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CTLD-350型熱釋光劑量讀出器劑量刻度方法

來源:北京瑞輻特輻射測量儀器有限公司 更新時間:2019-04-11 16:16:06 閱讀量:1855

       CTLD-350型熱釋光劑量讀出器劑量刻度方法

           北京瑞輻特輻射測量儀器有限公司

概述:熱釋光探測器在讀出器上的讀數值是一相對值,該結果轉換成劑量值需進行劑量刻度。這里所說的劑量刻度是指要確定待刻度探測器、劑量計對一系列已知輻射值(或刻度標準值)的響應或讀數。

刻度劑量計一般采用標準源或已知輻射場(如輻射場是未知的,可用基準儀器,次級標準儀器或參考標準儀器測出輻射場中刻度處的劑量率) 來刻度。對于一些穩(wěn)定性和重復性較差的輻射源(如加速器、X光機等),通常需要用一臺監(jiān)督儀器校正輻射場變化的影響。

Compress_350-04效果副本.jpg

1 刻度源

刻度源按其輻射水平分為環(huán)境、防護、ZL和處理水平四級(1)。

輻射水平劑量表

輻射水平

         

C·kg-1·h-1

R·h-1

環(huán)  

2.58×10-102.58×10-7

           10-610-3

  

2.58×10-7 2.58×10-2

10-3 102

  

     2.58×10-2   2.58

102 104

  

     2.582.58 ×103

104 107

 

1.1 β刻度源  β刻度源一般以離源表面一定距離處的吸收劑量率表示。在空氣中表面吸收劑量率可采用外推電離室測得。用于劑量刻度的β源見表2。

國際標準化組織推薦的β輻射刻度源

 核素

半 衰 期

β譜的Zda能量(MeV)

放出的其他主要輻射

14C

5730a

0.156

147Pm

2.62a

0.225

γ0.12MeV,0.01%

SmX射線

204Tl

3.78a

0.763

HgX射線

90Sr-90Y

28.5a

0.546t 2.274

106Ru-Rh

369d

0.039t 3.54

             106Rhγ0.512MeV(21%)

0.622MeV(11%)

1.05MeV(1.5%)

1.13MeV(0.5%)

1.55MeV(0.2%)

 

一個良好的源應提供有關襯底材料和反散射。小面積90Sr-90Y147Pm源可作為一個“點”源?! ?/p>

1.2  X、γ輻射刻度源

1.2.1    X輻射刻度源

刻度用的X輻射源可以用過濾和熒光技術方法得到。過濾方法是利用一臺恒壓X射線機產生所需要的經過過濾的準值初級X射線束;熒光方法是利用同一非過濾的初級X射線束激發(fā)不同元素(輻射體)的熒光X射線。圖2和圖3給出過濾X射線和熒光X射線裝置的示意圖。

 過濾X射線示意圖.jpg 

2、過濾X射線刻度裝置示意圖

D1-初級光闌, D2-限束光闌, D3D4-屏蔽光闌, S-快門, F-過 濾器, M-監(jiān)督電離室, A-測半值層用的吸收器, R-標準電離室, I-待刻度儀表的電離室。

                                 K熒光示意圖.jpg

3、K熒光X射線刻度裝置示意圖

經過濾和熒光輻射的刻度源,可以通過快門隨意接通或斷開,對于給定能譜的輻射可以通過調節(jié)電流或改變距離來控制其照射量率。其缺點是射束輸出量的穩(wěn)定性較差,源或激發(fā)電壓、電流、管發(fā)熱(或老化)的微小變化,都可能顯著改變輸出量或輻射譜。為了保持X射線機工作所要求的電壓,應有專設的測高壓設備,而不能崐只依靠測量變壓器的初級電壓;電流控制和測量也應考慮,隨著X射線管的老化,要定期檢查其性能,如焦外輻射,有效初始過濾等。

1.2.2  γ刻度源  用于劑量刻度的輻射源見表3。

國際標準化組織推薦的輻射源

核   素

輻射能量

(KeV)

半衰期

a

照射量率常數*

C.kg-1.h-1.m2.Bq-1

(R.m2.h-1.Ci-1)

