dǎo)體特性分析儀、精密電源、真電流源、6位半DMM、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負(fù)載和觸發(fā)控制器，而且通過(guò)吉時(shí)利的TSP-Link?技術(shù)完全可擴(kuò)展至多通道、緊同步系統(tǒng)。與功率相對(duì)有限的同類競(jìng)爭(zhēng)方案所不同的是，2657A的源或阱能力高達(dá)180W直流功率(±3,000V@20mA，±1500V@120mA)。而且，2657A具有1fA分辨率，甚至在輸出3000V高壓的同時(shí)還能快速、準(zhǔn)確地進(jìn)行亞皮安級(jí)電流測(cè)量。

數(shù)字化或集成測(cè)量模式

對(duì)于瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)特性分析（包括快速變化的熱效應(yīng)）而言，2657A可以選擇數(shù)字化測(cè)量模式或集成測(cè)量模式。每種模式由兩個(gè)獨(dú)立的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)定義：一個(gè)用于電流，另一個(gè)用于電壓，這兩個(gè)ADC同步工作并在不犧牲測(cè)試吞吐量的前提下確保源回讀的準(zhǔn)確性。數(shù)字化測(cè)量模式的18bit模數(shù)轉(zhuǎn)換器支持1毫秒每點(diǎn)的采樣，使用戶能同步采樣電壓和電流瞬時(shí)值。反之，競(jìng)爭(zhēng)方案通常須對(duì)多個(gè)讀數(shù)取平均值后得出結(jié)果，所以競(jìng)爭(zhēng)方案的瞬態(tài)特性分析速度不夠快?；?2bit模數(shù)轉(zhuǎn)換器且為整個(gè)2600A系列儀器所共有的集成測(cè)量模式，優(yōu)化了2657A在需要高測(cè)量準(zhǔn)確度和分辨率應(yīng)用中的操作，確保了下一代功率半導(dǎo)體器件常見(jiàn)的極低電流和極高電壓的高精密測(cè)量。

強(qiáng)大的測(cè)試開(kāi)發(fā)工具

無(wú)需安裝軟件或使用吉時(shí)利基于LXI的I-V測(cè)試軟件工具TSP Express編程就能實(shí)現(xiàn)基本的器件特性分析。用戶只需將PC連接至LXI LAN端口并用任意支持Java的Web瀏覽器即能訪問(wèn)TSP Express。測(cè)試結(jié)果可以用圖形方式或列表方式查看，然后導(dǎo)出為電子表格應(yīng)用的.csv文件。

2657A提供創(chuàng)建測(cè)試序列的兩種附加工具：測(cè)試腳本生成器應(yīng)用（用于創(chuàng)建、修改、調(diào)試、運(yùn)行和管理TSP腳本）和基于IVI的LabVIEW?驅(qū)動(dòng)程序（簡(jiǎn)化了將2657A集成至LabVIEW測(cè)試序列）。測(cè)試腳本生成器應(yīng)用的新調(diào)試功能使測(cè)試項(xiàng)目開(kāi)發(fā)更方便并且更有成效。

ACS軟件基礎(chǔ)版也是元器件特性分析的一個(gè)選件。新發(fā)布版具有的豐富特性便于分析高電壓和大電流元器件。已更新的附帶測(cè)量庫(kù)用于支持高壓2657A和大電流2651A高功率數(shù)字源表的直流和脈沖工作模式。通過(guò)測(cè)試大多數(shù)器件的輸入、輸出和傳輸特性，這些測(cè)量庫(kù)支持FETs、BJT、二極管、IGBTs等各種功率器件。一種特殊的“追蹤模式”用簡(jiǎn)單滑動(dòng)條實(shí)現(xiàn)對(duì)儀器電壓或電流輸出的實(shí)時(shí)控制。

