二次電子像分辨率 0.8 nm（加速電壓 15 kV），1.0 nm（加速電壓 1 kV ）

分析時 3.0 nm (加速電壓 15 kV, WD 8 mm, 探針電流 5 nA ) 

倍率 Direct magnification:  x25 to 1,000,000（120 x 90 mm）

Display magnification:  x75 to 3,000,000（1,280 x 960 pixels） 

加速電壓 0.1 ～ 30 kV 

探針電流 數(shù) pA ～ 200 nA 

電子槍 浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍 

透鏡系統(tǒng) 聚光鏡（CL）、  最 佳光闌角控制鏡（ACL）、  半浸沒式物鏡（OL） 

樣品臺 全對中測角樣品臺、5軸馬達(dá)驅(qū)動 

電子檢測器系列 高位檢測器、　r‐過濾器　內(nèi)置、  低位檢測器 

自動功能 自動聚焦、自動消象散、自動亮度/襯度調(diào)節(jié) 

圖像觀察用

液晶顯示器 屏幕尺寸 23英寸寬屏

 分辨率　1,920 × 1,080像素 

抽真空系統(tǒng) 電子槍室／中間室　SIP 離子泵

樣品室　TMP 分子泵 

蔡司場發(fā)射掃描電子顯微鏡主要優(yōu)勢有：靈活的探測，4步工作流程，的分析性能

將的分析性能與場發(fā)射掃描技術(shù)相結(jié)合，利用成熟的 Gemini 電子光學(xué)元件。多種探測器可選：用于顆粒、表面或者納米結(jié)構(gòu)成像。Sigma 半自動的4步工作流程節(jié)省大量的時間：設(shè)置成像與分析步驟，提效率。

Sigma 300 性價比高。Sigma 500 裝配有的背散射幾何探測器，可快速方便地實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)分析。任何時間，任何樣品均可獲得可重復(fù)的分析結(jié)果。

蔡司場發(fā)射掃描電子顯微鏡是基于成熟的 Gemini 技術(shù)

Gemini 鏡頭的設(shè)計(jì)結(jié)合考慮了電場與磁場對光學(xué)性能的影響，并將場對樣品的影響降至更低。這使得即使對磁性樣品成像也能獲得出色的效果。

Gemini in-lens 的探測確保了信號探測的效率，通過二次檢測(SE)和背散射(BSE)元件同時減少成像時間。

Gemini 電子束加速器技術(shù)確保了小的探測器尺寸和高的信噪比。

本文有蔡司顯微鏡廠家小編Pancy整理，更多關(guān)于蔡司場發(fā)射掃描電子顯微鏡相關(guān)的咨詢

       簡介： 

       電子束曝光技術(shù)（Electron Beam Lithography）指使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術(shù)的延伸應(yīng)用。 光刻技術(shù)的精度受到光子在波長尺度上的散射影響。使用的光波長越短，光刻能夠達(dá)到的精度越高。根據(jù)德布羅意的物質(zhì)波理論， 電子是一種波長極短的波。這樣，電子束曝光的精度可以達(dá)到納米量級，從而為制作納米線提供了很有用的工具。電子束曝光技術(shù)在半導(dǎo)體工業(yè)中被廣泛使用于研究下一代超大規(guī)模集成電路。

圖形發(fā)生器及PC機(jī)（中科院電工所 DY-2000A）

       電子束曝光的設(shè)備實(shí)現(xiàn)電子束曝光技術(shù)有專門的儀器—電子束曝光機(jī)。也可以利用掃描電子顯微鏡作為平臺，配置圖形發(fā)生器軟/ 硬件和工作站，按照提前設(shè)計(jì)好的圖形，通過控制掃描電子顯微鏡的掃描線圈，使電子束按照一定順序在光刻膠上完成曝光動作。

       日本電子（JEOL）JSM系列熱場發(fā)射掃描電鏡在EBL技術(shù)應(yīng)用中的優(yōu)勢： 

       1.浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍，壽命長，Z大束流可達(dá)500nA。 

       2.束流穩(wěn)定度高。 

       3.ACL（Z優(yōu)角孔徑控制鏡），可在大束流下已經(jīng)保持小電子束斑直徑。 這三者結(jié)合，在保證刻蝕精度和刻蝕尺度的情況下，實(shí)現(xiàn)了GX率。