前言
量子密鑰分發(fā)(QKD)通過雙方交換安全密鑰,可以提高理論上的信息安全性。然而,QKD系統(tǒng)仍然需要滿足穩(wěn)定性、小型化和低成本的要求,才能實現(xiàn)更廣泛的應(yīng)用。硅光技術(shù)的迅速發(fā)展將為量子通信提供很好的研究平臺。一些研究證明,基于硅光技術(shù)的QKD在現(xiàn)實條件下是可行的。因此,基于芯片的通信系統(tǒng)將會被越來越多的研究與應(yīng)用。
本文以“Chip-Based Quantum Key Distribution against Trojan-Horse Attack”為基礎(chǔ),詳細(xì)描述了量子通信中的信息安全能力以及光頻域反射技術(shù)如何應(yīng)用到硅光發(fā)射芯片中的測量。
文章主要討論了外部信息源對QKD系統(tǒng)的竊聽攻擊(Trojan-horse attack”,THA)。通過對大量文獻(xiàn)的分析,QKD系統(tǒng)對THA的抵抗能力主要體現(xiàn)在強(qiáng)度調(diào)制器和相位調(diào)制器的反射能力上。即光通過相關(guān)器件后,其反射率越強(qiáng),則反射光子能力越強(qiáng),則外部源更容易檢測到反射回光子,并通過相關(guān)光子解碼系統(tǒng)的相關(guān)信息,那么,系統(tǒng)的安全性就越弱,反之則越強(qiáng)。這個結(jié)論對OFDR技術(shù)應(yīng)用到量子通信上提供了理論基礎(chǔ)。另外,文章關(guān)于量子力學(xué)理論方面的介紹這里不多闡述。
硅芯片的表證
文章研究了一個集成了偏振調(diào)制器和強(qiáng)度調(diào)制器的硅發(fā)射機(jī)芯片,這是外接源THA竊聽基于芯片的QKD系統(tǒng)的主要目標(biāo)。硅光發(fā)射芯片的結(jié)構(gòu)圖如圖(a)所示:
它由四個主要組件組成:一維光柵耦合器、可變光衰減器、強(qiáng)度調(diào)制器和偏振調(diào)制器(在這里討論THA方案對QKD系統(tǒng)的影響時,偏振調(diào)制器與相位調(diào)制器是等價的)。強(qiáng)度調(diào)制器是基于M-Z結(jié)構(gòu)的干涉儀,兩條臂分光比為50:50;相位由熱光學(xué)調(diào)制器和載波損耗調(diào)制器調(diào)制,調(diào)制帶寬分別約為kHz和GHz級別。利用pin管結(jié)構(gòu)實現(xiàn)三個可變光衰減器,每個衰減率約為-33dB,用來將激光脈沖衰減到單光子級。偏振調(diào)制器由M-Z干涉儀和二維光柵耦合器組成。將M-Z干涉儀的兩條臂與二維光柵耦合器相結(jié)合,可以將路徑編碼的信息轉(zhuǎn)換為極化編碼的信息。此外,硅芯片中的三個MPD用來檢測光的功率。圖中,POL為偏振調(diào)制器、TOM為熱光調(diào)制器、CDM為載波調(diào)制器。整個芯片使用OCI1500 OFDR設(shè)備進(jìn)行光頻域的分布式反射測量。設(shè)備從ch3入口(2D grating)接入,整個芯片內(nèi)部所有事件點反射率結(jié)果均同時呈現(xiàn)在一幅圖中。從圖(b)中測量結(jié)果可以看出,芯片內(nèi)部每一個節(jié)點的反射率,均清晰的呈現(xiàn)出來,可泄露的偏振調(diào)制器和強(qiáng)度調(diào)制器的平均反射率分別為?64.45±0.02和?86.1±0.3dB。
測試結(jié)果與結(jié)論
為了尋找相應(yīng)反射峰對應(yīng)的具體某個單元反射(泄露)的信號,對強(qiáng)度調(diào)制器施加不同的調(diào)制電壓,得到如下圖所示的結(jié)果:
在施加0.5v電壓時,反射峰位置大約在31mm處,反射率-100dB(圖a);在施加1v電壓時,反射峰大約在26mm處,且反射率變?yōu)?90dB(圖b)。