靈活、準(zhǔn)確度高的連接和探測(cè)方案

2657A能通過(guò)兼容現(xiàn)有高壓測(cè)試應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)安全高壓(SHV)同軸電纜連接至測(cè)試系統(tǒng)的其它儀器。但是，對(duì)于需要從測(cè)量?jī)x器的小電流測(cè)量中實(shí)現(xiàn)性能大化的應(yīng)用而言，吉時(shí)利還提供了專門(mén)的高壓三軸（防漏電）的連接以佳化2657A的測(cè)量準(zhǔn)確度。

新型8010高功率器件測(cè)試夾具選件能連接高達(dá)3000V或100A的測(cè)試封裝高功率器件，可以更安全、更容易地配置包含高電壓2657A，一臺(tái)或兩臺(tái)大電流2651A測(cè)量?jī)x器以及多達(dá)3臺(tái)低功率SMU儀器（其它2600A系列儀器或4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)）的器件測(cè)試系統(tǒng)。除了標(biāo)準(zhǔn)的香蕉頭跳線外，8010的后面板示波器和散熱探針端口簡(jiǎn)化了DUT深入特性分析的系統(tǒng)集成。8010具有完整的安全互鎖功能。為防止在發(fā)生器件故障時(shí)損壞測(cè)量?jī)x器，8010的集成保護(hù)電路防止2600A系列儀器的較低電壓輸入端口被2657A輸出的高壓損壞。而且，獨(dú)立保護(hù)模塊簡(jiǎn)化了多臺(tái)SMU與第三方探測(cè)臺(tái)、元器件機(jī)械手或其它測(cè)試夾具的連接。

以上內(nèi)容由西安安泰測(cè)試整理，如果您在吉時(shí)利源表選型或者使用過(guò)程中有什么問(wèn)題歡迎咨詢安泰測(cè)試技術(shù)工程師。

二極管是兩端口電子器件，支持電流沿著一個(gè)方向流動(dòng)（正向 偏壓），并阻礙電流從反方向流動(dòng)（反向偏壓）。不過(guò)，有許多種 類型的二極管，它們執(zhí)行各種功能，如齊納二極管、發(fā)光二極管（LED）、有機(jī)發(fā)光二極管（ OLED ）、肖克利二極管、雪崩二極管、光電二極管等。每種二極管的電流電壓 (I-V) 特性都有所不同。 無(wú)論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線，都要對(duì)封裝器件或在晶圓上進(jìn)行二極管I-V測(cè)試。

二極管I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。對(duì)所有分離儀器進(jìn)行編程、同步和連接，既麻煩又耗時(shí)，而且需要大量機(jī)架或測(cè)試臺(tái)空間。為了簡(jiǎn)化測(cè)試，縮小機(jī)架空間，單一設(shè)備，如吉時(shí)利 2450 型觸摸屏數(shù)字源表，成為二極管特性分析的理想選擇，因?yàn)樗軌蛱峁╇娏骱碗妷旱脑春蜏y(cè)量。2450型儀器可以對(duì)不同數(shù)量級(jí)(從10～11A至1A)的源電壓和測(cè)量電流進(jìn)行掃 描，這剛好符合二極管測(cè)試需求。這些測(cè)試可以通過(guò)總系自動(dòng)進(jìn)行，也可以通過(guò)大型觸摸屏輕松實(shí)現(xiàn)，用戶可以在觸摸屏上進(jìn)行測(cè)試設(shè) 置，并呈現(xiàn)測(cè)試圖表。圖1給出2450型儀器對(duì)紅色LED進(jìn)行測(cè)試的電壓源和測(cè)得的電流，它與儀器輸入端的連接采用4線配置。

本應(yīng)用介紹了怎樣利用 2450 型觸摸屏數(shù)字源表實(shí)現(xiàn)二極管I-V特性分析。特別是，介紹了怎樣利用儀器前面板的用戶界面啟動(dòng)測(cè)試、繪制圖表并存儲(chǔ)測(cè)量結(jié)果。