60Co

1173.3

1332.5

5.272

0.913×10-14

1.31

137Cs

661.6

30.1

0.234×10-14

0.336

241Am

59.54

433

0.906×10-16

0.013

照射量率常數只適用于未加屏蔽的點源。


輻射源可以使用準直或非準直的幾何條件。ISO 4037標準推薦的照射室和準直器的結構見圖4。

 照射室準直器示意圖.jpg

4、照射室、準直器裝置示意圖

A. 屏蔽層  B. 準直器  C. 射線束截面  D. 輻射源

標準射線束截面必須大于被照射的探測器;距離d1必須大于或等于30cm;距離d2必須足夠大,使得在不同的照射距離下,與源包殼無關的散射貢獻不超過總照射量率的5%

輻射源的標定,**以某一特定距離上的照射量率表示,并需對其衰變進行修正。在給定的刻度條件下,源產生的輻射場應符合反平方定律。因為當源或探測器的幾何尺寸與源至探測器的距離屬同一數量級,或者刻度場所與刻度支架的散射輻射及輻射在空氣中的減弱很大時,輻射場將不符合反平方定率。

2  刻度儀器

按照輻射種類的不同,計量儀器有測量X射線的自由空氣電離室,測量γ射線的空腔電離室,測量β射線的外推電離室等(4)。

輻射劑量標準測量儀

 

輻射類型

能量范圍

準確度

測量的量

倫琴計

X和γ射線

301300keV

±2%

照   射 量

自由空氣電離室

X射線

100keV

±5%

照   射 量

外推電離室

β射線

50keV3MeV

±2%

吸收劑量

精密長計數器

  

0.5eV16MeV

±5%

   

活化金箔

  

  

±2%

   

 

為了減少刻度時的散射輻射,刻度機械裝置應采用低原子序數的材料。

3  刻度方法

根據探測器的能量響應確定輻射源,對能響依賴性小的探測器,可在不同類型的輻射場中刻度。對某些能量響應大的劑量計,則要求刻度輻射場與實測輻射場的能譜盡可能接近,劑量率和累積劑量的范圍也應相仿。對混合輻射場中使用的劑量計應該對混合場中各輻射組分分別刻度,例如,用于n-γ混合場的γ劑量計,首先應刻度其γ響應,這就要求用一個與混合場中γ組分的能譜類似的γ輻射場刻度,然后還要用一能譜類似的已知中子場,或用一個已知成分的n-γ混合場來刻度劑量計。

下面介紹幾種刻度劑量計的方法。

劑量計刻度通常采用曲線、單點劑量和自身刻度法。探測器刻度方法的選擇可根據具體情況而定。曲線刻度法所用探測器較多,一般要多個點(每點3-5個探測器)。如留不出這么多探測器,則可采用單點劑量刻度法,此方法要求刻度劑量范圍在探測器的劑量線性范圍內。如無刻度探測器,則可采用自身刻度法對探測器進行刻度。一般多采用曲線刻度法。在實際操作時,除留刻度用探測器外,還要留出本底探測器??潭忍綔y器和本底探測器的靈敏度應和實驗探測器的一致,即為同一組探測器。

3.1   刻度曲線法(探測器的發(fā)光值與輻照劑量的關系在劑量范圍較大或在探測器的非線性區(qū)(亞線性和超線性)使用的情況下,應采用此方法刻度劑量計,根據劑量計的使用劑量確定刻度曲線的輻照劑量范圍。舉例說明如下。

取一組探測器做為刻度探測器,探測器的劑量范圍為 1×(10-510-2) Gy,將探測器分為6組分別照射不同劑量,測后將結果做在座標紙上(5)。

用Z小二乘法處理得出公式:

式中X為待求劑量值,Y為探測器的讀數值。佩帶劑量計受照劑量可通過其讀數值直接從刻度曲線上查出,也可以用公式求出。

 鎂鈦探測器劑量響應曲線.jpg

5、LiF: Mg,Ti探測器劑量響應曲線

 

3.2   單點劑量刻度法  單點劑量刻度法的具體操作為,將探測器照射一劑量(該劑量可根據佩帶劑量計受照劑量的估計值確定,如劑量范圍較大則可取一平均值),測后用下式對佩帶劑量計進行刻度。

DN2/(N1/D1)             (2)

式中:

D: 佩帶劑量計受照劑量;

D1:刻度探測器受照劑量;

N1:刻度探測器讀出值(平均值);

N2:佩帶劑量計的讀出值(平均值)

上式可改寫為:

clip_image006.gif clip_image008.gif

使用此法刻度劑量計要求準確的刻度劑量(D1),否則將給測量結果帶來較大統(tǒng)誤差。

3.3 自身刻度法  在實際工作中可能會碰到只有佩帶劑量計而沒有刻度探測器的情況,在這種情況下可采用探測器自身刻度。其具體作法是:將佩帶劑量計的探測器測后退火,做為刻度探測器,根據具體情況采用上述二種方法來刻度劑量計。采用此法刻度劑量計時,要嚴格控制探測器的退火條件。該方法的誤差來源于探測器的重復使用性能。

AA(1).jpg


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