在精密科學(xué)與工業(yè)生產(chǎn)的廣闊領(lǐng)域中,對材料微觀結(jié)構(gòu)的洞察能力至關(guān)重要。捷克泰思肯(TESCAN)公司推出的 MIRA 系列場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FEG-SEM),憑借其的成像質(zhì)量、靈活的配置以及對復(fù)雜樣品的高效處理能力,已成為實驗室、科研機構(gòu)、檢測中心以及工業(yè)界人士的得力助手。本文將深入探討 MIRA 系列的獨特優(yōu)勢,并結(jié)合具體數(shù)據(jù),為專業(yè)用戶提供參考。
MIRA 系列 FEG-SEM 的核心競爭力在于其集成的先進技術(shù),這些技術(shù)共同作用,為用戶提供了前所未有的微觀觀察和分析體驗。
MIRA 系列標(biāo)配高性能場發(fā)射電子槍,其關(guān)鍵參數(shù)如下:
TESCAN MIRA 采用其獨有的“通用掃描器”(Universal Stage)以及優(yōu)化的透鏡設(shè)計,確保了高效的樣品分析。
在低加速電壓(如 0.5 kV - 1 kV)下,電子束與樣品的相互作用體積顯著減小,這使得 MIRA 能夠在極低的能量下獲得極高的表面分辨率,同時大程度地減少樣品損傷,這對電子束敏感的材料(如聚合物、生物樣品)尤為重要。
為了更直觀地展示 MIRA 系列的實力,以下列舉了一些關(guān)鍵性能指標(biāo)(數(shù)據(jù)為典型值,實際表現(xiàn)可能因具體配置和樣品而異):
| 關(guān)鍵性能指標(biāo) | 數(shù)據(jù)范圍 / 具體數(shù)值 | 應(yīng)用意義 |
|---|---|---|
| 最高分辨率(二次電子) | 0.8 nm @ 15 kV | 能夠清晰觀察納米線、量子點、薄膜缺陷等微觀結(jié)構(gòu)。 |
| 最小束斑尺寸 | 1.0 nm @ 15 kV | 確保在微小區(qū)域內(nèi)實現(xiàn)高分辨率成像和高精度分析,提升探測效率。 |
| 能量范圍 | 0.5 kV - 30 kV | 滿足不同樣品特性的觀測需求,低電壓觀察表面細(xì)節(jié),高電壓穿透分析。 |
| 放大倍率 | 8x - 1,000,000x | 提供從宏觀到超微觀的連續(xù)放大范圍,滿足多樣化的觀察需求。 |
| EDS空間分辨率 | 10 nm(配合高性能探測器) | 可以在納米尺度上進行元素成分的精確定位分析,對微納器件、合金相分析等至關(guān)重要。 |
| 樣品室體積 | 約 300mm (直徑) x 170mm (高度) (典型值) | 支持放置較大或形狀不規(guī)則的樣品,方便樣品制備和多點分析。 |
| 真空系統(tǒng) | 雙渦輪分子泵 + 機械泵 / 極速真空系統(tǒng) (可選) | 快速達到工作真空度(<10?? Pa),縮短實驗準(zhǔn)備時間,并確保樣品在穩(wěn)定環(huán)境下進行分析。 |
TESCAN MIRA 系列 FEG-SEM 的出色性能使其在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,包括:
捷克泰思肯 TESCAN MIRA 系列場發(fā)射掃描電子顯微鏡,憑借其高性能的場發(fā)射電子槍、精密的電子光學(xué)系統(tǒng)、豐富的探測器配置以及的低加速電壓成像能力,已成為解決復(fù)雜微觀分析挑戰(zhàn)的強大工具。其穩(wěn)定可靠的性能、靈活多樣的配置選項以及日益精進的技術(shù)集成,使其能夠滿足從基礎(chǔ)研究到工業(yè)應(yīng)用等各個層面的高精度分析需求。對于追求微觀洞察力的專業(yè)人士而言,TESCAN MIRA 無疑是一個值得深入了解和選擇的平臺。
全部評論(0條)
捷克泰思肯 TESCAN MIRA 場發(fā)射掃描電鏡
報價:面議 已咨詢 7072次
捷克泰思肯 TESCAN VEGA 鎢燈絲掃描電鏡
報價:面議 已咨詢 5517次
TESCAN CLARA 超高分辨場發(fā)射掃描電鏡
報價:面議 已咨詢 4908次
TESCAN 四維 X 射線 CT 顯微鏡
報價:面議 已咨詢 4829次
TESCAN 集成礦物分析儀系統(tǒng)
報價:面議 已咨詢 4752次
TESCAN 多分辨率 3D X射線CT顯微成像系統(tǒng)
報價:面議 已咨詢 4805次
捷克泰思肯 TESCAN AMBER X 高分辨氙離子源雙束掃描電鏡
報價:面議 已咨詢 4906次
TESCAN 電鏡質(zhì)譜 FIB-SEM-TOF-SIMS 聯(lián)用系統(tǒng)
報價:面議 已咨詢 5003次
①本文由儀器網(wǎng)入駐的作者或注冊的會員撰寫并發(fā)布,觀點僅代表作者本人,不代表儀器網(wǎng)立場。若內(nèi)容侵犯到您的合法權(quán)益,請及時告訴,我們立即通知作者,并馬上刪除。
②凡本網(wǎng)注明"來源:儀器網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于儀器網(wǎng),轉(zhuǎn)載時須經(jīng)本網(wǎng)同意,并請注明儀器網(wǎng)(m.sdczts.cn)。
③本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明來源的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
④若本站內(nèi)容侵犯到您的合法權(quán)益,請及時告訴,我們馬上修改或刪除。郵箱:hezou_yiqi
參與評論
登錄后參與評論