二極管I-V測(cè)試

通常，二極管參數(shù)測(cè)試要求能在較寬范圍提供電流和電壓的源 和測(cè)量。例如，從0V到大約1V對(duì)正向電壓掃描，作為結(jié)果的電流 范圍從10～12A到1A。不過(guò)，實(shí)際數(shù)量級(jí)、I-V測(cè)試類型以及提取的參數(shù)取決于待測(cè)的具體二極管。為了測(cè)試LED，用戶可能想測(cè)試 發(fā)光強(qiáng)度，作為應(yīng)用電流的一個(gè)功能，而測(cè)試齊納二極管的工程師可能希望知道在某個(gè)測(cè)試電流時(shí)的“鉗位”或齊納電壓。不過(guò)，在 各種不同類型的二極管中，有許多測(cè)試常見(jiàn)的測(cè)試。

圖2給出典型二極管的I-V曲線，包括正向區(qū)、反向區(qū)和擊穿區(qū)，以及常見(jiàn)的測(cè)試點(diǎn)、正向電壓(V )、漏電流(I )和擊穿電壓(V )。正向電壓(V )測(cè)試涉及在二極管的正常工作范圍內(nèi)提供指定的正向偏置電流，然后測(cè)量作為結(jié)果的電壓降。漏電流(I )測(cè)試確定二極管 在反向電壓條件下泄漏的電流電平。其測(cè)試通過(guò)提供指定的反向電 壓源，然后測(cè)量作為結(jié)果的漏電流。在反向擊穿電壓(V )測(cè)試中， 需要提供指定的反向電流偏置源，然后測(cè)量作為結(jié)果的二極管電壓降。

二極管與2450型儀器連接

二極管與2450型儀器的連接如圖3所示。

利用4線連接，可以消除引線電阻的影響。當(dāng)引線與二極管連接時(shí)，注意Force HI和Sense HI引線與二極管陽(yáng)極端相連，F(xiàn)orce LO和Sense LO引線與二極管陰極端相連。盡可能使連接靠近二極管，以消除引線電阻對(duì)測(cè)量準(zhǔn)確度的影響。在源或測(cè)量大電流或低 電壓時(shí)，注意這一點(diǎn)特別重要。

當(dāng)測(cè)量低電平電流(<1μA)時(shí)，建議使用后面板的三軸同軸連接器和三軸同軸電纜，不再使用前面板的香蕉插孔。三軸同軸電纜具有屏蔽功能，將減少電磁干擾效應(yīng)，電磁干擾效應(yīng)可能會(huì)干擾讀數(shù)。 圖4給出二極管與2450型儀器后面板三軸同軸連接器連接示意圖。

除了使用三軸同軸電纜，還應(yīng)當(dāng)把二極管放置在避光的金屬 屏蔽箱內(nèi)。應(yīng)當(dāng)采用正確的屏幕和其他低電流測(cè)量技術(shù)。

通過(guò)用戶界面生成掃描和繪制圖表

通過(guò)吉時(shí)利源表2450前面板的用戶界面，可以輕松實(shí)現(xiàn)二極管測(cè)試和掃描。只需按幾下重要按鍵，即可生成和瀏覽I-V曲線。主要包括以下步驟：

生成、執(zhí)行和瀏覽I-V曲線的步驟

圖5給出1N3595二極管的測(cè)量結(jié)果，電壓掃描范圍0V～0.9V， 181個(gè)階躍(步長(zhǎng)5mV)。注意，在大型顯示屏上繪制的12個(gè)量級(jí) 電流。只需按壓TRIGGER按鍵，即可重復(fù)I-V掃描。

將數(shù)據(jù)保存至USB閃存

生成的數(shù)據(jù)可以作為.csv文檔保存至USB閃存。只需在儀器 前面板的USB端口插入U(xiǎn)SB閃存，按壓MENU按鍵，按壓DataBuffers，選擇正確的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)(defbuffer1是默認(rèn)值)，然后按 壓Save to USB。如果您想更改文件名，請(qǐng)鍵入新的文件名，并按壓Enter。按壓Yes，證實(shí)文件保存。這樣，數(shù)據(jù)就保存至USB 閃存。

