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2025-01-21 09:33:05無(wú)氨水: 無(wú)氨水是一種在實(shí)驗(yàn)室中常用的特殊水質(zhì)，其主要特點(diǎn)是幾乎不含氨氮成分。這種水質(zhì)通常通過(guò)蒸餾法或其他高級(jí)凈化技術(shù)制備，以確保其高度的純凈度。無(wú)氨水在多種科學(xué)實(shí)驗(yàn)和分析中具有重要作用，特別是在需要避免氨氮干擾的場(chǎng)合，如環(huán)境監(jiān)測(cè)、水質(zhì)分析、化學(xué)合成等領(lǐng)域。由于其低氨氮含量的特性，無(wú)氨水能夠提供更加準(zhǔn)確和可靠的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，是科研人員和實(shí)驗(yàn)室技術(shù)人員不可或缺的實(shí)驗(yàn)材料之一。

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無(wú)氨水問(wèn)答

2021-11-29 11:06:02Tip 10000ul吸嘴無(wú)DNA酶無(wú)RNA酶無(wú)熱源吸頭: Tip 10000ul吸嘴無(wú)DNA酶無(wú)RNA酶無(wú)熱源吸頭，大口本生(天津)健康科技有限公司：http://www.bunsen17.com/ 本生生物供應(yīng)：光度計(jì)，檢測(cè)儀，免疫儀，全系熒光定量PCR耗材，移液器，鉆石吸嘴，離心管，凍存管，培養(yǎng)皿，培養(yǎng)板，培養(yǎng)瓶，吸頭，儀器及手套，色譜耗材，針頭過(guò)濾器。產(chǎn)品名稱：Tip 10000ul吸嘴，無(wú)色，無(wú)DNA酶無(wú)RNA酶無(wú)熱源，袋裝非滅菌，大口產(chǎn)品規(guī)格：100支/包，10包/箱（1000支/箱）CG編號(hào) 產(chǎn)品描述包裝規(guī)格通用型移液器吸嘴，BASIX加長(zhǎng)吸嘴23-2033 Tip 10000ul吸嘴，無(wú)色，無(wú)DNA酶無(wú)RNA酶無(wú)熱源，袋裝非滅菌，大口 100支/包，10包/箱（1000支/箱）Tip 10000ul吸嘴無(wú)DNA酶無(wú)RNA酶無(wú)熱源吸頭適應(yīng)客戶：醫(yī)院檢驗(yàn)科PCR實(shí)驗(yàn)室，實(shí)驗(yàn)室；第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)，科研院所，大專院校，制藥廠，試劑生產(chǎn)廠家，疾控，檢驗(yàn)檢疫。

2022-07-23 13:08:19改用無(wú)目鏡體視顯微鏡的7大理由: 1.更大的頭部活動(dòng)自由度從固定的頭部姿勢(shì)中獲得解放當(dāng)使用傳統(tǒng)的體視顯微鏡時(shí)，使用者必須嚴(yán)格限制頭部的活動(dòng)，否則瞳孔和目鏡之間錯(cuò)位，無(wú)法看清楚放大后的圖像。由無(wú)目鏡光學(xué)技術(shù)擴(kuò)大的出射光瞳，無(wú)目鏡體視顯微鏡令用戶從固定的頭部姿勢(shì)中獲得解放。操作人員可以任意左右移動(dòng)頭部，緩解頭部固定姿勢(shì)所造成的壓力與疲勞，尤其是當(dāng)用戶長(zhǎng)時(shí)間使用顯微鏡時(shí)。 2.保持舒適的身體姿勢(shì) 增強(qiáng)用戶舒適度從而提高產(chǎn)能顯微鏡觀測(cè)工作對(duì)操作者的骨骼提出了苛刻的要求。當(dāng)操作人員感到不適或緊張時(shí)，觀測(cè)準(zhǔn)確性和工作效率都會(huì)受到影響。傳統(tǒng)的顯微鏡操作人員必須保持一個(gè)不自然的、固定的身體姿勢(shì)，以確保他們的眼睛與目鏡保持一致。長(zhǎng)時(shí)間保持一個(gè)固定姿勢(shì)會(huì)導(dǎo)致身體疲勞，并可能導(dǎo)致嚴(yán)重的頸部和背部問(wèn)題，以及其他更多健康問(wèn)題。一項(xiàng)記錄長(zhǎng)期使用顯微鏡影響的研究發(fā)現(xiàn)，78%的傳統(tǒng)顯微鏡操作人員伴有頸部疲勞*。這是由于頭部長(zhǎng)時(shí)間保持傾斜，比如與垂直方向成30度，導(dǎo)致了明顯的肌肉收縮、疲勞和疼痛。 3.操作目標(biāo)物時(shí)不易失焦增強(qiáng)手眼協(xié)調(diào)并易于操作目標(biāo)物在普通顯微鏡下使用工具或操作目標(biāo)物時(shí)，手眼協(xié)調(diào)總是一個(gè)巨大挑戰(zhàn)。當(dāng)使用傳統(tǒng)顯微鏡時(shí)，手眼協(xié)調(diào)有時(shí)很困難，因?yàn)檠劬湍跨R之間的距離很短，限制了周邊視覺。使用無(wú)目鏡顯微鏡系統(tǒng)的操作人員可以坐在離顯微鏡更遠(yuǎn)的地方，允許更大的周邊視覺，因此提高了以更安全、更直觀的方式使用手和操作工具的能力。 4.