氣質(zhì)聯(lián)用儀：EI源和NCI源具體解釋一下？以及這兩種分別在哪種情況下選擇應(yīng)用？

Q：為何俄歇譜縱坐標(biāo)是：電子數(shù)和能量乘積，XPS的縱坐標(biāo)是只有電子數(shù)而沒有能量?

A：請參考我們的俄歇講堂第二課有關(guān)硬件原理的回放視頻。

Q：俄歇和XPS都用SCA，為何得到信號不同？

A：首先，我不確定我是否清楚這個問題。因此，我會以兩種方式作出回答。diyi種回答：XPS是通過用X射線轟擊樣品,從而產(chǎn)生包括光電子，俄歇電子和二次電子。 結(jié)果中XPS能譜將是這三種電子的疊加。對于AES，它是由電子擊中樣本，產(chǎn)生俄歇電子，二次電子和背散射電子。結(jié)果譜將是這三種電子的疊加。因此，如果我們的問題是為什么XPS和AES的“信號”不同，可以如以上的方法解釋。第二種回答：對于XPS分析，能量分析器將以FAT模式工作，輸入透鏡會對正在偵測電子減速至同一的動能，以讓分析器的通過能保持不變。 對于俄歇分析，能量分析器將以FRR模式工作，偵測中的電子會以固定的減速比進(jìn)入能量分析器，并時通過能實(shí)際上持續(xù)變化。 因此，結(jié)果圖譜也將有所不同。

Q：高和低電子束分析時，樣品深度不一樣嗎？

A：偵測深度不會隨著入射電子束能量的升高或降低而改變。AES是表面分析技術(shù)，因?yàn)楫a(chǎn)生的俄歇電子僅具有?5nm的非彈性平均自由程。無論入射電子束能量是高還是低，這都是相同的。但是，需要注意的一件事是，更高或更低的入射電子束能量將極大地改變背散射電子的行為，當(dāng)中在SEM和AES的結(jié)果都會因?yàn)檫@因素而受到影響。

Q：彈性散射峰的強(qiáng)度忽高忽低，為啥？

A：通常，在進(jìn)行Zalign調(diào)整工作距離時，我們會看到彈性峰在Z合適的Z值處達(dá)到Z大訊號強(qiáng)度。如果您看到強(qiáng)度信號不穩(wěn)，Z好請工程師進(jìn)行檢查出真正的原因。

Q：AES能做元素價態(tài)分析嗎？

A：可以。如ppt材料（以及下面）所示，AES能夠?qū)崿F(xiàn)一些化學(xué)態(tài)面掃(Map)分析。

Q：高能區(qū)域的峰信號弱，怎樣改善?

A：可以使用更高的入射電子束能量以獲得在這動能的俄歇峰更好的信噪比。通常我們會說，如果感興趣的俄歇峰 > 1000eV動能，Z好使用較高的入射電子束能量（例如10kV），而如果感興趣的俄歇峰位于較低的KE范圍（<1000eV），那么可以使用較低的入射電子束能量（例如3kV或5kV）去獲得更好的峰值訊噪比圖譜結(jié)果。

Q：如有重疊峰，軟件可以依據(jù)次強(qiáng)峰去自動換算?

A：是的，MultiPak可以很容易地做到這一點(diǎn)。只需將選定的元素改成所希望用的另一軌道的峰(e.g.Cu1改到Cu2)，就可以使用同元素不同軌道俄歇峰做定量。

Q：定量計算式，需要扣除背底嗎?

A：在XPS中我們是使用峰的面積進(jìn)行定量計算，而在AES中，我們則是使用微分譜中峰對峰(Peak-to-Peak)強(qiáng)度去做定量計算。因此，對于AES定量分析，并不存在扣背景扣除的概念。但是像在PPT講堂中提到，另一些時侯如背景太高而影響峰形時,或需要判斷化學(xué)態(tài)峰形狀等原因，有時我們是會需要對俄歇原始數(shù)據(jù)進(jìn)行背景扣除的。

AES系列講座雖然已經(jīng)結(jié)束

感謝大家的支持與鼓勵

還請繼續(xù)關(guān)注我們

更多技術(shù)分享

即將與您見面