如需了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)增加了對(duì)太陽(yáng)能電池測(cè)試和測(cè)量解決方案的需求，尤其是太陽(yáng)能性能的測(cè)試顯得尤為重要。太陽(yáng)能電池從研發(fā)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都有不同的測(cè)試需求，其光電特性包括伏安I-V特性、光譜響應(yīng)SR特性和量子效率QE特性，其中I-V特性分析對(duì)推導(dǎo)有關(guān)太陽(yáng)能電池性能的重要參數(shù)至關(guān)重要，主要包括ZD電流Imax和電壓Vmax、開(kāi)路電壓Voc、短路電流Isc、填充因子ff以及轉(zhuǎn)換效率η等。

為精確完成太陽(yáng)能電池I-V特性測(cè)試，測(cè)試者需要用太陽(yáng)能模擬器光源在一定距離內(nèi)輻照到樣品上，然后用精密的電學(xué)儀器來(lái)測(cè)量I-V特性曲線，從而得到電池的參數(shù)。

無(wú)光照時(shí)，測(cè)量太陽(yáng)能電池IV特性需提供指定的直流偏壓，測(cè)得正向偏壓時(shí)的IV特性曲線；在不加偏壓時(shí)，用各波長(zhǎng)入射光照射測(cè)量太陽(yáng)能電池在不同負(fù)載條件下IV特性（多片串聯(lián)負(fù)載特性更明顯），測(cè)量短路電流Isc、開(kāi)路電壓Voc、ZD功率、ZJ工作電流和電壓。吉時(shí)利源表2400系列，集電壓源、電流源、電壓表、電流表和歐姆表一體，提供精密電壓源和電 流源以及測(cè)量功能，可完全滿足太陽(yáng)能電池IV特性測(cè)試需求。

光譜響應(yīng)SR是評(píng)價(jià)太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換能力指標(biāo)。提供各波長(zhǎng)入射光，接收到入射光后轉(zhuǎn)換成的電流與入射光能量之比即為光譜響應(yīng)SR，吉時(shí)利源表2400系列可JZ測(cè)量光電流完成SR電流特性測(cè)試。

一般電源只提供第1象限和第3象限操作，作為源放出能量，吉時(shí)利源表2400系列可以提供完整的四象限運(yùn)行，當(dāng)工作在第2和第4象限時(shí)，可以作為阱（負(fù)載）吸收能量，在源或阱模式下能測(cè)量電壓、電流和電阻。

高精密源表是太陽(yáng)能電池測(cè)試中的重要設(shè)備，吉時(shí)利源表的高精度源測(cè)量功能，它集5臺(tái)儀器的功能于一體，是太陽(yáng)能電池特性測(cè)試的理想選擇。如果您想了解吉時(shí)利源表更多產(chǎn)品應(yīng)用歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

數(shù)字源表 SMU 儀器可以簡(jiǎn)化電池測(cè)試，因?yàn)樗鼈兡軌蛲瑫r(shí)輸出和測(cè)量電流和電壓。這些儀器可以靈活地輸出和接收電流，測(cè)量電壓和電流，為電池充放測(cè)試提供了解決方案。對(duì)這一測(cè)試，吉時(shí)利源表是很多客戶的不二選擇，源表SMU的端子采用 4 線方式連接到電池上 ( 如圖)，以消除引線電阻的影響。

在充放測(cè)試中，儀器配置成提供電壓，測(cè)量電流。盡管儀器配置成提供電壓，但它可以在恒定電流模式下運(yùn)行。（如圖）顯示了充放測(cè)試中簡(jiǎn)化的電路圖。電流通常使用恒定電流充電，因此源表SMU儀器配置成把電壓源設(shè)置為電池的額定電壓，把輸出極限設(shè)置成希望的充電電流。在測(cè)試開(kāi)始時(shí)，電池電壓小于儀器的電壓輸出設(shè)置。這種電壓差會(huì)驅(qū)動(dòng)電流，這個(gè)電流直接受到用戶自定義的電流極限限制。在電流極限范圍內(nèi)，儀器作為恒定電流源工作，直到達(dá)到編程的電壓。

