- 2025-01-10 10:53:05美國Anric原子層沉積
- 美國Anric原子層沉積（ALD）是一種高精度、高均勻性的薄膜沉積技術(shù)。它通過在基底表面交替吸附反應前驅(qū)體并去除未反應物質(zhì)，實現(xiàn)納米級厚度的薄膜逐層沉積。Anric的ALD技術(shù)具有出色的厚度控制能力和材料多樣性，廣泛應用于半導體、微電子、光學、催化及能源等領(lǐng)域。其設(shè)備性能穩(wěn)定，沉積速率均勻，是實現(xiàn)高性能薄膜材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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