減少眼部壓力及頭痛減少眼部壓力疲勞94%的顯微鏡使用者據(jù)報(bào)告有視力問(wèn)題或眼部多重問(wèn)題，包括頭痛和眼睛干澀等。有三個(gè)主要原因可以解釋為什么這么多顯微鏡使用者會(huì)有這種不適：數(shù)據(jù)來(lái)源:1. Thompson SK, Mason E, Dukes S，人體工程學(xué)和細(xì)胞技術(shù)學(xué)家：報(bào)告的肌肉骨骼不適。 Diagn Cytopathol.2003;29:364 – 367。 2. Garima Jain and Pushparaja Shetty，與經(jīng)常使用顯微鏡有關(guān)的職業(yè)關(guān)切:《國(guó)際職業(yè)醫(yī)學(xué)與環(huán)境衛(wèi)生雜志》2014;27(4):591-598。 3. Fritzsche et al.; licensee BioMed Central Ltd. 2012。 5.可佩戴眼鏡及護(hù)目鏡視距及其如何影響佩戴眼鏡的操作者眼鏡佩戴者在使用傳統(tǒng)目鏡顯微鏡時(shí)可能會(huì)遇到困難，無(wú)法獲得清晰無(wú)阻的視野。這是因?yàn)槊恐谎劬Χ急仨殞?duì)準(zhǔn)目鏡形成圖像的位置。這個(gè)點(diǎn)被稱為“出射光瞳”，通常直徑在3毫米到5毫米之間，并不比正常光線下的瞳孔直徑大多少。當(dāng)出射光瞳完全覆蓋眼睛瞳孔并毫無(wú)阻礙地保持在該位置時(shí)，才可以獲得清晰的觀察圖像。大多數(shù)顯微鏡用戶需要直接接觸顯微鏡目鏡，以保持正確的觀察位置和保持圖像在視線內(nèi)。戴眼鏡的用戶，當(dāng)他們的眼睛不能足夠接近出射光瞳位置時(shí)，問(wèn)題就出現(xiàn)了。這種情況下，圖像聚焦，但視野受到限制，很難保持出射光瞳覆蓋（或位于）瞳孔直徑。此外，用戶位置的輕微偏移可能導(dǎo)致視野中產(chǎn)生陰影。視距是操作員需要保持的與目鏡之間的距離，以便使出射光瞳與自己的瞳孔對(duì)齊。出射光瞳越小，則為了清晰看到圖像所需要保持的距離越小。需要佩戴眼鏡的操作人員，至少需要18 – 20毫米的視距區(qū)域，以方便佩戴眼鏡。無(wú)目鏡體視顯微鏡擴(kuò)大了出射光瞳直徑，達(dá)38毫米。視距越大，留給佩戴眼鏡或護(hù)目鏡的空間就越大。 6.減少交叉感染將健康和安全作為優(yōu)先事項(xiàng)如今，越來(lái)越多的公司把員工的健康和安全作為優(yōu)先考慮的問(wèn)題。與目鏡顯微鏡相比，無(wú)目鏡顯微鏡具有顯著的健康益處。除了符合人機(jī)工學(xué)的優(yōu)點(diǎn)外，無(wú)目鏡體視顯微鏡在最大限度減少交叉污染方面也有明顯的優(yōu)勢(shì)：使用者的眼睛與儀器設(shè)備沒有接觸，大大降低了共用設(shè)備帶來(lái)的感染風(fēng)險(xiǎn)，佩戴防護(hù)目鏡或面罩也不會(huì)限制使用及操作。適用于多用戶之間共享使用，無(wú)目鏡顯微鏡系統(tǒng)僅需最小的調(diào)整，近乎無(wú)接觸式的操作，確保員工在工作場(chǎng)所的健康安全，而不會(huì)影響觀測(cè)檢查工作進(jìn)程和生產(chǎn)率。由于無(wú)目鏡顯微鏡有更長(zhǎng)的視距，它們可以用于在層流柜中觀測(cè)敏感材料，以防止污染。7.具有成本效益的解決方案考慮真正的擁有成本在考慮體視顯微鏡時(shí)，光學(xué)、放大、照明和人體工程學(xué)等技術(shù)的進(jìn)步最有可能影響決定。其他還需要考慮的是高質(zhì)量顯微鏡帶來(lái)的好處，以及購(gòu)買低質(zhì)量顯微鏡如何影響時(shí)間和成本。質(zhì)量差成本高。一般而言，一個(gè)公司因浪費(fèi)、返工和保修造成的損失平均為10%。如果質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)不提高，制造商的聲譽(yù)就會(huì)受損。當(dāng)由于供應(yīng)鏈材料質(zhì)量不佳而未能在截止日期前完成生產(chǎn)，或由于員工健康狀況而導(dǎo)致生產(chǎn)延誤時(shí)，公司也可能發(fā)生虧損。由于工人必須長(zhǎng)時(shí)間保持眼鏡盯著同一位置，他們經(jīng)常會(huì)感到眼睛疲勞、頭痛和眼睛不適，需要多次休息來(lái)緩解，這占用了工作時(shí)間。無(wú)目鏡顯微鏡提供了一個(gè)理想解決方案，提高用戶的舒適度，這將大大提高產(chǎn)能和生產(chǎn)率。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，一個(gè)不太昂貴的顯微鏡的“真正成本”，可能會(huì)更貴。沒有必要買比所需更多更花哨的東西，然而，重要的是要提前思考，考慮業(yè)務(wù)可能會(huì)如何變化和增長(zhǎng)，以及一些無(wú)形的東西，比如如果不能提供高質(zhì)量產(chǎn)品時(shí)，用于修復(fù)聲譽(yù)的成本。