在電池放電時(shí)，吉時(shí)利源表作為接收裝置使用，因?yàn)樗纳⒐β?，而不是供電。儀器的電壓源設(shè)置成低于電池電壓，電流極限設(shè)置成放電速率。在啟用輸出時(shí)，來(lái)自電池的電流流入儀器的Hi端子。結(jié)果，電流讀數(shù)將為負(fù)。如圖顯示了2500mAh電池放電特點(diǎn)的測(cè)量結(jié)果。

吉時(shí)利源表廣泛應(yīng)用納米材料測(cè)試、生物化學(xué)有機(jī)材料測(cè)試、器件HALL測(cè)試、元器件測(cè)試、光電器件測(cè)試、半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試、高亮度的LED脈寬調(diào)制測(cè)試等等，吉時(shí)利源表完全可編程，還具有較高精度、分辨率和靈活度，備受廣大高校、研究所和研發(fā)企業(yè)的青睞。如果您想了解吉時(shí)利源表更多產(chǎn)品信息或者應(yīng)用方案，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

數(shù)字源表可發(fā)起電壓或電流以及同時(shí)測(cè)量電壓或電流。它將數(shù)字萬(wàn)用表 (DMM)、電源、實(shí)際電流源、電子負(fù)載和脈沖發(fā)生器的有用功能以緊湊外形集成在一臺(tái)緊密同步的儀器中。由于測(cè)量?jī)x器具有多功能性和高精度性能，源表比這五種儀器的任意幾種儀器組合都有用。

吉時(shí)利源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾乎都能看到，源表集多表合一、配上專業(yè)軟件可以實(shí)現(xiàn)各種定制測(cè)量，使用非常廣泛。

數(shù)字源表的型號(hào)很多，以KEITHLEY品牌為例，就有以下幾大源表產(chǎn)品線：

KEITHLEY2400系列

吉時(shí)利源表系列專用于要求緊密結(jié)合源和測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用。全部數(shù)字源表型號(hào)都提供精密電壓源和電流源以及測(cè)量功能。每款數(shù)字源表既是高度穩(wěn)定的直流電源也是真儀器級(jí)的6位半萬(wàn)用表。在工作時(shí)，這些儀器能用作電壓源、電流源、電壓表、電流表和歐姆表。通信、半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、汽車和YL行業(yè)的組件和模塊制造商會(huì)發(fā)現(xiàn)吉時(shí)利數(shù)字源表是適于特性分析和生產(chǎn)測(cè)試等廣泛應(yīng)用的重要源表。

KEITHLEY2400是一款經(jīng)典的源表，已經(jīng)有很長(zhǎng)的歷史了，我們可以打個(gè)比喻，KEITHLEY2400就是源表界的WINDOWS XP。

隨著近幾年來(lái)材料及半導(dǎo)體科技的發(fā)展，科研人員對(duì)源表提出了新的要求，那就是測(cè)量不僅要準(zhǔn)，而且測(cè)量速度要快， KEITHELY2450源表，以高的性價(jià)比（觸摸屏操控、直接支持USB、LAN通信、無(wú)需單獨(dú)配置價(jià)格高昂的GPIB通訊線，大存儲(chǔ)空間、新的Lua指令系統(tǒng)、豐富的應(yīng)用案例），成為科研人員的新寵。

KEITHLEY2600B系列

這些型號(hào)包括：2601B、2602B、2604B、2606B、2611B、2612B、2614B、2634B、2635B、2636B，另外還有兩款大電流和大電壓的源表2651A和2657A。

2600B系列源表是KEITHLEY源表當(dāng)中精度很高的一個(gè)產(chǎn)品線系列，由于系列中配備了雙通道型號(hào)甚至四通道型號(hào)（2606B），因此一臺(tái)儀器就可以完成BJT，F(xiàn)ET等三端器件的測(cè)試，使用十分方便，操作也很靈活，對(duì)于有心購(gòu)買半導(dǎo)體特性分析儀(4200A)而預(yù)算不夠的科研人員來(lái)說(shuō)，KEITHLEY2636B+測(cè)試軟件是一個(gè)很好的選擇，如需要測(cè)試C-V曲線，可以另購(gòu)LCR表集成即可。

吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示圖

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長(zhǎng)期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，且已為西安多家企業(yè)和院校提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的青睞，如果您想了解吉時(shí)利源表更多詳細(xì)內(nèi)容，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

吉時(shí)利源表滿足高性能生產(chǎn)測(cè)試、工藝監(jiān)測(cè)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和研究中電子制造商的專門(mén)需求，受到廣大客戶的青睞。那什么是源表呢？與數(shù)字萬(wàn)用表有所區(qū)別？吉時(shí)利源表有何“與眾不同”，能獨(dú)得客戶“恩寵”？

吉時(shí)利SourceMeter數(shù)字源表系列是專為那些要求緊密結(jié)合激勵(lì)源和測(cè)量功能，要求精密電壓源并同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。所有源表均由一個(gè)精密的、低噪聲、高穩(wěn)定的帶回讀功能的直流電源和一個(gè)低噪聲、高重復(fù)性、高輸入阻抗的5位半多功能表組成，形成了緊湊的單通道直流參數(shù)測(cè)試儀。相當(dāng)于電壓源、電流源、電壓表、電流表和電阻表的綜合體。

通信、半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、汽車行業(yè)的元件與模塊制造商都將發(fā)現(xiàn)，源表儀器對(duì)于各種特征分析與生產(chǎn)過(guò)程測(cè)試都極具實(shí)用價(jià)值。

先看一下“數(shù)字源表”（SourceMeter）有何獨(dú)特優(yōu)勢(shì)？

根據(jù)器件的不同，它可以有各種模擬或數(shù)字輸入及輸出組合，包括一個(gè)或更多個(gè)電源輸入。某些測(cè)量需要計(jì)數(shù)器/定時(shí)器、增益/相位計(jì)、阻抗分析儀、LCZ儀、頻譜分析儀或射頻功率計(jì)等儀器，但利用數(shù)字源表可以很容易地滿足或者最適合上述諸多源和測(cè)量需求。

對(duì)許多測(cè)試工程師來(lái)說(shuō)，數(shù)字源表是他們?nèi)圆皇煜さ慕鉀Q方案。

數(shù)字源表優(yōu)勢(shì)

能夠進(jìn)行直流I-V測(cè)量，向負(fù)載（待測(cè)器件）施加電壓測(cè)量通過(guò)負(fù)載的電流，或者提供電流測(cè)量負(fù)載上的電壓降。無(wú)論采用上述哪種方式，都可以采用本地(雙線)和遠(yuǎn)程(四線)電壓測(cè)量。

數(shù)字源表的靈活性

使得它像獨(dú)立的精密恒流源或恒壓源或者單一電壓表或電流表一樣，很容易使用。源功能提供可編程四象限操作，這意味著它可以作為雙極電壓和電流，而且可以輸出和吸收功率。注意，與許多傳統(tǒng)電源不同的是，數(shù)字源表可以測(cè)量源電流或源電壓的實(shí)際值，這比依靠設(shè)置數(shù)值能提供更高的精度。保護(hù)電路可以再輸出電壓源時(shí)，限制通過(guò)負(fù)載的電流，保護(hù)待測(cè)器件；或者在輸出電流源時(shí)，限制負(fù)載上的電壓降，保護(hù)待測(cè)器件。

數(shù)字源表還具有重要的掃描和脈沖能力。

因此，考慮到許多交流測(cè)量可以利用脈沖或掃描直流實(shí)現(xiàn)，它為多種測(cè)試需求提供了一個(gè)通用的模擬I/O引腳。對(duì)于上面的普通IC實(shí)例，這意味著，盡管對(duì)當(dāng)今某些混合信號(hào)器件進(jìn)行全面測(cè)試時(shí)可能需要額外設(shè)備，但一個(gè)或多個(gè)數(shù)字源表往往能夠滿足所有需求。