同時還分別對硅芯片的信號通道和同步通道中的可變光衰減器進(jìn)行調(diào)制,以確定其他反射峰的位置,結(jié)果如下圖所示,為了清楚地看到這個變化,將2v直流電信號應(yīng)用于可變光衰減器(約18dB的衰減)。
為了驗證硅光芯片系統(tǒng)的安全性能,文章還用OFDR設(shè)備對光纖耦合的鈮酸理強(qiáng)度調(diào)制器進(jìn)行測量,并比較芯片、光纖耦合兩種形式下的結(jié)果差異。兩種形式調(diào)制器的測量結(jié)果如下圖:
圖中,紅線框中為整個內(nèi)部反射峰信息,而黑色框中為可泄露的強(qiáng)度調(diào)制器信息。從圖中可以看出,硅芯片中泄漏強(qiáng)度信息的反射峰的反射率明顯低于鈮酸鋰強(qiáng)度調(diào)制器,約14.08dB(芯片為-86.1dB,光纖耦合鈮酸鋰為-72.02dB)。此外,由于芯片的尺寸較小,硅芯片內(nèi)部的反射峰之間的間隔要小得多。在鈮酸鋰調(diào)制器中,泄露信息位置與非泄露信息反射峰的距離約71mm。而對于硅芯片,這個距離為2.69mm。因此,外部竊聽源需要更窄的時域脈沖寬度和更高測量分辨率的激光來區(qū)分泄漏信息的脈沖和不泄漏信息的脈沖。所以,硅光芯片抵抗木馬攻擊的能力要更強(qiáng),即信息安全性更高。
總結(jié)
文章通過光頻域反射(OFDR)技術(shù)測量了小尺寸硅光芯片內(nèi)部各個事件點的反射情況,評估了基于硅光的量子密鑰分發(fā)(QKD)系統(tǒng)對抗時間黑客攻擊(THA)的信息安全能力。研究結(jié)果表明,硅發(fā)射機(jī)芯片在面對THA時具有低反射率和短反射峰時間間隔的優(yōu)勢。具體來說,較低的反射率使得竊聽者更難以獲取被反射的木馬光子;而較短的反射峰時間間隔則提高了對竊聽者時域測量精度的要求。
在相關(guān)文獻(xiàn)中,研究人員通常采用時域相關(guān)的光子探測技術(shù)進(jìn)行類似測量。然而,對于本文中所使用的4.8x3mm2的小型硅光芯片,由于其尺寸極小,時域技術(shù)的距離分辨率不足,無法達(dá)到所需的高精度要求。相比之下,使用頻域解調(diào)技術(shù)能夠提供足夠的距離分辨率,以滿足精確測量的需求。
隨著硅光技術(shù)和量子通信技術(shù)的不斷進(jìn)步,預(yù)計未來將更加廣泛地應(yīng)用OFDR設(shè)備來測量芯片級別的器件,從而進(jìn)一步提升信息安全水平。
參考文獻(xiàn):Chip-Based Quantum Key Distribution against Trojan-Horse Attack;Hao Tan、Wei Li;PHYSICAL REVIEW APPLIED 15, 064038 (2021)
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OCI1500是一款超高精度光學(xué)鏈路診斷儀,原理基于光頻域反射(OFDR)技術(shù),單次測量可實現(xiàn)從器件到鏈路的全范圍診斷??奢p松查找并判別光纖鏈路中的宏彎、連接點和斷點,并精確測量回?fù)p、插損和光譜等參數(shù),其事件點定位精度高達(dá)0.1mm。它不僅可用于光學(xué)鏈路診斷,還可拓展分布式光纖傳感功能,實現(xiàn)應(yīng)變和溫度高分辨測量。
產(chǎn)品特點:
? 波長范圍:C+L波段:1525~1625nm 或 O波段:1265~1340nm
? 空間分辨率:10μm@50m、20μm@100m
? 測量長度:100m(可定制升級)
? 自校準(zhǔn),無需人為干預(yù),穩(wěn)定性好
? 可擴(kuò)展分布式溫度、應(yīng)變測量
? 可提供定制服務(wù)
主要應(yīng)用:
? 光器件、光模塊測量
? 光纖長度精確測量
? 硅光芯片測量
? 光譜、群延時測量
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