2023-06-26 14:52:50無(wú)損無(wú)接觸定量評(píng)價(jià)！GaN晶體質(zhì)量評(píng)估新思路——ODPL法！: 隨著疫情三年的結(jié)束，大家又開始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng)，生活的壓力讓人喘不過(guò)氣。更別提出行的時(shí)候，還需要背一個(gè)很沉的電腦，以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器！有沒有一種東西，能夠讓大家的出行變得更加輕松（物理上）？那必須是現(xiàn)在越來(lái)越流行的氮化鎵（GaN）充電器了！一個(gè)氮化鎵充電器幾乎可以滿足所有出行充電的需求，并且占地空間小，簡(jiǎn)直是出行神器！圖1 氮化鎵（GaN）充電器氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度和高電子飽和速度等特點(diǎn)，其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗，大大提升電力器件集成度，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)和散熱支持，具有重要的價(jià)值和廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)在最火熱的第三代半導(dǎo)體材料，沒有之一。GaN的應(yīng)用不止在流行的充電器上，早在2014年日本科學(xué)家天野浩就憑借基于GaN材料的藍(lán)光LED獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。不過(guò)GaN就沒有缺點(diǎn)了嗎？或者說(shuō)GaN沒有改善的地方了嗎？并不是， GaN技術(shù)的難點(diǎn)在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無(wú)法從自然界中直接獲取，所以GaN的主要制備方法是在藍(lán)寶石、碳化硅、硅等異質(zhì)襯底上進(jìn)行外延。而現(xiàn)在由異質(zhì)外延生長(zhǎng)的GaN普遍存在大量缺陷的問(wèn)題。缺陷的存在勢(shì)必會(huì)影響到晶體的質(zhì)量，從而影響到材料和器件的電學(xué)性能，最終影響到未來(lái)半導(dǎo)體科技的快速發(fā)展。因此，降低GaN晶體里面的缺陷量，提高晶體質(zhì)量，是當(dāng)前第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研究很重要的一個(gè)課題。GaN晶體質(zhì)量/缺陷評(píng)估的方法GaN晶體里面的雜質(zhì)、缺陷是非常錯(cuò)綜復(fù)雜的，無(wú)法單純通過(guò)某一項(xiàng)缺陷濃度或者雜質(zhì)含量來(lái)定量描述GaN晶體是否是高質(zhì)量，因此現(xiàn)在評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的手段比較有限。根據(jù)現(xiàn)有的報(bào)道，大致有以下幾種：多光子激發(fā)光致發(fā)光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，簡(jiǎn)稱MPPL）、蝕坑觀察法（Etch pit method）以及二次離子質(zhì)譜（Secondary-ion mass spectrometry，簡(jiǎn)稱SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長(zhǎng)波長(zhǎng)激發(fā)，遠(yuǎn)大于帶邊熒光波長(zhǎng)。激發(fā)過(guò)程需要同時(shí)吸收二個(gè)或者多個(gè)光子。通過(guò)吸收多個(gè)脈沖光子，在導(dǎo)帶和價(jià)帶形成電子空穴對(duì)，隨后非輻射馳豫到導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂,最后產(chǎn)生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過(guò)濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強(qiáng)，改變?nèi)肷涔獍叩奈恢?，從而得到樣品的熒光信?hào)三維分布，即三維成像。多光子熒光三維成像技術(shù)可以識(shí)別和區(qū)分不同類型的位錯(cuò)，但是無(wú)法定量評(píng)估GaN的晶體質(zhì)量，而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價(jià)高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻(xiàn)：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過(guò)適當(dāng)?shù)那治g可以看到位錯(cuò)的表面露頭，產(chǎn)生比較深的腐蝕坑，借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯(cuò)多少及其分布。