與數(shù)字萬(wàn)用表相比有何不同？

為了體現(xiàn)這種儀器如何集高精密源與像數(shù)字萬(wàn)用表（DMM）一樣的測(cè)量能力于一體，但實(shí)際上，其電壓和電流測(cè)量能力在許多方面都比同等精度的數(shù)字萬(wàn)用表（DMM）更勝一籌。電壓表的輸入阻抗在各個(gè)電壓量程范圍都大約?10GΩ，但某些數(shù)字萬(wàn)用表卻不同，其輸入阻抗在zui高電壓量程則降至10MΩ。這意味著電壓表在其整個(gè)動(dòng)態(tài)量程的最小負(fù)載。相對(duì)而言，電流測(cè)量則使用反饋式電流表而不采用分流電流表。反饋式電流表的比分流電流表要低得多，這意味著它更像理想的零阻抗電流表。此外，對(duì)于電流測(cè)量而言，數(shù)字源表的動(dòng)態(tài)范圍比數(shù)字萬(wàn)用表寬得多。

吉時(shí)利源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾乎都能看到，源表集多表合一、配上專業(yè)軟件可以實(shí)現(xiàn)各種定制測(cè)量，使用非常廣泛。如果你也有用到吉時(shí)利源表，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。

吉時(shí)利源表大家用的多嗎？相信很多經(jīng)常從事電測(cè)研究行業(yè)的朋友都知道源表是干啥的，而且任何儀器都有自己的使用壽命，那么源表壞了怎么辦呢？吉時(shí)利源表維修復(fù)雜嗎？下面請(qǐng)看看西安安泰吉時(shí)利源表維修ZX小編為大家分享的這臺(tái)2611B-L吉時(shí)利源表維修案例，希望對(duì)大家有幫助！

      客戶描述這臺(tái)吉時(shí)利源表故障：燒壞了

　　西安安泰吉時(shí)利源表維修ZX工程師對(duì)源表檢測(cè)：儀器儀器有糊味控制板多處組件損壞

　　吉時(shí)利源表維修：更換控制板組件，調(diào)整檢測(cè)儀器

       ZZ儀器恢復(fù)正常，西安安泰吉時(shí)利源表維修ZX已將這臺(tái)2611B-L吉時(shí)利源表及時(shí)寄回到了客戶方。相信很多人都知道，吉時(shí)利源表價(jià)格不菲，那么日常怎么避免源表出故障呢？下面請(qǐng)跟著西安安泰吉時(shí)利原表維修ZX小編一起看看這些注意事項(xiàng)，希望能幫到大家！

       1.像24XX源表，如果有風(fēng)機(jī)的：請(qǐng)勿堵塞底部進(jìn)風(fēng)口，保持良好散熱。

　　2.像2410，能輸出1KV高壓的：高壓輸出，請(qǐng)確認(rèn)線纜絕緣良好，勿裸露任何金屬部分，注意人生安全。

　　3.像26XX的源表：請(qǐng)注意LAN口和TSP-Link口，不可插錯(cuò)。

　　4.能輸出1KV高壓的：高壓1KV輸出，請(qǐng)確認(rèn)線纜絕緣良好，不能裸露任何導(dǎo)電部分，謹(jǐn)防電擊風(fēng)險(xiǎn)。

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典型的電池充電/放電測(cè)試設(shè)置通常包括可編程電源、電子負(fù)載、電壓表和電流表。這些系統(tǒng)需要眾多軟件和硬件配置，以實(shí)現(xiàn)工作測(cè)試臺(tái)中所有儀器的同步。

數(shù)字源表是一種能夠源和測(cè)量電流和電壓的測(cè)試儀器。吉時(shí)利源表2450和2460具有拉/灌電流以及測(cè)量電壓和電流的靈活性，使得它們非常適合電池的電流循環(huán)方案。利用吉時(shí)利源表2450或2460型儀器，用戶只需設(shè)置一部?jī)x器而非整架設(shè)備。因此，吉時(shí)利源表 2450或2460可以通過(guò)拉電流為電池充電，通過(guò)消耗功率為電池放電，并對(duì)電壓和負(fù)載電流進(jìn)行監(jiān)控。

