閃爍探測(cè)器是一種由閃爍晶體和光探測(cè)器(一般是光電倍增管)組成的用于探測(cè)α、β、γ、X射線及中子的裝置。是目前應(yīng)用Z多、Z廣泛的電離輻射探測(cè)器之一。

閃爍探測(cè)器探測(cè)原理

　　閃爍探測(cè)器由閃爍體，光電倍增管，電源和放大器，分析器，定標(biāo)器系統(tǒng)組成，現(xiàn)代閃爍探測(cè)器往往配備有計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)處理測(cè)量結(jié)果。

　　當(dāng)射線通過(guò)閃爍體時(shí)，閃爍體被射線電離、激發(fā)，并發(fā)出一定波長(zhǎng)的光，這些光子射到光電倍增管的光陰極上發(fā)生光電效應(yīng)而釋放出電子，電子流經(jīng)電倍增管多級(jí)陰極線路逐級(jí)放大后或?yàn)殡娒}沖，輸入電子線路部分，而后由定標(biāo)器記錄下來(lái)。光陰極產(chǎn)生的電子數(shù)量與照射到它上面的光子數(shù)量成正比例，即放射性同位素的量越多，在閃爍體上引起閃光次數(shù)就越多，從而儀器記錄的脈沖次數(shù)就越多。

　　閃爍探測(cè)器測(cè)量的結(jié)果可用計(jì)數(shù)率，即射線每分鐘的計(jì)數(shù)次數(shù)(cpm)表示，現(xiàn)代計(jì)數(shù)裝置通?？梢酝瑫r(shí)給出衰變率，即射線每分鐘的衰變次數(shù)(dpm)、計(jì)數(shù)效率(E)、測(cè)量誤差等數(shù)據(jù)。

閃爍探測(cè)器的結(jié)構(gòu)組成

　　1、閃爍體

　　閃爍探測(cè)器的閃爍體是能吸收高能粒子或射線發(fā)出可見(jiàn)光子的材料。無(wú)機(jī)閃爍體(如Nal(Tl)，ZnS(Ag))幾乎是1**%透明的，有機(jī)閃爍體(如蒽，塑料閃爍體，液體閃爍體)一般來(lái)說(shuō)透明性較差。

　　閃爍體在受到高能粒子激發(fā)后發(fā)射的光譜應(yīng)在可見(jiàn)光區(qū)，在實(shí)際應(yīng)用上接受光子主要有兩種方式:一種是光電倍增管，另一種是光電二極管。光電倍增管的光譜響應(yīng)靈敏度在430~470nm，光電二極管的光譜響應(yīng)靈敏度在500~530nm，閃爍體的發(fā)射光譜應(yīng)盡可能與之相匹配，才能獲得高的靈敏度和GX率。

　　NaI(Tl)晶體自1948年問(wèn)世以來(lái)至今仍閃爍探測(cè)器是探測(cè)X射線、γ射線和α射線Z重要的閃爍體，其特點(diǎn)為:①密度大(3.67g/cm3)，平均原子序數(shù)53，對(duì)γ射線和X射線有較大的阻止本領(lǐng);②能量轉(zhuǎn)換效率高，是已知無(wú)機(jī)閃爍體中發(fā)光強(qiáng)度Zgao的材料，其分辨率在10%以下，分辨率強(qiáng);③發(fā)射峰值波長(zhǎng)為415nm，晶體在發(fā)光范圍是透明的。與光電倍增管的匹配較好，對(duì)γ射線能量大于150KeV時(shí)，效應(yīng)是線性的:④發(fā)光衰減時(shí)間短。

　　CsI(Tl)晶體除發(fā)光效率低于NaI(Tl)以外，其它性能均優(yōu)于NaI(Tl)。CsI(Tl)的發(fā)射波長(zhǎng)為565nm，與半導(dǎo)體光電二極管匹配很好，在安檢領(lǐng)域采用較多，但余輝較長(zhǎng)，快速檢查如車載貨物檢查，圖像模糊分辨不清。

　　2、光電倍增管

　　光電倍增管是閃爍探測(cè)器的Z重要部件之一。其組成成份是光陰極和倍增電極，光陰極的作用是將閃爍體的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，倍增電極則充當(dāng)一個(gè)放大倍數(shù)大于10⁶的放大器，光陰極上產(chǎn)生的電子經(jīng)加速作用飛到倍增電極上，每個(gè)倍增電極上均發(fā)生電子的倍增現(xiàn)象，倍增極的培增系數(shù)與所加電壓成正比例，所以光電倍增管的供電電源必須非常穩(wěn)定，保證倍增系數(shù)的變化Z小，在沒(méi)有入射的射線時(shí)，光電倍增管自身由于熱發(fā)射而產(chǎn)生的電子倍增稱為暗電流。用光電倍增管探測(cè)低能核輻射時(shí)，必須減小暗電流。保持測(cè)量空間環(huán)境內(nèi)較低的室溫，是減小光電倍增管暗電流的有效方法。

　　此外，光電二極管也是閃爍探測(cè)器常用的器件。PIN光敏二極管又稱快速光電二極管，在原理上和普通光電二極管一樣，所不同的是它的結(jié)構(gòu)是在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間夾著一層較厚的高阻n型硅片做i層，它具有響應(yīng)速度快、靈敏度高、長(zhǎng)波響應(yīng)率大的特點(diǎn)。CsI(Tl)晶體的熒光光譜和光敏二極管的吸收光譜比較匹配，而且光產(chǎn)額較高，這樣閃爍晶體和光探測(cè)器的組合比較有利于實(shí)現(xiàn)對(duì)γ射線能譜的測(cè)量。實(shí)驗(yàn)中使用的CsI(Tl)晶體為10×10×10mm的正方體，PIN光敏二極管是10×10mm，CsI晶體用Teflon膜包裹，提高光的收集效率，閃爍晶體和光敏二極管之間用硅油耦合。

　　光電倍增管探測(cè)器要求的實(shí)驗(yàn)條件比較苛刻，相比之下光敏二極管探測(cè)器的體積較小，而且不要求高壓，所以可用作小型的γ射線探測(cè)器，在γ射線探測(cè)方面有很廣泛的應(yīng)用前景。

　　3、電子分析系統(tǒng)

　　閃爍探測(cè)器測(cè)量系統(tǒng)，一般的電子學(xué)測(cè)量系統(tǒng)包括模擬信號(hào)獲取或處理，模數(shù)變換以及數(shù)據(jù)量的獲取和處理等三部分。射線經(jīng)閃爍晶體后轉(zhuǎn)變成光信號(hào)，經(jīng)光電倍增管(或PIN光電二極管)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)，輸出的信號(hào)經(jīng)過(guò)放大、濾波成形或其它處理后，變換成數(shù)字量才能用數(shù)字系統(tǒng)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)、分析和數(shù)據(jù)處理。現(xiàn)在廣泛使用的計(jì)算機(jī)多道分析器有很多的數(shù)據(jù)獲取和處理功能，數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)分析處理，給出Z后的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。