隨著科技的發(fā)展,現(xiàn)有半導(dǎo)體材料已經(jīng)經(jīng)過了三個(gè)發(fā)展階段,第三代半導(dǎo)體展現(xiàn)出了高壓、高頻、高速、低阻的優(yōu)點(diǎn),其擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可高到 1200-1700V。這些特點(diǎn)帶來如下新特性:
◆ 極低的內(nèi)部電阻,與同類硅器件相比,效率可提高70%;
◆ 低電阻可改善熱性能(最高工作溫度增加了)和散熱,并可獲得更高的功率密度;
◆ 散熱得到優(yōu)化,與硅器件相比,就可采用更簡單的封裝、尺寸和重量也大大減少;
◆ 極短的關(guān)斷時(shí)間(GaN器件接近于零),能工作于很高的開關(guān)頻率,工作溫度也更低。
這些特性,在功率器件尤其是MOSFET以及IGBT上面的應(yīng)用最為廣泛。
因此,在第三代半導(dǎo)體高速發(fā)展的同時(shí),測量技術(shù)也面臨全面升級,特別是高電壓、大電流、高頻率測試,以及電容特性(CV)特性。
現(xiàn)今,市場上功率器件CV特性測試儀器,普遍存在下列痛點(diǎn):
1
進(jìn)口設(shè)備
進(jìn)口設(shè)備功能全、一體化集成度高、測試準(zhǔn)確,但是有如下缺點(diǎn):
a) 價(jià)格昂貴,動則幾十萬甚至上百萬的價(jià)格,一般企業(yè)很難承受。
b) 操作繁瑣,集成了太多功能加上大多英文化的操作界面,對于用戶操作并不友好。
c) 測試效率低,一臺設(shè)備可能完成動態(tài)特性、靜態(tài)特性的全部測試,但是接線負(fù)責(zé)、操作難度大,測試結(jié)果用時(shí)較長,測試效率無法保障。
2
國產(chǎn)設(shè)備
在進(jìn)口設(shè)備無法滿足用戶測試需求的情況下,國產(chǎn)設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生,以相對功能單一、操作方便、價(jià)格低廉快速占領(lǐng)了一部分市場,但是,這些設(shè)備同樣也有如下缺點(diǎn):
a) 體積龐大,大多數(shù)國產(chǎn)設(shè)備,由于沒有專業(yè)的電容測試經(jīng)驗(yàn),通常是用幾臺電源、一臺LCR、工控機(jī)或者PLC、機(jī)箱、測試工裝等組合而成,因此體積過大,無法適用于自動化產(chǎn)線快速生產(chǎn)。
b)漏源電壓VDS過低,大多最高只能達(dá)到1200V左右,已無法滿足第三代半導(dǎo)體功率器件測試需求。
c) 測量精度低,由于缺乏專業(yè)電容測量經(jīng)驗(yàn),加上過多的轉(zhuǎn)接,導(dǎo)致電容特別是pF級別的小電容無法達(dá)到合適的測量精度。
d)測試效率低,同樣由于組合儀器過多,加上需用工控機(jī)或PLC控制過多儀器,導(dǎo)致測試單個(gè)器件時(shí)間過長。
e)擴(kuò)展性差,由于設(shè)備過多,各種儀器不同的編程協(xié)議,很難開放第三方接入以集成至客戶產(chǎn)線自動化測試整體方案中。
針對這些痛點(diǎn)同惠推出了針對半導(dǎo)體功率器件CV特性的解決方案。
TH510系列半導(dǎo)體半導(dǎo)體C-V特性分析儀,標(biāo)配2通道,可擴(kuò)展至6通道,適合多個(gè)單管器件或模組器件測試,提供RS232C、USB、LAN接口,SCPI協(xié)議,支持HANDLER接口交互,可方便集成與自動化產(chǎn)線或功率電子測試系統(tǒng)。
以上內(nèi)容由為您分享,如果您在選型/測試過程中有什么問題,咨詢網(wǎng)www..com.cn。
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