測(cè)試說(shuō)明：

對(duì)于充電和放電循環(huán)， 2450或2460型觸摸屏數(shù)字源表可以配置為源電壓并測(cè)量電流。圖2給出簡(jiǎn)化的充電和放電循環(huán)電路示意圖：

電池充電通常使用恒定電流。利用數(shù)字源表可以實(shí)現(xiàn)充電，即把它作為電壓源，設(shè)置電池額定電壓，并設(shè)置期望的充電電流作為電流限幅。測(cè)試開(kāi)始時(shí)，電池電壓低于數(shù)字源表儀器的電壓輸出設(shè)置。因此，在這個(gè)壓差作用下，電流立刻達(dá)到用戶定義的電流限幅。當(dāng)達(dá)到電流限幅時(shí)，數(shù)字源表儀器就作為恒流源，直到達(dá)到設(shè)定的電壓電平。隨著電池完全充電，電流將下降，直到達(dá)到零或接近零。為了預(yù)防安全隱患或損壞電池，必須注意不要過(guò)度充電。
   當(dāng)電池放電時(shí)，數(shù)字源表作為阱，因?yàn)樗碾娔芏皇翘峁╇娫础?shù)字源表儀器電壓源設(shè)置為低于電池電壓，電流限幅設(shè)置為放電速率。當(dāng)輸出啟用時(shí)，電流從電池流入數(shù)字源表儀器的高電平端口。因此，電流讀數(shù)將是負(fù)數(shù)。放電電流應(yīng)當(dāng)保持恒定，直到電池電壓下降至數(shù)字源表儀器的電壓源設(shè)定值。

與電池連接

為了建立測(cè)試，需將2450或2460型觸摸屏數(shù)字源表與電池進(jìn)行連接，如圖3所示。將儀器端口與電池進(jìn)行4線或程控檢測(cè)連接，以可以消除引線電阻的影響。這樣，測(cè)得的電池電壓盡可能接近其端口電壓。

數(shù)字源表儀器的Force HI和Sense HI輸出端子與電池正極(+)端子相連，其SenseLO和ForceLO輸出端子與電池負(fù)極(–)端子相連。

當(dāng)數(shù)字源表輸出關(guān)閉后，確保其設(shè)置在高阻抗(High Z)輸出關(guān)閉狀態(tài)。選定高阻抗(HighZ)輸出關(guān)閉狀態(tài)，當(dāng)輸出關(guān)閉時(shí)，將開(kāi)啟輸出繼電器。這將防止輸出關(guān)閉后電池出現(xiàn)泄漏。要將輸出關(guān)閉狀態(tài)設(shè)置為高阻抗，首先按壓MENU按鍵，然后選擇源設(shè)置，在選擇高阻抗，按壓HOME按鍵。

自動(dòng)放電循環(huán)

電池的充電和放電循環(huán)通常需要幾個(gè)小時(shí)，因此自動(dòng)化測(cè)試非常重要。利用儀器的任何通信接口(GPIB、 USB或以太網(wǎng))，都可執(zhí)行測(cè)試。程控通信接口的后面板連接位置如圖4所示。

吉時(shí)利源表2450或2460是對(duì)可充電電池的充電和放電循環(huán)進(jìn)行測(cè)試的理想工具，因?yàn)樗哂芯_地4象限、高功率輸出，能夠精確地測(cè)量電流和電壓。利用單一儀器進(jìn)行電池測(cè)試，不僅簡(jiǎn)化測(cè)試設(shè)置，縮短編程時(shí)間，而且節(jié)省機(jī)架空間。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長(zhǎng)期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，為西安多家企業(yè)和院校提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，如果您想了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用方案，歡迎訪問(wèn)安泰測(cè)試網(wǎng)。