該方法只適合于位錯(cuò)密度低的晶體，如果位錯(cuò)密度高，蝕坑互相重疊，就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對(duì)晶體有損傷的，做不到無(wú)損無(wú)接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術(shù)SIMS是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結(jié)構(gòu)的信息。二次離子質(zhì)譜儀具有ppm量級(jí)的靈敏度，最高甚至達(dá)到ppb的量級(jí)，還具有進(jìn)行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對(duì)晶體有損傷，無(wú)法做到無(wú)損。圖4 SIMS技術(shù)以上三種技術(shù)均是評(píng)估GaN晶體缺陷的方法，但是每一種都有其缺憾的地方，它們無(wú)法做到定量的去評(píng)價(jià)GaN晶體的質(zhì)量，而且具有破壞性。為了更好地定量評(píng)估GaN晶體質(zhì)量，濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)（Omnidirectional Photoluminescence，以下簡(jiǎn)稱ODPL），該系統(tǒng)是第一個(gè)無(wú)損無(wú)接觸定量去評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首個(gè)無(wú)接觸無(wú)損評(píng)價(jià)半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的方法，通過(guò)積分球法測(cè)量半導(dǎo)體材料、鈣鈦礦材料的內(nèi)量子效率。該產(chǎn)品可以直接測(cè)量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測(cè)量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測(cè)量指的是晶體的PLQY，即光致發(fā)光量子效率，其定義為：PLQY = 樣品發(fā)射的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最常見的參數(shù)之一，對(duì)于絕大多數(shù)的發(fā)光材料，PLQY都是黃金標(biāo)準(zhǔn)。但是對(duì)于GaN晶體，PLQY的表征顯得不足。上圖可見，GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀，這是由于GaN晶體中的缺陷等，會(huì)將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射（光子回收Photon Recycling現(xiàn)象）。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因?yàn)榇嬖赑hoton Recycling的現(xiàn)象，GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉(zhuǎn)化效率，而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉(zhuǎn)化效率的定義是其真正的內(nèi)量子效率：IQE = 樣品產(chǎn)生的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖8 GaN樣品的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現(xiàn)象以后的參數(shù)，更能直觀、定量反映GaN晶體的質(zhì)量。圖9 高IQE和低IQE晶體的對(duì)比高IQE的GaN晶體通常表現(xiàn)為：高載流子濃度、低穿透位錯(cuò)密度、低雜質(zhì)濃度、低點(diǎn)缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯(cuò)密度晶體的IQE結(jié)果對(duì)比免費(fèi)樣機(jī)預(yù)約ODPL現(xiàn)在ODPL樣機(jī)開放免費(fèi)預(yù)約試用活動(dòng)，有意向的客戶請(qǐng)?jiān)谠u(píng)論區(qū)留言“樣機(jī)試用”小編看到之后會(huì)第一時(shí)間與您聯(lián)系，樣機(jī)數(shù)量有限，先到先得喲~圖11 ODPL樣機(jī)展示以上有關(guān)新品的信息已經(jīng)全部介紹完畢了，如有任何疑問(wèn)，歡迎在評(píng)論區(qū)留言喲。