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掃描探針顯微鏡的應(yīng)用

更新時間:2025-10-22 05:24:49 類型: 閱讀量:1751
導(dǎo)讀:掃描探針顯微鏡是基于探針在被測試樣表面上進行縱、橫向掃描引起相關(guān)檢測量變化的原理研制的設(shè)備。已滲入微電子技術(shù)、生物技術(shù)、基因工程、生命科學(xué)、材料科學(xué)、表面技術(shù)、信息技術(shù)和納米技術(shù)等各種尖端科學(xué)領(lǐng)域。

  掃描探針顯微鏡是基于探針在被測試樣表面上進行縱、橫向掃描引起相關(guān)檢測量變化的原理研制的設(shè)備。已滲入微電子技術(shù)、生物技術(shù)、基因工程、生命科學(xué)、材料科學(xué)、表面技術(shù)、信息技術(shù)和納米技術(shù)等各種科學(xué)領(lǐng)域。

掃描探針顯微鏡的應(yīng)用領(lǐng)域

  掃描探針顯微鏡用于單原子操縱:

  1959年美國物理學(xué)會年會上,諾貝爾物理獎獲得者Richard說:“如果我們能夠按自己的意愿排列原子,將會出現(xiàn)何物?這些物質(zhì)的性質(zhì)如何?雖然這個問題我們現(xiàn)在不能回答,但我決不懷疑我們能在如此小的尺寸上操縱原子?!蹦壳?,Richard的設(shè)想可以實現(xiàn)了。

掃描探針顯微鏡的應(yīng)用領(lǐng)域.jpg

  使用掃描隧道顯微鏡進行單原子操縱的較普遍的方法,是在針尖和試樣面之間施加偏置電壓。由于針尖同試樣面之間的距離很小,因此,在偏置電壓作用下,針尖和試樣面之間將產(chǎn)生強大電場(109~1010V/m)。試樣面上的吸附電子在強電場作用下,經(jīng)過蒸發(fā)被移動或提取,在試樣面上留下空穴,從而實現(xiàn)單原子的移動和操縱。同樣,吸附在針尖上的原子也有可能在強電場作用下,經(jīng)過蒸發(fā)而沉積到試樣面上,完成單原子的放置。

  利用原子力顯微鏡進行單原子操縱還處于研究階段。通過控制針尖同試樣面之間的距離,利用針尖和試樣面原子之間不同的原子間力,實現(xiàn)原子操縱。目前,利用掃描探針顯微鏡實現(xiàn)原子操縱是掃描探針顯微鏡研究的又一新熱點,并因此帶動相關(guān)學(xué)科產(chǎn)生新一輪革命?!罢怯捎趻呙杼结橈@微鏡的精確性和準確性,顯然對傳統(tǒng)微電子工藝形成了沖擊和震動”。

  掃描探針顯微鏡用于生物技術(shù)和生命科學(xué):

  掃描探針顯微鏡在生物技術(shù)和生命科學(xué)中,也具有廣闊的應(yīng)用前景。

  目前掃描探針顯微鏡在生物技術(shù)中的主要應(yīng)用有:基因分析、染色體和細胞膜分析,蛋白質(zhì)和核酸聚合分析,新物種產(chǎn)生等領(lǐng)域。

  掃描探針顯微鏡用于信息技術(shù):

  掃描探針顯微鏡是IBM公司的科學(xué)家發(fā)明的,它在信息技術(shù)的應(yīng)用,一直是人們關(guān)注的,隨著科技的進步,對芯片的計算功能和存儲功能的要求越來越高,如何提高芯片的性能是信息技術(shù)追求的目標,掃描探針顯微鏡的產(chǎn)生可謂是信息技術(shù)發(fā)展的一項催化劑,必然會帶動信息產(chǎn)業(yè)更大的發(fā)展。以納米電子加工為例,掃描探針顯微鏡技術(shù)可以加工更小尺寸的器件,器件的工作頻率也更快,能耗也更低。如果在1cm2Si表面用原子存儲信息,可存儲1015bit的信息,是目前所用的1.44Mb的7億倍。

  目前掃描探針顯微鏡技術(shù)主要應(yīng)用于微電子技術(shù)、生物技術(shù)、基因工程、生命科學(xué)、表面技術(shù)、信息技術(shù)和納米技術(shù)等各種科學(xué)領(lǐng)域。隨著納米器件的發(fā)展和掃描隧道顯微鏡理論的不斷完善,人類將可以用特定的原子制造特殊功能的產(chǎn)品。

掃描探針顯微鏡的發(fā)展方向

 ?、偬结樶樇獾墓に囇芯?。探針針尖的工藝對掃描探針顯微鏡分辨率至關(guān)重要,如何提高針尖尖度、延長探針使用壽命將成為掃描探針顯微鏡長期研究的問題。

 ?、趯τ趻呙杷淼里@微鏡,偏置電壓的控制,也是研究的關(guān)鍵。電壓過高,電場強度增大,有利于原子遷移;然而場強過大,在針尖和試樣面之間會產(chǎn)生復(fù)雜化學(xué)反應(yīng),導(dǎo)致原子操縱過程變得復(fù)雜。

掃描探針顯微鏡的發(fā)展方向.jpg

 ?、劢佑|面處的接觸距離,是掃描探針顯微鏡中Z關(guān)鍵的因素。合理的接觸距離,既有利于延長針尖的使用壽命,又有利于提高掃描探針顯微鏡的分辨率。而接觸距離在原子操縱中,將起著決定性作用。

  電場的強弱和原子間力的大小同接觸距離有密切的關(guān)系,尤其是原子力顯微鏡,研究發(fā)現(xiàn),當接觸距離達到某個值時,接觸面處的原子會發(fā)生“突跳”,“突跳”對原子操縱影響很大。

  我國已將掃描探針顯微鏡列為急需突破的納米科技發(fā)展的共性關(guān)鍵技術(shù)。相信在不久的將來,掃描探針顯微鏡將在更廣闊的領(lǐng)域得到發(fā)展。


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